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基于CMOS的小型多传感器平台，用于分析和诊断，Alexander Hofmann 1，FlorianKögler1，Elisa Hilbrecht 1，Victoria Dimo
图1：具有标准钝化为离子敏感层的CMOS ISFET，信号转换的扩展门电极和下方的MOSFET，对氢离子（H +）敏感。H +的吸附或释放改变了闸门的电池，这会改变源和排水之间的电流。因此，可以测量与与表面结合的H +离子成正比的电信号变化。与可自定义的特殊过程相比，标准CMOS流程中的ISFET可以开发和制造更具成本效益。，这也面临着几个挑战：首先，作为离子敏感层的标准钝化会引起对最大斜率的敏感性，因为在25°C时NERNST的59 mV/pH值和信号漂移中的59 mV/pH值。此外，ISFET的操作点移动和
引用出版版本（APA）：Olloni，A.，Brink，C.，Lorenzen，E.L.，Jeppesen，S.S.，Hofmann，L.，Kristiansen，C.
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克里斯蒂安·霍夫曼（Christian Hofmann） -
自2021年以来的研究助理，意大利MILANO，意大利MILANO，ESA的M-ARGO任务研究助理2018ZentrumFürTelematikE.V.（DLR），德国研究领域：太空轨迹优化，任务分析国际工程研究生计划2016 - 2017年德国AAM德国，德国，德国