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可持续的标志性建筑...- icade
巴黎 - 拉德斯不仅仅是商业区。带有办公室，房屋，绿色空间，文化设施和各种类型的酒店，这是工作和游戏的理想场所。大巴黎的这个必看社区已促使纳米特尔变成一个创新，可持续和宜居的城市。Origine在战略上是位置，可以访问许多公共交通网络（RER A，RER E，Grand Paris Express第15行）。距离巴黎拉德森竞技场（Paris ladéfense）竞技场仅一箭之遥，原始综合体是纳米特尔（Nanterre-Préfector）吸引这么多人的原因之一。此外，Edenn建筑将很快由ICADE在同一地区建造。它还将在灵活性，中央位置，一流的CSR方法和便利设施方面以各种方式满足用户期望。
使用封闭式操作员网络（ICON）迈向大型科学学习模型
列表的19种类型问题，包括前进和逆ODE，PDE和均值场控制问题。用单个模型解决。培训：每种问题类型的1000个操作员，每个操作员有100个示例。测试：其他操作员，在提示中最多只有5个示例。7
图标-GTSD -2.0（2024）
DR。 H. M.Desai，Dharmsinh Desai University（DDU）的副校长H. M.Desai，Nadiad。 先生纳迪亚德博士Dharmsinh Desai大学校园主任Ankur Desai纳德（D. Tejal Soni，院长，DDU的药学学院，纳德。 DR。 P. A. Joshi，前主席主持人学院和DDU化学工程系教授，Nadiad Dr. B. N. Suhagia，院长，DDU，NADIAD ENGINEERING，NADIAD DR. DDU教授GTSD副教授Vimal G. Gandhi。 DDU博士化学工程系GTSD副教授Mihir P. Shah纳杜德DDU化学工程系助理教授Anand Tiwari。 教授纳杜德DDU化学工程系助理教授Siddharth Modi。 DR。美国佛罗里达大学Dinesh O. Shah。 DR。 Hyunook Kim，韩国首尔大学。 DR。 Chuanyi Wang，Shaanxi科学技术大学，中国博士R. V. Jasra，Reliance Technology Group，Indian Dr.阿联酋阿联酋大学的穆纳瓦尔·谢赫（Munawar Shaikh）博士Alessandro Di Prtero，法国图鲁斯大学博士T. M. Rabiul Islam，澳大利亚塔斯马尼亚大学。 DR。 Syed Mohammad Tauseaf，Upes，Dehradun，印度Dr.印度博帕尔国家理工学院国家理工学院Sundar Lal Pal博士Shailendra Bajpai，印度Jalandhar国家理工学院Nitin Padhiyar，部门 印度IIT-Gandhinagar化学工程。DR。 H. M.Desai，Dharmsinh Desai University（DDU）的副校长H. M.Desai，Nadiad。先生纳迪亚德博士Dharmsinh Desai大学校园主任Ankur Desai纳德（D. Tejal Soni，院长，DDU的药学学院，纳德。DR。 P. A. Joshi，前主席主持人学院和DDU化学工程系教授，Nadiad Dr. B. N. Suhagia，院长，DDU，NADIAD ENGINEERING，NADIAD DR. DDU教授GTSD副教授Vimal G. Gandhi。 DDU博士化学工程系GTSD副教授Mihir P. Shah纳杜德DDU化学工程系助理教授Anand Tiwari。 教授纳杜德DDU化学工程系助理教授Siddharth Modi。 DR。美国佛罗里达大学Dinesh O. Shah。 DR。 Hyunook Kim，韩国首尔大学。 DR。 Chuanyi Wang，Shaanxi科学技术大学，中国博士R. V. Jasra，Reliance Technology Group，Indian Dr.阿联酋阿联酋大学的穆纳瓦尔·谢赫（Munawar Shaikh）博士Alessandro Di Prtero，法国图鲁斯大学博士T. M. Rabiul Islam，澳大利亚塔斯马尼亚大学。 DR。 Syed Mohammad Tauseaf，Upes，Dehradun，印度Dr.印度博帕尔国家理工学院国家理工学院Sundar Lal Pal博士Shailendra Bajpai，印度Jalandhar国家理工学院Nitin Padhiyar，部门 印度IIT-Gandhinagar化学工程。DR。 P. A. Joshi，前主席主持人学院和DDU化学工程系教授，Nadiad Dr. B. N. Suhagia，院长，DDU，NADIAD ENGINEERING，NADIAD DR. DDU教授GTSD副教授Vimal G. Gandhi。 DDU博士化学工程系GTSD副教授Mihir P. Shah纳杜德DDU化学工程系助理教授Anand Tiwari。教授纳杜德DDU化学工程系助理教授Siddharth Modi。 DR。美国佛罗里达大学Dinesh O. Shah。 DR。 Hyunook Kim，韩国首尔大学。 DR。 Chuanyi Wang，Shaanxi科学技术大学，中国博士R. V. Jasra，Reliance Technology Group，Indian Dr.阿联酋阿联酋大学的穆纳瓦尔·谢赫（Munawar Shaikh）博士Alessandro Di Prtero，法国图鲁斯大学博士T. M. Rabiul Islam，澳大利亚塔斯马尼亚大学。 DR。 Syed Mohammad Tauseaf，Upes，Dehradun，印度Dr.印度博帕尔国家理工学院国家理工学院Sundar Lal Pal博士Shailendra Bajpai，印度Jalandhar国家理工学院Nitin Padhiyar，部门 印度IIT-Gandhinagar化学工程。教授纳杜德DDU化学工程系助理教授Siddharth Modi。DR。美国佛罗里达大学Dinesh O. Shah。 DR。 Hyunook Kim，韩国首尔大学。 DR。 Chuanyi Wang，Shaanxi科学技术大学，中国博士R. V. Jasra，Reliance Technology Group，Indian Dr.阿联酋阿联酋大学的穆纳瓦尔·谢赫（Munawar Shaikh）博士Alessandro Di Prtero，法国图鲁斯大学博士T. M. Rabiul Islam，澳大利亚塔斯马尼亚大学。 DR。 Syed Mohammad Tauseaf，Upes，Dehradun，印度Dr.印度博帕尔国家理工学院国家理工学院Sundar Lal Pal博士Shailendra Bajpai，印度Jalandhar国家理工学院Nitin Padhiyar，部门 印度IIT-Gandhinagar化学工程。DR。美国佛罗里达大学Dinesh O. Shah。DR。 Hyunook Kim，韩国首尔大学。 DR。 Chuanyi Wang，Shaanxi科学技术大学，中国博士R. V. Jasra，Reliance Technology Group，Indian Dr.阿联酋阿联酋大学的穆纳瓦尔·谢赫（Munawar Shaikh）博士Alessandro Di Prtero，法国图鲁斯大学博士T. M. Rabiul Islam，澳大利亚塔斯马尼亚大学。 DR。 Syed Mohammad Tauseaf，Upes，Dehradun，印度Dr.印度博帕尔国家理工学院国家理工学院Sundar Lal Pal博士Shailendra Bajpai，印度Jalandhar国家理工学院Nitin Padhiyar，部门 印度IIT-Gandhinagar化学工程。DR。 Hyunook Kim，韩国首尔大学。DR。 Chuanyi Wang，Shaanxi科学技术大学，中国博士R. V. Jasra，Reliance Technology Group，Indian Dr.阿联酋阿联酋大学的穆纳瓦尔·谢赫（Munawar Shaikh）博士Alessandro Di Prtero，法国图鲁斯大学博士T. M. Rabiul Islam，澳大利亚塔斯马尼亚大学。 DR。 Syed Mohammad Tauseaf，Upes，Dehradun，印度Dr.印度博帕尔国家理工学院国家理工学院Sundar Lal Pal博士Shailendra Bajpai，印度Jalandhar国家理工学院Nitin Padhiyar，部门 印度IIT-Gandhinagar化学工程。DR。 Chuanyi Wang，Shaanxi科学技术大学，中国博士R. V. Jasra，Reliance Technology Group，Indian Dr.阿联酋阿联酋大学的穆纳瓦尔·谢赫（Munawar Shaikh）博士Alessandro Di Prtero，法国图鲁斯大学博士T. M. Rabiul Islam，澳大利亚塔斯马尼亚大学。DR。 Syed Mohammad Tauseaf，Upes，Dehradun，印度Dr.印度博帕尔国家理工学院国家理工学院Sundar Lal Pal博士Shailendra Bajpai，印度Jalandhar国家理工学院Nitin Padhiyar，部门 印度IIT-Gandhinagar化学工程。DR。 Syed Mohammad Tauseaf，Upes，Dehradun，印度Dr.印度博帕尔国家理工学院国家理工学院Sundar Lal Pal博士Shailendra Bajpai，印度Jalandhar国家理工学院Nitin Padhiyar，部门印度IIT-Gandhinagar化学工程。印度IIT-Gandhinagar化学工程。博士Chetinad研究与教育学院博士Wan-Hyuy Nguny Bhavesh Bharatiya，Deutsches Elektronen Synchrotron Dr. Avinash Deshmukh教授Nirav Bhavsar教授。 Hitesh Panchal教授Dhrumil Gandhi教授Niraj Nair教授JayDeep Jivani
垂直网格间距对图标 - 苏普郡全球风暴分辨模型中的气候的影响
摘要。与耦合模型对立面项目（CMIP）中通常使用的气候模型相比，全球风暴解析模型（GSRMS）使用强烈的水平网格，但采用了可比的垂直网格间距。在这里，我们研究了垂直网格间距的变化以及对整合时间步骤的调整如何影响图标 - 苏普郡大气GSRM模拟的基本气候数量。在45 d期间对五个不同的垂直网格进行进行模拟，分别为55至540个垂直层和最大对流层垂直网格间距，分别为800至50 m。 将垂直网格间距变化的影响与将水平网格间距从5公里降低到2.5 km的效果。 对于所考虑的大多数数量，将垂直网格间距减半比将水平网格间距减半的效果较小，但不可忽略。 垂直网格间距的每个截止时间，以及时间步长的必要减少，将云液体水增加约7％，而将水平网格间距减半约为16％。 效果既是由于垂直网格的修复和时间步长还原引起的。 在这里测试的网格间距范围内没有收敛的趋势。 云冰的数量也很折磨，并在垂直网格中进行了重新编写，但几乎不受时间步长的影响，并且确实显示出趋势进行模拟，分别为55至540个垂直层和最大对流层垂直网格间距，分别为800至50 m。将垂直网格间距变化的影响与将水平网格间距从5公里降低到2.5 km的效果。对于所考虑的大多数数量，将垂直网格间距减半比将水平网格间距减半的效果较小，但不可忽略。垂直网格间距的每个截止时间，以及时间步长的必要减少，将云液体水增加约7％，而将水平网格间距减半约为16％。效果既是由于垂直网格的修复和时间步长还原引起的。在这里测试的网格间距范围内没有收敛的趋势。云冰的数量也很折磨，并在垂直网格中进行了重新编写，但几乎不受时间步长的影响，并且确实显示出趋势
研究硅P-i-n光电二极管的电荷载体收集系数†
本文研究了硅P-I-N光二极管中少数荷载载体的收集系数以及某些技术因素对其的影响。已经发现，由于光生荷载体的收集面积随着这些参数的增加而增加，因此少数荷载体的扩散长度和材料的电阻率对收集系数的值有显着影响。还发现，增加光电二极管收集系数的有效方法是确保光电二极管的高阻力区域的厚度等于少数荷载体的扩散长度的总和和空间电荷区域的宽度。研究了掺杂剂浓度对响应性和收集系数的影响。发现，与计算出的数据相反，在实验数据中，收集系数随着磷和硼浓度的浓度而增加，并且杂质的响应率降低，杂质的浓度降低，收集系数的降低是由于杂物的程度降低，而造成较小的范围较小的延伸率，而造成较小的频率延伸的速度延伸，并且频率降低了范围的延伸范围。关键字：硅； photodiode;反应性； tharge tomerclection;屏障容量PAC：61.72。ji，61.72.lk，85.60.dw
印度半导体的全面研究
导电性介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。它们可能是纯物质，如硅或锗，也可能是混合物，如镓、砷或硒化镉。半导体用于各种常用的数码产品，包括手机、数码相机、电视、洗衣机、冰箱和 LED 灯，从而构成了经济的支柱。现代汽车、家用电器、重要医疗设备等都包含半导体芯片。寻求各种基本机器对半导体的需求世界各国政府都在加大对芯片的投资。各国政府通过了多项与本国芯片生产相关的法案，以鼓励和支持本国的半导体制造和研究。印度还通过了许多计划和方案来商业化和增加半导体行业产出，这将有助于我们高度关注“数字印度”。
半导体技术工程硕士（1年）
NE 221 高级 MEMS 封装本课程旨在让学生为攻读 MEMS 和电子封装等更专业领域的高级课题做好准备，这些领域适用于各种实时应用，如航空航天、生物医学、汽车、商业、射频和微流体等。MEMS – 概述、小型化、MEMS 和微电子 -3 个级别的封装。关键问题，即接口、测试和评估。封装技术，如晶圆切割、键合和密封。设计方面和工艺流程、封装材料、自上而下的系统方法。不同类型的密封技术，如钎焊、电子束焊接和激光焊接。带湿度控制的真空封装。3D 封装示例。生物芯片/芯片实验室和微流体、各种射频封装、光学封装、航空航天应用封装。先进和特殊封装技术 - 单片、混合等、绝对压力、表压和差压测量的传感和特殊封装要求、温度测量、加速度计和陀螺仪封装技术、MEMS 封装中的环境保护和安全方面。可靠性分析和 FMECA。媒体兼容性案例研究、挑战/机遇/研究前沿。NE 235 微系统设计和技术
半导体对未来技术的影响：
作为代表当今技术水平的众多电子系统和技术的支柱，半导体在提升工业发展水平方面发挥着至关重要的作用。本分析报告探讨了半导体对未来发展的巨大影响，还研究了最终塑造半导体行业的主要案例、挑战和可能的切入点。该研究以真实的半导体发展图为起点，重点介绍了推动该行业发展的创新成就。随后，它深入研究了半导体发展的现状，研究了材料、设计模型、生产线周期方面的最新进展。硅光子学、神经形态计算和量子处理等新兴趋势得到了特别关注。
外层空间应用的硅胶粘合剂
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