根据我们的经验和内部分析,美国和韩国之间的半导体制造资本支出和运营成本差异主要不是由于政府激励措施的差异。美国和其他主要制造地点在结构和经济因素方面存在明显差异。事实上,在总部所在国家以外的地方运营研发或制造设施的公司会产生大量额外的管理费用。这一点很重要,因为美国的激励措施不应被简单地认为是“抵消”了其他政府的激励措施。如果不谨慎应用,联邦激励驱动的投资可能会扰乱该行业数年的市场供应动态。
Marco Passerini于2004年从帕维亚大学获得电子工程学位博士学位后,Marco在Flash Memories领域担任Atmel的模拟设计师4年。2008年,他加入了新开设的意大利Spansion Center,致力于开发First CT(Charge Trap)-NAND。2012年,该中心被SK Hynix收购。目前,Marco是Italy SK Hynix的模拟团队负责人,在238层3D NAND开发中工作。
• 投资 400 万美元用于改善废水处理基础设施(西拉斐特市投资 200 万美元,美国经济发展局拨款 200 万美元); • 来自新成立的创新发展区 4500 万美元,用于支持 SK 海力士工厂周边的基础设施改善; • 来自美国环境保护署的 7800 万美元州清洁水资金,用于支持大拉斐特地区动态生态系统的发展和经济机会;以及 • 建立硬技术走廊,以普渡大学的 SK 海力士工厂为中心,向南延伸至 LEAP-黎巴嫩创新区,穿过印第安纳波利斯,然后延伸至海军水面作战中心克兰分部(NSWC Crane)。
Actel Halo Electronics NEC Sipex Aeneon Hitachi NIC Sony Agere Hynix Nichicon Spansion Allegro Microsystems IBM Numonyx ST Microelectronics Alliance Semiconductor IDT NVIDIA Symbios Logic Altera Intel NXP (飞利浦) SynQor AMCC International Rectifier Oak Technology (Zoran) Teccor AMD Intersil OKI Semiconductor Temic Anadigics ISSI/ICSI On Semiconductor Texas Instruments Analog Devices ITT Cannon Panasonic (松下) Toshiba ATI Kemet Pericom TranSwitch Atmel Kingston Technology PLX Technology TriQuint Semiconductor Avago (安捷伦) Lattice Semiconductor PMC-Sierra Tundra Semiconductor AVX Legerity Pulse Engineering Tyco Bourns Linear Technology Qimonda (英飞凌) V3 Semiconductor Brilliance Semiconductor LSI (Agere) QLogic Via Tech (Cyrix) Broadcom Macronix Qualcomm Vishay Cirrus Logic Marvell 半导体(英特尔)
本地组装计算机 (LAC) 零件/组件的推荐制造商 序列号 零件/组件 制造商 1. Intel 2. Asus 3. Gigabyte 4. Digilink 1. Intel 2. AMD 3.Celeron 1. Kingston 2. Hyundai 3. Hynix 4. Samsung 5. Alliance Semiconductor 6.IBM Microelectronics 1. Seagate 2. Western Digital 3. Maxtor 4. Samsung 5. Quantum 光盘驱动器 1. Sony 2. Samsung 3. LG 4. MSI 1. Intel 2. 3Com 3. D-Link 7 1. Motorola 2. MSI 3. US Robotics 4. D-link 8 声卡 1. Creative Advance Logic 9 1. Microsoft 2. Logitech 3. Samsung 4. TVS 5. I key 10 1. Microsoft 2. Logitech 3. 三星 4. I ball 11 1. Creative Harmon Kardon
– 1) ASP 随着每个节点而跳跃。过渡到 HBM3E 预计将使 HBM ASP 每 GB 提高约 25%。HBM4 预计将比 HBM3E 额外获得约 50% 的价格溢价。– 2) 每层 GB 增加:HBM3E 与 HBM3 相比,每层 GB 增加 50%。HBM4E 将再次改进 HBM3E/HBM4。– 3) 层数增加:12Hi 的采用在 2024 年下半年开始,主要采用在 2025 年 Blackwell 加速时。HBM4 预计将在 2025 年年底推出,采用时间为 2026 年。HBM4E 应该会看到 16hi(甚至可能更高),从而进一步增加 GB/单位。– 4) 围绕每个加速器设计了更多 HBM 单元。 HBM3E 12hi 的出货量应在 24 年达到 800 万片,然后在 25 年跃升 7 倍至 5700 万片,然后在 26 年实现 HBM4 12hi 的商业化。图 1 27 年以后,HBM4E 预计将具有 16 至 20 层。SK Hynix 最近表示乐观,认为混合键合可以实现堆叠超过 20 层,而高度不超过 775 微米。
指数成分股截至:2024 年 10 月 31 日 公司名称 权重 (%) NVIDIA Corp 8.63 Alphabet Inc 8.32 Amazon.com Inc 8.12 Microsoft Corp 7.93 Meta Platforms Inc 7.74 Taiwan Semiconductor Manufactu 4.28 ServiceNow Inc 4.13 Apple Inc 4.05 Oracle Corp 3.99 Broadcom Inc 3.90 Adobe Inc 3.83 Advanced Micro Devices Inc 3.42 ASML Holding NV 3.30 QUALCOMM Inc 2.80 Palantir Technologies Inc 2.58 Intuit Inc 2.56 Micron Technology Inc 1.70 Arista Networks Inc 1.46 Shopify Inc 1.41 Synopsys Inc 1.21 Cadence Design Systems Inc 1.16 Datadog Inc 1.10 Marvell Technology Inc 1.07 Snowflake Inc 1.04 Crowdstrike Holdings Inc 1.04 SK海力士公司 1.01 联发科技公司 0.84 Vertiv Holdings Co 0.61 Zoom Video Communications Inc 0.56 Monolithic Power Systems Inc 0.55 Atlassian Corp 0.46 ASM International NV 0.39
ABOV ACE ACE 技术 ACT ACTRANS ADESTO ADVANCE GROUP AiT 半导体 ALI(宏碁) ALL24SERIES ALLIANCE ALTERA AMD AMIC AMS ANACHIP APLUS FLASH ARTSCHIP ASAHI KASEI(AKM) ASD ASI Asic 微电子 ASP ASTIGP-MICROCHIP ATC ATMEL ATMEL W&M ATMEL-CUSTOM ATMEL-CUSTOMER ATO AUSTIN AXELITE BELLING BENCHMARQ BERGMICRO BJX BMT BOCH Bookly Micro BRIGHT CATALYST CBC 微电子 CERAMATE CETC58 CFEON CHINGIS CHIPMAST CHIPON CHIPSWINNER CKD 技术 CORERIVER CWI CYGNAL CYPRESS CYROD DALLAS DENSE-PAC DEUTRON EASTSOFT E-CMOS EFST 电子阵列 EMTC EON EOREX ESIGMA ESMT ESTEK E-TRAND EVERSPIN EXCELSEMI EXEL FAIRCHILD FIDELIX FIRST-RANK Technology FORCE TECHNOLOGIES FORWARD FREESCALE Fremont Micro Devices FUDAN FUJITSU GAMMA GATELEVEL GENCORE GENERAL(GI) GENERALPLUS GENERIC GIANTEC GIGADEVICE GOAL GREEN-ENGINE GREENLIANT GREENWICH GTM HAIER HARRIS HITACHI HOLTEK HONGKONG HOPEFIND 华杰科技 HYNIX HYNIX-CUSTOMER HYUNDAI IC Microsystems ICE ICMIC ICSI ICT IDT IK Semiconductor IMT INFINEON INTEGRAL INTEL INTELSIL INTERSIL ISSI JSC K-LINE KODENSHI LATTICE LG LG Semicon LINKSMART LITAO LIZE LUMINARY LYONTEK旺宏电子 MAGNACHIP MAXCOM MAXIM MAXWELL
• Tut6 - 计算陆地宇宙射线位移损伤 - Melanie Raine - CEA • Tut7 - 对 MOL/BEOL TDDB 可靠性的理解和挑战 - Andrew Kim - Intel • Tut8 - GaN 可靠性 - Enrico Zanoni - 帕多瓦大学 • Tut9 - 非硅半导体上的高 K 电介质 - Chadwin Young - 德克萨斯大学 - 达拉斯分校 • Tut10 - 先进的 3D 闪存架构 - Hang Ting Lue - Macronix • Tut11 - 磁共振技术 - Mark Anders - NIST • Tut12 - DRAM 可靠性概述 - Hokyung Park - SK hynix • Tut13 - Si 器件中的热载流子退化 - 从实验观察到精确的物理建模 - Stanislav Tyaginov - IMEC • Tut14 - 先进互连的金属可靠性 - Olalla Varela - IMEC • Tut15 - 汽车 - Andreas Aal – 大众汽车(与 IEW 合作)/ Oliver Aubel - Globafoundries • Tut16 - 4H SiC 金属氧化物半导体场效应晶体管中的可靠性和性能限制缺陷 - Patrick Lenahan - 宾夕法尼亚州立大学 • Tut17 - CMOS 低温电子学的应用和特性 - Pragya Shrestha - NIST • Tut18 - 电子设计自动化 (EDA) 解决方案,用于 CMOS 和 HV 技术中的闩锁验证 - Michael Khazhinsky - Silicon Labs(与 IEW 合作) • Tut19 - EOS、ESD、瞬态、AMR、EIPD、稳健性、老化 - 所有这些部分都属于同一个难题吗? - Hans Kunz - 德州仪器(与 IEW 合作) • Tut20 - 探索 ESD 和
计划委员会:英特尔公司(美国)的Frank E. Abboud; UWE F.W.Behringer,UBC微电子学(德国); Ingo Bork,西门子Eda(美国); Brian Cha,Entegris,Inc。(韩国,共和国); Sandeep Chalamalasetty,Micron Technology,Inc。(美国);三星电子公司Jin Choi(韩国,共和国); Aki Fujimura,D2S,Inc。(美国); Emily E. Gallagher,IMEC(比利时); lasertec USA Inc. Arosha W. Goonesekera(美国); Naoya Hayashi,Dai Nippon Printing Co.,Ltd。(日本); Henry H. Kamberian,Photronics,Inc。(美国); Bryan S. Kasprowicz,美国Hoya Corp.(美国); Eung Gook Kim,E-Sol,Inc。(韩国,共和国); Romain Lallement,IBM Thomas J. Watson Research Ctr。(美国);英特尔公司(美国)Ted Liang; Nihar Mohanty,Meta(美国);肯特·H·纳川(Kent H. Dong-Seok Nam,ASML(美国);高海·奥努(Takahiro Onoue),霍亚公司(Japan)(日本); Danping Peng,TSMC北美(美国); Jed H. Rankin,IBM Corp.(美国);道格拉斯·J·雷斯尼克(Douglas J. Resnick),佳能纳米技术公司(美国); Carl Zeiss Sms Ltd.(以色列)的Thomas Franz Karl Scheruebl; Ray Shi,KLA Corp.(美国); Jaesik Son,SK Hynix System Ic Inc.(韩国,共和国);西门子Eda(美国)的Yuyang Sun; lasertec U.S.A.,Inc。Zweigniederlassung Deutschland(德国)Anna Tchikoulaeva(德国);克莱尔·范·拉尔(Claire Van Lare),荷兰ASML B.V.(荷兰); Yongan Xu,Applied Materials,Inc。(美国); Yamamoto Kei,Fujifilm Corp.(日本); Seung-Hune Yang,三星电子有限公司(韩国,共和国); Nuflare Technology,Inc。(日本)舒斯助Yoshitake; Bo Zhao,Meta(美国); Larry S. Zurbrick,Keysight Technologies,Inc。(美国)