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WP1.4。硅探测器的表征和模拟
1）来自A. vasilescu（inpe bucharest）和G.lindström（Univ。汉堡）2）P.J.Griffin等人，Sand92-0094（Sandia Natl。实验室93），私人。comm。1996 3）Konobeyev，Alexander Yu。等。“核数据研究在辐照材料的损伤下，核子的能量高达25 GEV。” 4）Huhtinen，M。和P. A. Aarnio。“ pion诱导硅设备中的位移损伤。” 5）Summers，G。P.，E。A. Burke，P。Shapiro等。“暴露于伽马，电子和质子辐射的半导体中的损伤相关性。” https://doi.org/10.1109/23.273529。6）Huhtinen，M。“模拟硅中的非离子能量损失和缺陷形成。” https://doi.org/10.1016/s0168-9002(02)01227-5。7）Gurimskaya，Yana等。“用质子和中子照射的P型EPI EPI硅垫二极管的辐射损伤。” https://doi.org/10.1016/j.nima.2019.05.062。
电磁热量计技术设计报告
CERN，欧洲粒子物理实验室，瑞士日内瓦 P.A.Aarnio 15、D. Abbaneo、V. Arbet-Engels、P. Aspell、E. Auffray、G. Bagliesi、P. Baillon、R. Barillère、D. Barney、W. Bell、G. Benefice、D. Blechschmidt 博士Bloch、M. Bosteels、J. Bourotte 16、M. Bozzo 17、S. Braibant、H. Breuker、A. Calvo、D. Campi、A. Caner、E. Cano、A. Carraro、A. Cattai 、G. Cervelli、J. Christiansen、S. Cittolin、B. Curé、C. D'Ambrosio、S. Da Mota Silva、D. Dattola、Th.de Visser、D. Delicaris、M. Della Negra、A. Desirelli、G. Dissertori、A. Elliott-Peisert、L. Feld、H. Foeth、A. Fucci、A. Furtjes、J.C. Gayde，H. Gerwig，K. Gill，W. Glessing，E. Gonzalez Romero 18 ，J.P. Grillet，J.Gutleber，J.E.Hackl，F. Hahn，R. Hammarstrom，M. Hansen，M. Hansroul，E.H.M.Heijne、A. Hervé、M. Hoch、K. Holtman、M. Huhtinen、V. Innocente、W. Jank、P. Jarron、A. Jusko、Th.Kachelhoffer、C. Kershaw、Z. Kovacs、A. Kruse、T. Ladzinski、Ch.Lasseur，J.M.Le Goff、M. Lebeau、P. Lecoq、N. Lejeune、F. Lemeilleur、M. Letheren、Ch.Luslin、B. Lofstedt、R. Loos、R. Mackenzie、R. Malina、M. Mannelli、E. Manola-Poggioli、A. Marchioro、J.M.Maugain，F. Meijers，A. Merlino，Th。Meyer、J. Mommaert、P. Nappey、T. Nyman、A. Onnela、L. Orsini、S. Paoletti、G. Passardi、D. Peach、F. Perriollat、P. Petagna、M. Pimiä、R . Pintus，B. Pirollet，A. Placci，J.P. Porte，H. Postema，J. Pothier，M.J. Price、A. Racz、E. Radermacher、S. Reynaud、R. Ribeiro、J. Roche、P. Rodrigues Simoes Moreira、L. Rolandi、D. Samyn、J.C. Santiard、R. Schmidt、B. Schmitt、