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研究了用臭氧前体形成的ALD膜的结构和电性能
摘要：ALD薄片的持续发展需要持续的改进，并改变适合不同实际应用的量身定制特性的材料。臭氧最近被确定为前体，比晚期介电薄膜ALDS中的替代氧化前体具有不同的优势。本研究报告了使用O 3源的氧化铝（Al 2 O 3）和Hafnia（HFO 2）形成，并比较获得的结构和电性能。与水基薄膜相比，对臭氧基材料进行的结构检查证明具有较低的空缺水平。增强的结构特性还导致有问题通过整体层掺入不同的掺杂剂。此外，对使用ALD Gate介电的MIS结构的电特性分析表明，基于臭氧的胶片的质量和良好的绝缘性能得到了改善。然而，需要用臭氧进一步优化ALD技术，因为相对较低的相对介电性表征了超细膜。
XPS-Technique and opplication-in-Thickness-
摘要X射线光电子光谱（XPS）分析技术已广泛应用于半导体制造和故障分析。我们将其用于晶圆制造中的缺陷分析和薄膜表征，并将其用于铜材料的XPS价状态分析。XPS技术也与TOF-SIMS技术共同应用。在晶圆厂，半导体和LED制造中，测量纳米仪范围内超薄膜的厚度非常具有挑战性。通常，TEM被广泛用于超薄薄膜物理测量，但通常其横向尺寸受到限制。在本文中，我们将研究X射线光电子光谱分析技术，该技术采用角度分析技术采用新的分析方法。此外，我们还将新方法应用于Sion膜的分析。在约1.4nm处测量超薄薄膜是实现的。此方法可用于SIO 2厚度测量，在AU上进行自组装的硫醇单层和硅底物上HFO 2的厚度。
研究了用臭氧前体形成的ALD膜的结构和电性能
摘要：ALD薄片的持续发展需要持续的改进，并改变适合不同实际应用的量身定制特性的材料。臭氧最近被确定为前体，比晚期介电薄膜ALDS中的替代氧化前体具有不同的优势。本研究报告了使用O 3源的氧化铝（Al 2 O 3）和Hafnia（HFO 2）形成，并比较获得的结构和电性能。与水基薄膜相比，对臭氧基材料进行的结构检查证明具有较低的空缺水平。增强的结构特性还导致有问题通过整体层掺入不同的掺杂剂。此外，对使用ALD Gate介电的MIS结构的电特性分析表明，基于臭氧的胶片的质量和良好的绝缘性能得到了改善。然而，需要用臭氧进一步优化ALD技术，因为相对较低的相对介电性表征了超细膜。
具有近 20 mA 电流的全栅极 In2O3 纳米带 FET ...
摘要—在这项工作中，我们展示了原子层沉积 (ALD) 单通道氧化铟 (In 2 O 3 ) 栅极环绕 (GAA) 纳米带场效应晶体管 (FET)，该晶体管采用了后端制程 (BEOL) 兼容工艺。在 In 2 O 3 GAA 纳米带 FET 中，实现了 19.3 mA/µ m（接近 20 mA/µ m）的最大导通电流 (I ON ) 和 10 6 的开/关比，其通道厚度 (T IO ) 为 3.1 nm，通道长度 (L ch ) 为 40 nm，通道宽度 (W ch ) 为 30 nm，介电 HfO 2 为 5 nm。采用短脉冲测量来减轻超薄通道层中流动的超高漏极电流引起的自热效应。 In 2 O 3 FET 获得的创纪录高漏极电流比任何传统单通道半导体 FET 高出约一个数量级。这种非凡的漏极电流及其相关的导通状态性能表明 ALD In 2 O 3 是一种有前途的氧化物半导体通道，在 BEOL 兼容单片 3D 集成方面具有巨大的发展机会。
通过卟啉纳米替宾的相位荷荷运输
图1 |通过卟啉纳米甲碳 - 石膏装置的相位连接电子传输。通过石墨烯-Ni-FP8卟啉纳米氨基苯二烯连接（顶部）和Ni-FP8的完整化学结构（底部，THS = ths = trihexylsilyl）的相位交联电子传输的示意图。在卟啉（3,5-双（三己二烯基）苯基）上的卟啉蛋白上的溶解基和p肾上腺素（十二氧基）已被省略。b设备体系结构。中间的粉红色矩形区域表示HFO 2（透明浅蓝色）下方的局部铂门电极；两端的矩形区域（粉红色）代表与弓形石墨烯（紫色）接触的源和排水铂电极。c差分电导（G = D I SD /D V SD）图测量的函数是偏置电压（V SD）和栅极电压（V g）和D差分电导，ni-Fp8设备的V SD = 0 mV（粉红色曲线）和V SD = 10 mV（蓝色曲线）的V g的函数在4.2 K. < /div = 10 mV（蓝色曲线）。
气候变化政策
o Gridworks 投资资助的任何新一代发电都不是煤炭，可再生能源方案已得到充分考虑，并且新一代发电是技术和商业上可行的最低碳方案； • 参考该国的净零路径方案，考虑综合公用事业在 2050 年后仍为碳密集型的风险。例如，这可能包括评估碳密集型资产（煤炭、重质燃油、天然气）是否 (a) 可以转换为可再生能源（例如，燃气发电站将转换为沼气）或 (b) 仅作为 2050 年后备用电源保留或 (c) 可以退役以在 2050 年之前停止生产，以及这些步骤是否已编入预算并且与公用事业使用的任何商业计划或财务模型一致。综合公用事业在 2050 年后仍为碳密集型的风险将在投资委员会批准投资的文件中明确说明，并将参考该国的净零路径方案进行解释； • 如果翻新现有发电资产以延长其使用寿命与 2050 年实现零碳排放的目标不一致，则不提供资金。
丘脑下核的光谱形貌，以告知下一代深脑刺激
摘要：背景：基底神经节信号的神经生理症状和行为生物标志物的景观是指的。基于感应的深脑刺激（DBS）的临床翻译还需要对丘脑下核（STN）内光谱生物标志物的解剖结构进行透彻的理解。目标：目的是系统地研究频谱地形，包括帕金森氏病（PD）患者的STN局部领域（LFP）中广泛的子带，并评估其对DBS临床反应的预测性。方法：使用多接触DBS电极的70例PD患者（130个半球）记录了STN-LFP。A comprehensive spatial characteriza- tion, including hot spot localization and focality estima- tion, was performed for multiple sub-bands (delta, theta, alpha, low-beta, high-beta, low-gamma, high-gamma, and fast-gamma (FG) as well as low- and fast high-fre- quency oscillations [HFO]) and compared to the clinical hot spot for rigidity response to DBS。建立了光谱生物标记图，并用于预测对DBS的临床反应。
具有忆阻器横杆的网络化视网膜传感器可实现大脑启发的视觉感知
与人类视觉相比，由图像传感器和处理器组成的传统机器视觉由于图像感测和处理在物理上分离，存在高延迟和大功耗的问题。具有大脑启发视觉感知的神经形态视觉系统为该问题提供了一个有希望的解决方案。在这里，我们提出并演示了一种原型神经形态视觉系统，该系统通过将视网膜传感器与忆阻交叉开关联网。我们使用具有栅极可调光响应的 WSe 2 /h-BN/Al 2 O 3 范德华异质结构来制造视网膜传感器，以紧密模拟人类视网膜同时感测和处理图像的能力。然后，我们将传感器与大规模 Pt/Ta/HfO 2 /Ta 单晶体管单电阻 (1T1R) 忆阻交叉开关联网，该交叉开关的作用类似于人脑中的视觉皮层。实现的神经形态视觉系统可以快速识别字母和跟踪物体，表明在完全模拟状态下具有图像感测、处理和识别的能力。我们的工作表明，这种神经形态视觉系统可能会为未来的视觉感知应用开辟前所未有的机会。
在基于A /'钴的Superaly合金中，通过定向能量沉积< /div> < /div < /div < /div
这项研究研究了通过定向能量沉积（DED）处理的基于Co-Ni-al-W-TA-TI-CRγ/γ'基于钴的凝固路径中出现的隔离和降水。观察结果揭示了添加剂制造过程中液体中划分的特征元素。由于这种微层次，发生复杂的多相沉淀，并且在由DED制造的基于钴的超合金中鉴定并表征了各种沉淀物。扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）用于研究在实用的显微组织中检测到的各个阶段的空间分布和性质。能量色散X射线光谱法（EDS），波长色散X射线光谱法（WDS）和电子能量损耗光谱（EEL）与衍射模式的精细分析相结合，以识别装饰互构成区域的不同阶段。这些特征允许鉴定不同的亚微音沉淀：Al 2 O 3，（Ta，ti）（n，c），HFO 2，Cr 3 B 2和（Ti，Ti，Zr，Hf）2 Sc。根据实验结果讨论凝固序列。这项工作提供了对固化隔离和在DED处理的基于钴的超合金中的第二相降水之间相互作用的首次了解。关键字γ/γ'Superaly合金；增材制造；第二相降水； tem
Hf0.5Zr0.5O2超薄膜中的无疲劳铁电性...
由于具有 CMOS 兼容性和可扩展性的特点，HfO 2 基铁电体是下一代存储器件的有希望的候选材料。然而，它们的商业化受到可靠性问题的极大阻碍，疲劳是一个主要障碍。我们报告了界面设计的 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 基异质结构的无疲劳行为。构建了一个相干的 CeO 2- x /Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 异质界面，其中 CeO 2- x 充当“氧海绵”，能够可逆地接受和释放氧空位。这种设计有效地缓解了电极-铁电界面处的缺陷聚集，从而改善了开关特性。此外，设计了一种对称电容器架构来最大限度地减少印记，从而抑制了循环引起的定向缺陷漂移。这种双管齐下的技术可以减轻氧伏安法产生的化学/能量波动，抑制顺电相的形成和极化退化。该设计确保 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 基电容器具有超过 10 11 次开关循环的无疲劳特性和超过 10 12 次循环的耐久寿命，以及出色的温度稳定性和保持性。这些发现为开发超稳定的氧化铪基铁电器件铺平了道路。