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World File Search SystemHfO2
Si衬底上沉积的HfO2栅极介电体界面陷阱密度和串联电阻的频率依赖性研究：50MeV Li3+离子辐照前后
我们首次报告了 50 MeV Li 3+ 离子辐照对串联电阻和界面态密度的频率依赖性影响的研究，这些影响是由射频溅射制备的 HfO 2 基 MOS 电容器的电容-电压 (C-V) 和电导-电压 (G-V) 特性确定的。样品在室温下用 50 MeV Li 3+ 离子辐照。测得的电容和电导已根据串联电阻进行校正。在辐照之前和之后，在 1 KHz 至 1 MHz 的不同频率下估算了串联电阻。观察到串联电阻在辐照前随频率从 6344.5 降低到 322 欧姆，在辐照后降低到 8954-134 欧姆。界面态密度D it 由辐照前的1.12×10 12 eV 1 cm 2 降至3.67×10 11 eV 1 cm 2
高 k 电介质材料对电气的影响...
摘要：本文介绍了使用不同高介电常数 (高 k) 栅极介电材料的双栅极 (DG) 和栅极环绕纳米线 (GAA) MOSFET 的电气行为。为了研究高 k 介电材料对 DG 和 GAA 的影响，使用 Atlas Silvaco TCAD 工具模拟器件并确定电气特性。本研究选择的高 k 材料是氮化硅 (Si3N4)、氧化铝 (Al2O3)、氧化锆 (ZrO2) 和氧化铪 (HfO2)。栅极介电材料在设计新型高性能纳米级电气器件方面发挥了重要作用。可以观察到，当接近更高的介电常数值时，导通电流增加，而亚阈值斜率 (SS) 阈值电压 (Vth) 和漏电流减少。可以观察到，与其他模拟介电材料相比，HfO2 对 DG 和 GAA MOSFET 都表现出最佳性能。
基于MI的硅纳米管道的晶体管的物理和技术方面。
Fadeev，A.V.，Myakon'Kikh，A.V.，Rudenko，K.V。 膜在具有高纵横比的3D结构上的原子层沉积的分析模型（2018）技术物理学，63（2），pp。 235-242。 Chesnokov，Y.M.，Miakonkikh，A.V.，Rogozhin，A.E.，Rudenko，K.V.，Vasiliev，A.L。 通过血浆增强原子层沉积沉积的薄hfo2的微结构和电性能（2018）材料科学杂志，53（10），pp。 7214-7223。Fadeev，A.V.，Myakon'Kikh，A.V.，Rudenko，K.V。膜在具有高纵横比的3D结构上的原子层沉积的分析模型（2018）技术物理学，63（2），pp。235-242。Chesnokov，Y.M.，Miakonkikh，A.V.，Rogozhin，A.E.，Rudenko，K.V.，Vasiliev，A.L。 通过血浆增强原子层沉积沉积的薄hfo2的微结构和电性能（2018）材料科学杂志，53（10），pp。 7214-7223。Chesnokov，Y.M.，Miakonkikh，A.V.，Rogozhin，A.E.，Rudenko，K.V.，Vasiliev，A.L。通过血浆增强原子层沉积沉积的薄hfo2的微结构和电性能（2018）材料科学杂志，53（10），pp。7214-7223。
增强了基于HFO2的透明的备忘录设备的电阻开关特性，用于可靠的气体应用
摘要：我们提出了一个透明的回忆录，具有粗面（RS）底部电极（BE），对气体的性能和可靠性增强，该气体是气体传感器加上备忘录及其在本文中的应用。透明的回忆录具有RS BE，表现出低的形成电压（0.8 V）和稳定的电阻切换行为，具有较高的耐力，ON/OFF比率约为125。这种改进是由于对电场分布的更好控制和氧气空位浓度在应用于透明的回忆录时的氧气空位浓度所致。长时间维持在环境空气环境中的传导丝的稳定性对于将备忘录作为气体的应用至关重要。带有RS的回忆录证明了维持稳定状态的能力，约为10 4 s。结果，可以证明，带有RS的拟议透明透镜可以显着提高该设备对气体应用的可靠性。
Hritom Das 助理教授
研究兴趣：• 研究基于不同材料（例如 HfO2、NbO2）的新兴设备。• 神经形态电路和系统设计和分析。• 针对动态环境的低功耗学习电路（例如 STDP、稳态可塑性）设计。• 电路和系统（例如突触、神经元、STDP）建模以预测其在复杂动态中的行为。• 框架开发和使用不同应用程序进行测试以评估我们设计的性能。• 用于边缘计算（智能相机）的智能微型处理器（例如 DPE）设计。• 边缘设备的差异隐私。• 混合存储器（例如传统 + 新兴、易失性 + 非易失性）设计以满足性能
ALD 工业应用
ALD 在引领半导体技术方面发挥着关键作用，而其在其他前沿行业的应用领域也正在迅速增长。据市场估计，仅设备市场目前的年收入就接近 20 亿美元，预计在未来 4-5 年内将翻一番。经过 30 多年的广泛研究，ALD 氧化铪和其他高 k 电介质可以替代传统半导体制造中的二氧化硅 (SiO2)，最终于 2004 年被三星采用，在 90 nm DRAM 节点的大批量生产中用作高 k 电容器电介质。其他 DRAM 公司紧随其后，后来在 2007 年，英特尔在 45 nm 节点引入了 ALD HfO2 作为高 k 栅极电介质。这些事件导致 ALD 设备和前体市场蓬勃发展，随后出现了其他行业中 ALD 的其他工艺、前体、材料和应用，这些将在演讲中介绍。
主管项目创意
Luca Pierantoni是电磁场的完整教授。他获得了意大利安科纳大学的电子工程学（1988年）的电子工程学学位（1988）和电磁学博士学位（1993年）。1996-1999：德国慕尼黑技术大学的高级研究科学家。 出版物：230（Scopus），https：//orcid.org/0000-0000-0002-2536-7613。 奖项和会员资格。 MTT-S RF纳米技术委员会的创始人兼第一主席。 IEEE MTT-S杰出的微波讲师（DML，2012-2014）和IEEE MTT-S DML名誉（DML-E，2015-2016）。 IEEE纳米技术委员会（NTC）杰出讲师（2015-2016）。 IEEE纳米技术委员会（2023-2024）副主席。 国际微波研讨会技术计划委员会成员。 IEEE Trans的高级编辑。 纳米技术（TNANO）。 意大利核物理研究所（INFN）成员。 副主席，MTT-S量子技术工作组。 主席，IEEE MTT-S交互式演讲计划。 证书“为服务委员会主席的认可，IEEE MTT-S（2015） 奖金牌匾以杰出服务为杰出的微波讲师，IEEE MTT-S（2015）。 一等奖，IEEE IMS学生设计竞赛（2015，2016，2017）。 项目。 pi tw-cnt，魁北克 - 质项目（2011-2012）。 出版物。 L. Pierantoni等人，基于几层石墨烯薄片的宽带微波衰减器，IEEE MTT-T 10.1109/TMTT.2015.2441062。1996-1999：德国慕尼黑技术大学的高级研究科学家。出版物：230（Scopus），https：//orcid.org/0000-0000-0002-2536-7613。奖项和会员资格。MTT-S RF纳米技术委员会的创始人兼第一主席。IEEE MTT-S杰出的微波讲师（DML，2012-2014）和IEEE MTT-S DML名誉（DML-E，2015-2016）。IEEE纳米技术委员会（NTC）杰出讲师（2015-2016）。IEEE纳米技术委员会（2023-2024）副主席。 国际微波研讨会技术计划委员会成员。 IEEE Trans的高级编辑。 纳米技术（TNANO）。 意大利核物理研究所（INFN）成员。 副主席，MTT-S量子技术工作组。 主席，IEEE MTT-S交互式演讲计划。 证书“为服务委员会主席的认可，IEEE MTT-S（2015） 奖金牌匾以杰出服务为杰出的微波讲师，IEEE MTT-S（2015）。 一等奖，IEEE IMS学生设计竞赛（2015，2016，2017）。 项目。 pi tw-cnt，魁北克 - 质项目（2011-2012）。 出版物。 L. Pierantoni等人，基于几层石墨烯薄片的宽带微波衰减器，IEEE MTT-T 10.1109/TMTT.2015.2441062。IEEE纳米技术委员会（2023-2024）副主席。国际微波研讨会技术计划委员会成员。IEEE Trans的高级编辑。 纳米技术（TNANO）。 意大利核物理研究所（INFN）成员。 副主席，MTT-S量子技术工作组。 主席，IEEE MTT-S交互式演讲计划。 证书“为服务委员会主席的认可，IEEE MTT-S（2015） 奖金牌匾以杰出服务为杰出的微波讲师，IEEE MTT-S（2015）。 一等奖，IEEE IMS学生设计竞赛（2015，2016，2017）。 项目。 pi tw-cnt，魁北克 - 质项目（2011-2012）。 出版物。 L. Pierantoni等人，基于几层石墨烯薄片的宽带微波衰减器，IEEE MTT-T 10.1109/TMTT.2015.2441062。IEEE Trans的高级编辑。纳米技术（TNANO）。 意大利核物理研究所（INFN）成员。 副主席，MTT-S量子技术工作组。 主席，IEEE MTT-S交互式演讲计划。 证书“为服务委员会主席的认可，IEEE MTT-S（2015） 奖金牌匾以杰出服务为杰出的微波讲师，IEEE MTT-S（2015）。 一等奖，IEEE IMS学生设计竞赛（2015，2016，2017）。 项目。 pi tw-cnt，魁北克 - 质项目（2011-2012）。 出版物。 L. Pierantoni等人，基于几层石墨烯薄片的宽带微波衰减器，IEEE MTT-T 10.1109/TMTT.2015.2441062。纳米技术（TNANO）。意大利核物理研究所（INFN）成员。副主席，MTT-S量子技术工作组。主席，IEEE MTT-S交互式演讲计划。证书“为服务委员会主席的认可，IEEE MTT-S（2015）奖金牌匾以杰出服务为杰出的微波讲师，IEEE MTT-S（2015）。一等奖，IEEE IMS学生设计竞赛（2015，2016，2017）。项目。pi tw-cnt，魁北克 - 质项目（2011-2012）。出版物。L. Pierantoni等人，基于几层石墨烯薄片的宽带微波衰减器，IEEE MTT-T 10.1109/TMTT.2015.2441062。欧洲项目：Greenergy H2020-LC-SC3-2020-Res-Ria；纳米-EH，H2020 FET主动（2020-2022）; Nanopoly，H2020胎儿（2019-2021）; Nanosmart，H2020 ICT（2019-2021）; NTX，H2020胎儿（2017-2018）;现象，H2020胎儿（2016-2019）; Nano RF，FP7 ICT（2012-2016）; Milesage，石墨烯旗舰（2014-2016）。L. Pierantoni等人，一种新的3-D传输线矩阵方案，用于Nanodevices的电子/电磁特性中的Schrödinger-Maxwell问题，https://doi.org/10.1109/tmtt.2008.9168883。L. Pierantoni等人，纳米德维克斯（Nanodevices）载体动力学的载体问题的边界止回操作员，https://doi.org/10.1109/tmtt.2009.2017351。D. Mencarelli，L。Pierantoni等人，一种多通道模型，用于对石墨烯Nanoribbon中连贯运输的自洽分析，https://doi.org/10.1021/nnnnn2011113333。E. Laudadio，P。Stipa，L。Pierantoni，D。Mencarelli，不同HFO2多晶型物的相性质：基于DFT-的研究，https://doi.org/10.1109/smicnd.2015.7355509。