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IAPME研讨会
摘要 与通过强配位或共价键组装的金属有机骨架（MOF）和共价有机骨架（COF）不同，基于非共价相互作用的新型多孔有机分子材料由于其结构单元简单、超分子组装的灵活性而备受关注。非共价π-堆叠有机骨架（πOF）是多孔材料的一个子类，由有机构件通过π-π相互作用自组装形成的晶体网络组成。π-π相互作用和π-离域超分子骨架的柔性、可逆和导电特性赋予πOF有利的属性，包括溶液可加工性、自修复能力、显著的载流子迁移率和优异的稳定性。这些特性使πOF成为气体分离、分子结构测定和电催化等应用的理想选择。自2020年该概念提出以来，πOF的化学和应用都取得了重大进展。未来的研究应侧重于扩大其结构多样性和探索新的应用，特别是在传统多孔材料遇到局限性的领域。[1, 2]。
使用OpenCV，MediaPipe
---------------------------------------------------------------------***--------------------------------------------------------------------- Abstract - Hand gesture recognition offers a natural, touchless method for controlling digital devices, enhancing accessibility and user experience.该项目使用Python，OpenCV和MediaPipe实现虚拟鼠标，通过实时视频提要跟踪手动运动，从而实现了移动，点击和屏幕截图（例如移动，点击和屏幕截图）。利用MediaPipe的预训练的手工标志性模型，该系统确保了准确的手势检测，可为机动性有限或触摸限制环境的用户提供响应式，无提交互。使用虚拟和增强现实，游戏和遥控器中的应用程序，该项目突出了计算机视觉和机器学习的潜力，以提供高效的，无创的人类计算机接口。
IAP 免疫和发育卡
在繁忙的诊所工作中，需要一种简单快捷的方法来评估接受常规干预的儿童的发育情况。为此，我们设计了这张“结合免疫接种卡的新发育评估图表”。应利用常规免疫接种机会，使用此卡对儿童进行发育评估和记录。这是一张非常简单且用户友好的卡片，只需 5 分钟即可完成评估。它可以翻译成当地语言，因此母亲也可以使用它。如果所有医生都使用这张卡，预计可以尽早发现神经发育障碍，一年内发病率将比现在减少 50%。通过尽早发现，可以在地区早期干预中心免费进行早期干预。
IAP Open Annousions 2024
•包容性创新：您的业务必须提供直接受益于低收入社区的产品，服务或模型。•市场重点：您的业务应在柬埔寨，埃塞俄比亚，乌干达或赞比亚开展业务。•商业生存能力：您的创新应超过试点阶段，产生收入，并得到强大的金融系统的支持。•共同投资：企业必须以现金或实物的方式共同投资项目成本的51％。•可持续性和可扩展性：我们寻求具有可持续增长和可扩展影响的业务。•负责任的做法：申请人必须遵守当地法律和道德标准，包括劳动，环境和反腐败实践。
IAPME研讨会
传记G.-M。教授Rignanese是Ecole Polytechnique de Louvain（EPL）的教授和F.R.S.-FNRS的研究主任。他于1994年获得了Catholique de Louvain大学的工程学位和博士学位。在1998年的Catholique de Louvain大学的应用科学中。在博士学位期间，他还曾在PATP（并行应用技术项目），Cray Research与Ecole PolytechniquefédéraledeLausanne（EPFL）的合作中担任软件开发顾问。他在史蒂文·路易（Steven Louie）教授小组的加利福尼亚大学伯克利分校进行了博士后研究。在2003年，他在卢万大学获得了永久职位。在2022年，他被任命为西北（中国）西北理工大学的兼职教授。在2019年，他在电子结构计算领域开发免费的许可软件的原始努力以及在广泛的材料类型中的高通量计算被任命为APS研究员。
IAPME研讨会
传记教授丹芬·李（Danfeng Li）是物理系的相关教授，目前是香港城市大学科学学院研究与研究生教育副院长（Cityuhk）。Li教授获得了几项享有声望的奖项和认可，包括2023年的AAPPS-APCTP Chen-ning Yang奖，氧化物电子电子卓越研究奖，2024年，麻省理工学院技术评论35 Innovators 35 Innovators在2021年35岁以下的创新者（中国），以及Stanford的Stanford列表，以及Stanford的20223年和2023年的20224年。Li教授获得了他的B.Eng。 in jiang University和M.Phil。 来自香港理工大学（顾问：Ji-Yan Dai教授）。 获得博士学位后不久（2016年）在日内瓦大学量子物理学系（顾问：Jean-Marc Triscone教授），他与斯坦福大学一起担任瑞士国家科学基金会博士后研究员，与Harold Hwang教授一起工作。 他于2020年11月加入Cityuhk担任助理教授。Li教授获得了他的B.Eng。in jiang University和M.Phil。来自香港理工大学（顾问：Ji-Yan Dai教授）。 获得博士学位后不久（2016年）在日内瓦大学量子物理学系（顾问：Jean-Marc Triscone教授），他与斯坦福大学一起担任瑞士国家科学基金会博士后研究员，与Harold Hwang教授一起工作。 他于2020年11月加入Cityuhk担任助理教授。来自香港理工大学（顾问：Ji-Yan Dai教授）。获得博士学位后不久（2016年）在日内瓦大学量子物理学系（顾问：Jean-Marc Triscone教授），他与斯坦福大学一起担任瑞士国家科学基金会博士后研究员，与Harold Hwang教授一起工作。他于2020年11月加入Cityuhk担任助理教授。
Haomin歌曲| IAPME
摘要SI是最重要的半导体材料之一，因为它一直是现代电子产品的支柱。但是，由于Si是间接带隙的结果，因此它不广泛用于发光源，因为Si是效率低下的发射极。硅底物上III-V纳米结构的直接外延生长是在硅平台上实现光子设备的最有前途的候选者之一。III-V在Si上的整体整合的主要问题是高密度螺纹位错的形成。TDS的传播将导致IIII-V外部活性区域中非辐射重组中心的高比例。为了停止TD传播，已经应用并在本演示文稿中使用了不同的外延策略，例如INGA（AL）作为应变层，GE缓冲层和图案化的底物。作为零维的材料，量子点（QD）具有三维量子约束，它会产生三角函数，例如状态的密度。因此，III-V QD激光器具有较低的阈值电流，温度不敏感的操作以及对螺纹位错的敏感性较小，这是在III-V型激光器中形成活性区域的理想候选者。自2011年以来，在UCL的寿命和高功率上，已提出并开发了在SI和GE底物上生长的1300-nm INM/GAAS QD激光器。在本演讲中，将汇总在SI平台上单体生长的INAS/GAAS QD激光的开发里程碑，并且还将预测未来几年的潜在趋势。
IAPME研讨会
简历 Tae-Woo Lee 是韩国首尔国立大学材料科学与工程系的教授。他于 2002 年在韩国韩国科学技术院 (KAIST) 获得化学工程博士学位。他于 2002 年加入美国朗讯科技贝尔实验室担任博士后研究员，随后在三星高级技术学院担任研究人员 (2003-2008)。他曾担任韩国浦项科技大学 (POSTECH) 材料科学与工程系助理教授和副教授，直至 2016 年 8 月。他获得过许多宝贵的奖项。他是 280 篇论文的作者和合著者，论文发表在《Science》、《Nature》、《Nature Photonics》、《Nature Nanotechnology》、《Nature Biomedical Engineering》、《Science Advances》、《Nature Communications》、《Joule》、《PNAS》、《Energy and Environmental Science》和《Advanced Materials》等高影响力期刊上。他还是 423 项专利技术的发明人或共同发明人。他目前担任《Advanced Materials》（Wiley）、《FlatChem》（Elsevier）、《EcoMat》（Wiley）、《Chem & Bio Engineering》（ACS）、《Materials Today Electronics》（Elsevier）、《Nano Convergence》（Springer）和《Semiconductor Science and Technology》（IOP）等期刊的编委会成员，以及《Organic Electronics》（Elsevier）的副主编。他的研究重点是有机、有机-无机杂化钙钛矿和碳材料，以及它们在柔性电子、印刷电子、显示器、固态照明、太阳能转换设备和仿生神经形态设备中的应用。