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elm201 katihalelektronë叶
此过程允许缝隙在晶体结构内移动。充当空缺（空位） +Q（孔，空，空心）的粒子。孔密度由（Houles/cm 3）图标表示。如上所述，每个断裂键形成两个负载颗粒：1个电子和1个孔。原始（未加成的，“固有”）变为硅的n = n i =，电子和孔密度的产物
NECTArCam 相机项目
M. Barcelo 6 , J.A.Barrio 15 , O. Blanch 6 , J. Boix 6 , J. Bolmont 12 , S. Cazaux 9 , C. Champion 1 , S. Chollet 11 , M. Compin 13 , S. Couturier-Lequellec 11 , E.德拉涅 9 、C. 德尔加多 2 、M. 德诺鲁瓦 11 ，F.杜波依斯 15，J.P. Ernenwein 3 、 P. Ferrando 9 、 E. Fillin Martino 11 、 G 。Fontaine 11、N. Fouque 10、D.Gasc ́on 5、B. Giebels 11、J-F。 Glicenstein 9 , T. Hassan 15 , R. Hermel 10 , D. Hoffmann 3 , J. Houles 3 , S. Karkar 3 , B. Kh´elifi 11 , J. Knöodlseder 8 , R. Kossakowski 10 , G. Lamanna 10、T.勒面粉 10、R. Ĺopez 15，C.L.Naumann 12 , G.A.Martinez 2 、A. Mathieu 11 、P. Manigot 11 、Y. Moudden 9 、E. Moulin 9 、P. Nayman 12 、J.L.帕那唑 10，P.O.Petrucci 7 、J. Prast 10 、M. Punch 1 、S. Rosier-Lees 10 、A.Sanuy 5 、S. Schlenstedt 4 、H .Sol 14 、K.H.苏兰克 4 , J.P.洛杉矶 12 号酒馆Tejedor 15 F. Toussenel 12、P. Vincent 12、G. Vasileiadis 13、R. Wischnewski 4