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World File Search SystemIC
MC33771C-电池电池控制器IC
•9.6V≤VpWr≤63V操作，75 V瞬态•7至14个单元管理•隔离的2.0 Mbps差分通信或4.0 Mbps SPI•可解决初始化时可解决•双向收发剂•双向收发器•双向收发器支持多达63个节点，最多63个节点链中的链条•0.8 mV的总尺度•AN量•AN量•AN量•AN量•AN量•AN量•同步量•同步•同步，同步•同步量，电压测量•总堆栈电压测量•七个GPIO/温度传感器输入•5.0 V时5.0 V时，参考供应输出•自动超过/欠电压和温度检测可通向故障销钉的可路由到故障销钉•超电压和不足的睡眠模式•集成的不足和温度监控•在板上和外部插件的插件和外部插件•在型号和外部插件••置于诊断的空间•，••置于诊断的空间•，•••随着诊断的漏洞•，•随着诊断的启动•，•随着诊断的启动•，•随着诊断的启动•，•随着诊断的开放式孔，•随着诊断的开放式，•随着诊断的开放式漏洞，•随着临床的开放率，• 26262，直至ASIL D安全系统。•符合AECQ-100
线性和数字 IC 应用 - IARE
< 100 活跃 100-1000 1000- >100000 超过 1 个设备活跃 100000 个活跃 百万个设备活跃 设备活跃 设备设备集成电阻器、二极管和 BJT
技术硕士（集成电路设计与技术）
本课程旨在传授使用 CMOS 和最新设备技术进行数字 VLSI 电路设计的基本概念知识，重点是使用 ECAD/CAD 工具进行“动手”IC 设计。重点是用于处理器、信号和内存以及外围设备等应用的超高速、高密度或低功耗电路的电路设计、优化和布局。将特别关注当今和未来十年数字电路设计师面临的最重要挑战，即缩放、深亚微米效应、互连、信号完整性、功率分配和功耗对节能和 PVT 感知实时应用的影响。学生应该能够根据当前学术界和 VLSI 行业的需求，将其电子和工程知识应用于 CMOS 集成电路和数字 VLSI 设计中。
S-821AA系列电池保护IC
本 IC 是锂离子 / 锂聚合物充电电池的高端保护 IC，包含高精度电压检测电路、延迟电路和三重升压充电泵，用于驱动外部充电 / 放电 FET。适用于保护 1 节锂离子 / 锂聚合物充电电池组免受过充电、过放电和过电流的影响。通过使用外部过电流检测电阻，本 IC 实现了高精度过电流保护，且受温度变化的影响较小。 特点 ● 高精度电压检测电路 过充电检测电压 3.500 V ～ 4.800 V (5 mV 进阶) 精度±15 mV 过充电解除电压 3.100 V ～ 4.800 V *1 精度±50 mV 过放电检测电压 2.000 V ～ 3.000 V (10 mV 进阶) 精度±50 mV 过放电解除电压 2.000 V ～ 3.400 V *2 精度±75 mV 放电过电流 1 检测电压 -3 mV ～ -100 mV (0.25 mV 进阶) 精度±1 mV 放电过电流 2 检测电压 -6 mV ～ -100 mV (0.5 mV 进阶) 精度±3 mV 负载短路检测电压 -20 mV ～ -100 mV (1 mV 进阶) 精度±5 mV 充电过电流检测电压3 mV ～ 100 mV（0.25 mV 进阶） 精度±1 mV 0 V 电池充电禁止电池电压 1.45 V ～ 2.00 V *3（50 mV 进阶） 精度±50 mV ● 过热检测功能：有、无 ● 带外置 NTC 热敏电阻的高精度温度检测电路（阻值：25°C 时 100 kΩ±1% 或 470 kΩ±1%，B 常数：±1%） 过热检测温度 +65°C ～ +85°C（5°C 进阶） 精度±3°C 过热释放温度 +55°C ～ +80°C（5°C 进阶）*4 精度±5°C ● 内置电荷泵：三重升压（调节电压 = V DD + 4.2 V） ● 检测延迟时间仅由内部电路产生（不需要外置电容器）。 ● 放电过电流控制功能 放电过电流状态的解除条件 : 断开负载、连接充电器 ● 0 V 电池充电 : 允许、禁止 ● 休眠功能 : 有、无 ● 省电功能 : 有、无 ● PS 端子内部电阻连接 通常状态下 : 上拉、下拉 省电状态下 : 上拉、下拉 ● PS 端子内部电阻值 : 1 MΩ ～ 10 MΩ (1 MΩ 进阶单位) ● PS 端子控制逻辑 : 动态 "H"、动态 "L" ● 高耐压 : VM 端子、CO 端子和 DO 端子 : 绝对最大额定值 28V ● 宽工作温度范围 : Ta = -40°C ～ +85°C ● 低消耗电流 工作时 : 6.0 µA 典型值、10 µA 最大值 (Ta = +25°C) 休眠时 : 50 nA 最大值 (Ta = +25°C) 过放电时 : 1.0 µA 最大值(Ta = +25°C) 省电时：50 nA（最大值） (Ta = +25°C) ● 无铅、Sn100%、无卤素 *5
数字电视调谐器 IC - Octopart
DBT 封装 • 集成混频器/振荡器/PLL（顶视图） • VHF-L、VHF-H、UHF 3 频段本地振荡器 • RF AGC 检测器电路 • I 2 C 总线协议双向数据传输 • 高压调谐电压输出 • 四个 NPN 型频段开关驱动器 • 一个辅助端口/5 级 ADC • 晶体振荡器输出 • 可编程参考分频器比 (24/28/32/64/80/128) • 可选数字 IFOUT 和模拟 IFOUT • 待机模式 • 5V 电源 • 38 引脚薄型小外形封装 (TSSOP)
避免 IC 互连中因迁移而导致的故障
摘要 — 迁移引起的金属互连性能下降日益威胁着集成电路的可靠性。迁移导致的故障风险不仅在每个新技术节点中都在上升，而且还制约着互连结构的小型化。除了直流线路（例如供电网络）、信号和时钟线路也日益因迁移而性能下降。本文总结了我们目前在避免迁移引起的集成电路故障方面的知识。在介绍和讨论迁移机制之后，我们将重点关注日益增长的电迁移敏感性和热迁移日益增加的影响。展望未来，我们将回顾将迁移约束和缓解措施纳入布局综合的新型 IC 设计策略。索引术语 — 电迁移、应力迁移、热迁移、可靠性、物理设计、迁移稳健性
mifare duox非接触式智能卡IC
• Flexible application management on the IC – Flexible file system offering the user free definition of application and file structures on the PICC – Amount of applications is not limited: applications can be created as long as there is free user memory available on the PICC – Shared application management allows to access files from any two applications during a single transaction if access rights are configured accordingly • Flexible and dynamic file management inside the applications – Amount of files per application is set to 32: up to 32 files can be created in each application – Availability of 6 file types: Standard Data file, Backup Data file, Value file, Linear Record file, Cyclic Record file and Transaction MAC file – File size is determined during the file creation (exception for Transaction MAC file) • Delegated Application Management feature allows smart management of multiple applications per smartcard shared by different entities – Memory can be re-used in delegated applications (via formatting the complete delegated application) – Factory loaded NXP's Delegated Application Management （DAM）远程应用程序管理服务支持的键
bq2054锂离子快速电荷ic
v单元，以检测电池的主机或没有电池。BQ2054确定当V单元格在高压截止（V HCO = V reg + 0.25V）和低压截止（V LCO = 0.8V）之间时，存在电池。当V单元不在此范围之外时，BQ2054确定不存在蝙蝠并过渡到断层状态。对V LCO和V HCO之间的范围内和范围内被视为电池插入和拆卸，并具有分解。V HCO限制也隐式用作超电压终止。
IC RCOI 尽职调查报告
Microchip Technology 每月更新此报告，以反映我们对供应链中不合格冶炼厂和感兴趣冶炼厂的当前外展状态。Microchip 每年完成两个正式的合理原产国 (RCOI) 周期。第一个周期从 1 月开始，目标是在 4 月底完成。这个周期反映了上一年（1 月至 12 月）的调查结果，并作为我们美国证券交易委员会 (SEC) 要求的 CMR 和 SD 表格备案的基础，该备案于当年 5 月提交。第二个周期从 7 月开始，目标是在 10 月底完成，CMRT 发布日期为 11 月，反映当年内的冶炼厂变化。我们最新的 CMRT 日期为 2024 年 12 月 18 日。如果 SOR 未能配合 RMI 的负责任矿产保证流程 (RMAP) 或被从中剔除，我们会积极努力将其从我们的集成电路供应链中剔除。 Microchip 与冶炼厂没有直接贸易关系，必须依赖我们的供应链合作伙伴。当我们收到不合格冶炼厂已从我们的供应链中移除的确认后，我们将更新我们的 CMRT。有关 Microchip 的 RCOI 的更多信息，请访问：我们的供应链。Microchip 供应链状态：
先进IC封装及材料趋势
第一章 概要 1. 异质集成封装整体趋势 /2 2. 异质集成封装市场规模预测 /3 3. 类2.5D封装市场趋势 /4 4. FO-WLP/PLP市场趋势 /6 5. IC采用异质集成封装现状 /11 6. 主要IC技术路线图 /13 7. 异质集成封装技术路线图 /14 8. 封装材料市场趋势 /15 9. 介电材料市场趋势 /20 10. 主要材料供应链 /25