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ICNSBT 2025
助理教授，IT，HIT，Haldia教授和HOD，IT，HIT，HALDIA HALDIA理工学院是西孟加拉邦的第一个私人和认可的学术机构餐饮技术教育。该研究所成立于1996年在印度东部的工业中心Haldia成立。自成立以来，Haldia技术研究所致力于在工程，技术和社会科学的各种学科中创造高训练的专业人力的目标。该研究所还致力于技术领域的高级科学研究以及应用科学的贡献。
ICNS-14 参与者统计
ED1-2 （ 口头 ） 14:45 - 15:00 通过掺杂分布工程提高 p-GaN 栅极 HEMT 的稳健性 Matteo Borga 1 , Niels Posthuma 1 , Anurag Vohra 1 , Benoit Bakeroot 2 , Stefaan Decoutere 1 1 比利时 imec，2 比利时 imec、CMST 和根特大学 ED1-3 （ 口头 ） 15:00 - 15:15 在低 Mg 浓度 p-GaN 上使用退火 Mg 欧姆接触层的横向 p 型 GaN 肖特基势垒二极管 Shun Lu 1 , Manato Deki 2 , Takeru Kumabe 1 , Jia Wang 3,4 , Kazuki Ohnishi 3 , Hirotaka Watanabe 3 , Shugo Nitta 3 , Yoshio Honda 3 , Hiroshi Amano 2,3,4 1 日本名古屋大学工程研究生院、2 日本名古屋大学深科技系列创新中心、3 日本名古屋大学可持续发展材料与系统研究所、4 日本名古屋大学高级研究所 ED1-4（口头） 15:15 - 15:30 高 VTH E 模式 GaN HEMT 具有强大的栅极偏置相关 VTH 稳定性掺镁 p-GaN 工程 吴柯乐 2 , 杨元霞 2 , 李恒毅 2 , 朱刚廷 2 , 周峰 1 , 徐宗伟 1 , 任方芳 1 , 周东 1 , 陈俊敦 1 , 张荣 1 , 窦友正 1 , 海陆 1 1 南京大学, 中国, 2 科能半导体有限公司, 中国 ED1-5 （口头报告） ） 15:30 - 15:45 EID AlGaN/GaN MOS-HEMT 中 Al 2 O 3 栅氧化膜下的电子态分析 Takuma Nanjo 1 , Akira Kiyoi 1 , Takashi Imazawa 1 , Masayuki Furuhashi 1 , Kazuyasu Nishikawa 1 , Takashi Egawa 2 1 Mitsubishi electric Corporation, Japan, 2 Nagoya Inst.日本科技大学
福冈 ICNS-14
ICNS-14 将展示基于 III 族氮化物半导体的材料和器件方面具有重大影响的科学和技术进展，并设有全体会议、平行专题会议、海报会议和工业展览。自 1995 年第一届 ICNS 以来的二十五年多时间里，ICNS 为氮化物半导体研究人员提供了一个交流信息的绝佳论坛。我希望这次会议也能为您提供一个宝贵的机会，与来自世界各地的同事交流想法和见解，并享受福冈的文化和热情好客。福冈还以其美味的食物而闻名，例如拉面、内脏锅、明太子和汆锅。在与老朋友讨论半导体的同时，享受提供各种食物和饮料的小吃摊的独特氛围如何？我希望您在福冈度过美好的时光并留下难忘的回忆。