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Hfc周日公报 V - eVols
我用长长的白缎带绑住她们，以确保未来的幸福，我一直遵循古老的格言，并写道：“一些旧的，一些新的，一些借来的，一些蓝色的。”伴娘和引座员。阿迪二世小姐是最受尊敬的伴娘，她们是赛·罗伯逊小姐、莉莉·斯托尔斯小姐、蒂姆·锡罐小姐和卡玛·利昂斯小姐。这些年轻的姑娘穿着硬纱礼服，戴着奶油色的花帽，手捧粉红色和黄色的花束，汉费尔莱克和海伦小姐为那些在送花瓣的孩子们送去新娘的路上的孩子们送去花束。沃尔特·迪林汉先生、威廉·洛夫先生和密歇根州。 James Dougherty 和 Mr. Itobcrt Booth 担任引座员。仪式由 Itev William Morris Klncalil 主持，由 Uov. Henry II. Parker 协助，他是家族的老朋友，并且仅采用了令人印象深刻的公理会服务。
Hfc周日公报 V - eVols
我用长长的白缎带绑住她们，以确保未来的幸福，我一直遵循古老的格言，并写道：“一些旧的，一些新的，一些借来的，一些蓝色的。”伴娘和引座员。阿迪二世小姐是最受尊敬的伴娘，她们是赛·罗伯逊小姐、莉莉·斯托尔斯小姐、蒂姆·锡罐小姐和卡玛·利昂斯小姐。这些年轻的姑娘穿着硬纱礼服，戴着奶油色的花帽，手捧粉红色和黄色的花束，汉费尔莱克和海伦小姐为那些在送花瓣的孩子们送去新娘的路上的孩子们送去花束。沃尔特·迪林汉先生、威廉·洛夫先生和密歇根州。 James Dougherty 和 Mr. Itobcrt Booth 担任引座员。仪式由 Itev William Morris Klncalil 主持，由 Uov. Henry II. Parker 协助，他是家族的老朋友，并且仅采用了令人印象深刻的公理会服务。
Hfc周日公报 V - eVols
我用长长的白缎带绑住她们，以确保未来的幸福，我一直遵循古老的格言，并写道：“一些旧的，一些新的，一些借来的，一些蓝色的。”伴娘和引座员。阿迪二世小姐是最受尊敬的伴娘，她们是赛·罗伯逊小姐、莉莉·斯托尔斯小姐、蒂姆·锡罐小姐和卡玛·利昂斯小姐。这些年轻的姑娘穿着硬纱礼服，戴着奶油色的花帽，手捧粉红色和黄色的花束，汉费尔莱克和海伦小姐为那些在送花瓣的孩子们送去新娘的路上的孩子们送去花束。沃尔特·迪林汉先生、威廉·洛夫先生和密歇根州。 James Dougherty 和 Mr. Itobcrt Booth 担任引座员。仪式由 Itev William Morris Klncalil 主持，由 Uov. Henry II. Parker 协助，他是家族的老朋友，并且仅采用了令人印象深刻的公理会服务。
HfcSUNDAY BULLETIN V - eVols
我用长长的白色缎带系住新娘的腰，以确保未来的幸福，一直遵循古老的格言，并写道：“一些旧的，一些新的，一些旧的，一些蓝色的。” 伴娘和引座员。阿迪二世小姐是最受尊敬的伴娘，她是赛·罗伯逊小姐、莉莉·斯托尔斯小姐、蒂姆·锡罐小姐和卡玛·利昂斯小姐。这些年轻的姑娘穿着硬纱礼服，戴着奶油色的花帽，手捧粉红色和橙色的花束，汉菲尔·利克和海伦小姐为那些在送花瓣的孩子们送去新娘的路上的孩子们送去花瓣。沃尔特·迪林汉先生、威廉·洛夫先生和密歇根州。 James Dougherty 和 Mr. Itobcrt Booth 担任引座员。仪式由 Itev William Morris Klncalil 主持，由 Uov. Henry II. Parker 协助，他是家族的老朋友，并且仅采用了令人印象深刻的公理会服务。
Hfc周日公报 V - eVols
我用长长的白缎带绑住她们，以确保未来的幸福，一直遵循古老的格言，并配上一些旧的和新的，一些借来的和一些蓝色的伴娘和引座员。阿迪二世小姐是最受尊敬的伴娘，她是赛·罗伯逊小姐、莉莉·斯托尔斯小姐、蒂姆·锡罐小姐和卡玛·利昂斯小姐这些年轻的勺子穿着硬纱礼服，戴着奶油色的花帽，她们手捧粉红色和黄色的花束，汉费尔莱克和海伦小姐为那些在新娘的路上送花瓣的孩子们送花。沃尔特·迪林汉先生、威廉·洛夫先生和密歇根州。 James Dougherty 和 Mr. Itobcrt Booth 担任引座员。仪式由 Itev William Morris Klncalil 主持，由 Uov. Henry II. Parker 协助，他是家族的老朋友，并且仅采用了令人印象深刻的公理会服务。
Si衬底上沉积的HfO2栅极介电体界面陷阱密度和串联电阻的频率依赖性研究：50MeV Li3+离子辐照前后
我们首次报告了 50 MeV Li 3+ 离子辐照对串联电阻和界面态密度的频率依赖性影响的研究，这些影响是由射频溅射制备的 HfO 2 基 MOS 电容器的电容-电压 (C-V) 和电导-电压 (G-V) 特性确定的。样品在室温下用 50 MeV Li 3+ 离子辐照。测得的电容和电导已根据串联电阻进行校正。在辐照之前和之后，在 1 KHz 至 1 MHz 的不同频率下估算了串联电阻。观察到串联电阻在辐照前随频率从 6344.5 降低到 322 欧姆，在辐照后降低到 8954-134 欧姆。界面态密度D it 由辐照前的1.12×10 12 eV 1 cm 2 降至3.67×10 11 eV 1 cm 2
高温合成气体退火对HfO2的影响...
德克萨斯大学奥斯汀分校微电子研究中心，美国德克萨斯州奥斯汀 78758 电话：(512) 471-1627，传真：(512) 471-5625，电子邮件：k-onishi@mail.utexas.edu 摘要 研究了合成气体 (FG) 退火对 HfO 2 MOSFET 性能的影响。结果表明，高温 (500-600°C) FG 退火可显著改善 N 和 PMOSFET 的载流子迁移率和亚阈值斜率。这种改善与界面态密度的降低有关。还在 HfO 2 沉积之前用 NH 3 或 NO 退火进行表面处理的样品上检查了 FG 退火的有效性。结果发现，FG 退火不会降低 PMOS 负偏置温度不稳定性特性。