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IAPME研讨会
摘要圆形极化光（CPL）的全范围，高敏性和可集成检测对于量子信息处理，高级成像系统和光学传感技术至关重要。然而，主流CPL探测器依赖手性吸收材料，因此响应波长有限，反应性低和辨别比不良。在这里，我们通过利用山谷材料观察手性光动量（SAM），提出了手性光检测器。精心设计的中心对称地材料可以保留光学SAM的迹象并高度增强其在近场的强度，作为一种将极化电子注入山谷材料的介质，然后通过Valley Hall效应检测到。这可以通过Valleytronic晶体管在室温下在室温下进行高灵敏度红外CPL检测，并且检测波长扩展到红外线。这种方法为手性光检测打开了途径，并提供了对光电传感中valleytronics潜在应用的见解。
Haomin歌曲| IAPME
摘要SI是最重要的半导体材料之一，因为它一直是现代电子产品的支柱。但是，由于Si是间接带隙的结果，因此它不广泛用于发光源，因为Si是效率低下的发射极。硅底物上III-V纳米结构的直接外延生长是在硅平台上实现光子设备的最有前途的候选者之一。III-V在Si上的整体整合的主要问题是高密度螺纹位错的形成。TDS的传播将导致IIII-V外部活性区域中非辐射重组中心的高比例。为了停止TD传播，已经应用并在本演示文稿中使用了不同的外延策略，例如INGA（AL）作为应变层，GE缓冲层和图案化的底物。作为零维的材料，量子点（QD）具有三维量子约束，它会产生三角函数，例如状态的密度。因此，III-V QD激光器具有较低的阈值电流，温度不敏感的操作以及对螺纹位错的敏感性较小，这是在III-V型激光器中形成活性区域的理想候选者。自2011年以来，在UCL的寿命和高功率上，已提出并开发了在SI和GE底物上生长的1300-nm INM/GAAS QD激光器。在本演讲中，将汇总在SI平台上单体生长的INAS/GAAS QD激光的开发里程碑，并且还将预测未来几年的潜在趋势。
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[59] D. Tua，R。Liu，W。Yang，L。Zhou，H。Song，L。Ying，Q. Gan，基于等离子体的“ Rainbow”芯片，用于双功能智能光谱仪，电磁研究旨在介绍的进展，2024年4月，邀请演讲）。[58] S. dang，Y。Tian，H。H. Almahfoudh，H。Song，O。M. Bakr，B。S. Ooi，Q。Gan，Qu. Gan，地面辐射冷却，用于高功率LED灯，电磁研究研讨会的进展，2024年4月2024年4月。[57] L.[56] D. Tua，R。Liu，L。Zhou，W。Yang，H。Song，L。Ying，Q. Gan，用于智能光谱仪的等离子“ Rainbow”芯片，Cleo 2023，STH3R.5。[55] L. Zhou，H。Song，Q. Gan，等离子“ Rainbow”用于超分辨率位移光谱分析和表面生物传感，CLEO 2023，FF1C.3。[54] J. Rada, H. Hu, L. Zhou, J. Zeng, H. Song , X. Zeng, S. Shimul, W. Fan, Q. Zhan, W. Li, L. Wu, Q. Gan, Microscale concave interfaces for reflective displays generate concentric rainbows, Frontiers in Optics 2022, JTu5B.49。[53] Y. Liu，N。Zhang，D。Tua，Y。Y.2。[52] L. Zhou，J。Rada，H。Zhang，H。Song，B。S。Ooi，Q. Gan，可持续多孔的多孔聚二甲基硅氧烷，用于有效的辐射冷却，Cleo 2022，JW3A。10。5。[51] L. Zhou，H。Song，N。Zhang，J。Rada，M。H. Signer，Q。Gan，Q。Gan，一种双面辐射冷却结构，具有创纪录的局部冷却功率密度为270 W/m 2，Cleo 2021，JW2G，JW2G。[50] Y. Liu，H。Song，M。H. Singer，C。Li，D。Ji，L。Zhou，N。Zhang，N。Zhang，Z。Bei，Q。Gan，Q。Gan，Black Tio 2 on Nanopororoloordorordololololololtorquentrates，用于改进太阳能蒸气生成，Cleo 2020，AF3N.6。[49] L. Zhou，H。Song，J。N. Rada，M。H. Singer，H。Zhang，B。S. Ooi，Z。Yu，Q. Gan，spectrassival-spectry-seption-seplective镜子，用于双层辐射冷却，Cleo 2020，2020年，AF3N.5。[48][47] H. Song，W。Wei，J。Liang，P。Maity，O。F. Mohammed，B。S. Ooi，D。Liu，D。Liu，Q. Gan，使用超薄TIO TIO 2光催化膜在纳米腔的纳米腔上降低了CO 2，Cleo 2019，Ath1i.3。[46] L.
第 6 期 - 2024 年 10 月 30 日 - iapme
10.48550/arXiv.2410.06489。[2023 IF=14.7] 孙鹏展教授、Andre Geim 教授、Marcelo Lozada-Hidalgo 教授和郝光平教授为本论文的通讯作者，第一作者为IAPME 博士生季宇博士。该研究得到澳门特别行政区科学技术发展基金（FDCT，0063/2023/RIA1）、国家自然科学基金（NSFC，52322319）、澳大研究补助金（SRG2022-00053-IAPME）、澳大及马里兰大学基金会研究补助金（MYRG-GRG2023-00014-IAPME- UMDF）、欧洲研究理事会（补助金 VANDER）、英国劳氏基金会（补助金 Designer Nanomaterials）、英国研究与创新局（EP/X017745：ML-H）、英国皇家学会（URF\R1\201515：ML-H.）及哈利法大学石墨烯及二维材料研究与创新中心指导研究项目计划（RIC2D-D001：ML-H. 和 AKG）的支持。
第一期 - 2024 年 9 月 25 日 - iapme
郭佳博士、陈睿教授和幸贵川教授为本论文的通讯作者，第一作者为IAPME中心博士生俞宣池。该研究得到澳门特别行政区科学技术发展基金（档案编号：FDCT-0082/2021/A2、0010/2022/AMJ、006/2022/ALC）、澳大研究基金（档案编号：MYRG2022-00241-IAPME、MYRG-CRG2022-00009-FHS）、五邑大学研究基金（EF38/IAPME-XGC/2022/WYU）、国家自然科学基金（61935017、62175268）和深圳市科技创新委员会（项目编号：JCYJ20220530113015035、JCYJ20210324120204011、KQTD2015071710313656）的支持。
Yongqing Cai 蔡永青 - iapme
代表论文： 1. Yongqing Cai、Gang Zhang、Yong-Wei Zhang，单层 MoS 2 纳米带中极性反转的稳健载流子迁移率。J. Am. Chem. Soc. 136, 6269−6275 (2014)（ISI 统计的化学类高被引论文） 2. Yongqing Cai、Qingqing Ke、Gang Zhang、Boris I. Yakobson 和 Yong-Wei Zhang，磷烯中的高度流动原子空位。J. Am. Chem. Soc. 138, 10199-10206 (2016) 3. Yongqing Cai、Qingqing Ke、Gang Zhang、Yuan Ping Feng、Vivek B. Shenoy 和 Yong-Wei Zhang，磷烯的巨大声子各向异性和不寻常的非谐性：层间耦合和应变工程。Adv. Funct. Mater. 25, 2230-2236 (2015) (被选为期刊封面) 4. 袁家仁, 陈元平, 谢月娥, 张晓宇, 饶德伟, 郭彦东, 严晓红*, 冯元平*, 蔡永清*, 过渡金属二硫属化物中具有可调谐 Kubo 能隙和电荷注入的挤压金属液滴。过程。国家。阿卡德。科学。 USA 117, 6362-6369 (2020) 5. Devesh R. Kripalani、Yongqing Cai*、Jun Lou 和 Kun Zhou*，强边缘应力
