在室温下制备 p 型氧化锡 (SnO) 薄膜对传统方法提出了重大挑战,这主要是由于 SnO 的电各向异性和亚稳态。由于这种各向异性,在 SnO 中产生具有最佳迁移率的有效空穴载流子需要细致的热退火,但这受到 SnO 亚稳态的制约。在这项工作中,我们采用离子束辅助沉积 (IBAD) 在室温下制备 p 型 SnO 薄膜。这些薄膜具有纳米晶结构,表现出良好的电学性能,霍尔迁移率为 2.67 cm2V-1s-1,空穴浓度为 5.94×1017cm-3,尤其是无需退火处理。我们的研究揭示了霍尔迁移率和载流子浓度随 IBAD 过程中氩气流量变化而呈现的独特火山形趋势。这种关系与薄膜的光学性质、结构相和化学状态的变化相关,对于理解室温制备的 SnO 薄膜中 p 型导电性的起源至关重要——这一主题在当前文献中仍未得到解决。我们观察到迁移率增强与晶格无序性降低之间存在直接相关性,而空穴载流子浓度增加与氧间隙形成之间存在很强的相关性。我们还强调,中间相组成在确定 SnO 薄膜的无序程度方面起着至关重要的作用,这对于创建传输路径和空穴载流子形成所需的氧环境至关重要。这些见解有助于指导室温制备的 p 型 SnO 薄膜的设计和表征,从而推动大面积柔性电子领域的进步。
由英国机械工程师学会 NEDUET 学生分会主办。在活动中,参与者必须设计、制造并最终驾驶一架无人机。活动包括研讨会、参与者的口试和电子测试以及手工制作的飞机的实际飞行演示。决赛于 2021 年 7 月 10 日星期六在卡拉奇大学足球场举行。学生分会感谢 NED 大学尊敬的副校长 Sarosh Hashmat Lodi 博士和副校长 Muhammad Tufail 教授对学生课外活动的一贯支持。在 NED 大学机械工程系助理教授 Tariq Jamil 博士的指导下,英国机械工程师学会 NED 学生分会团队日夜操劳,确保活动取得成功。特别感谢英国机械工程师学会 NED 分会的活动学生领袖 Ibad Ghouri 先生、Anas Azeem 先生、Ali Farooqui 先生和 Mohib Khalid 先生。组织团队还对机械工程系技术员穆罕默德·谢里夫 (Muhammad Sharif) 的努力表示感谢,他投入时间并帮助学生在大学木工车间完成制造过程。