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NSIL 和 IN-SPACe 与 M/S ICON Design 签署 ToT 协议
终端” 班加罗尔，2024 年 1 月 29 日：印度政府 (GoI) 太空部 (DoS) 下属公司和印度空间研究组织的商业部门 NewSpace India Limited (NSIL) 与印度国家空间促进和授权中心 (IN-SPACe)（DoS、GoI 下属的一个自主节点机构）签署了一项技术转让协议，将 SATCOM 终端技术的 IDU 数字 ASIC 转让给 M/s ICON Design Automation Pvt Ltd。该协议于 2024 年 1 月 11 日在班加罗尔签署。该技术由位于艾哈迈达巴德的印度空间研究组织的空间应用中心 (SAC) 开发。SATCOM 终端的 IDU 数字 ASIC 可用作实时飞机跟踪、实时信息系统、海洋渔船、卫星移动无线电、便携式多媒体终端、报告终端和 COTS 调制解调器替代品的终端和集线器的低成本、低功耗卫星调制解调器解决方案。作为印度政府于 2020 年 6 月宣布的太空领域改革的一部分，NSIL 正在致力于通过向印度空间研究组织开发的技术转让来提高从事太空相关活动的印度公司的参与度。
iosicon 2024会议
主席（5分钟）孟买Sameer Kaul博士； Raghunadharao Digumarti博士，Vizag； Syed Nisar博士，查mu＆Kashmir 03.10 pm -03.25 pm放射疗法在增强免疫疗法反应（15分钟）的人Rakesh Jalali博士（RO）
图标网页指南：如何将疫苗接种记录输入ICON
5。通过输入孩子的安大略省健康卡号（OHCN）以及其他详细信息（包括姓名和出生日期）或您的孩子的安大略省免疫ID（OIID）编号来验证患者。输入信息后，选择“验证ID”或“验证患者”。如果您收到了多伦多公共卫生（TPH）的来信，则OIID号是一个10位数字，可以在右上角找到。如果您没有OIID号码，请致电416-338-7600“选择免疫的选项2”。
ECE 375 - 半导体简介
(1) 能够运用工程、科学和数学原理来识别、制定和解决复杂的工程问题（CLO 1、2、3、4）；(2) 能够运用工程设计来提供满足特定需求的解决方案，同时考虑公共健康、安全和福利，以及全球、文化、社会、环境和经济因素（CLO 3、4、5）；(4) 能够认识到工程情况下的道德和职业责任，并做出明智的判断，其中必须考虑工程解决方案在全球、经济、环境和社会背景下的影响（CLO 3、4）（6）能够开发和进行适当的实验，分析和解释数据，并运用工程判断得出结论（CLO 1、2、3、5）；(7) 能够使用适当的学习策略获取和应用新知识（CLO 3、4、5）。
Hua Hong半导体有限公司华虹半导体有限公司
在2023年1月18日的公司宣布和2023年2月24日的公司通函中规定，Hua Hong Manufacturing将从事综合电路和12英寸（300mm）Wafers的制造和销售业务，主要采用65/55 Nm至40 nm的工艺。此后，Hua Hong Manufacturing进入了Hua Hong Manufacturing EPC合同，还与建造生产工厂，电力设施和辅助设施的建设有关，以期开发自己的生产线以制造12英寸（300mm）集成电路芯片。有关更多详细信息，请参阅2023年5月19日和2023年6月5日的公司的宣布。
HUA HONG SEMICONDUCTOR LIMITED 华虹半导体有限...
本公司于 2023 年 1 月 18 日发布的公告及于 2023 年 2 月 24 日发布的通函载明，华虹制造将从事集成电路及 12 英寸（300 毫米）晶圆制造及销售业务，主要采用 65/55 纳米至 40 纳米工艺。其后，华虹制造订立华虹制造 EPC 合同，内容涉及（其中包括）建设生产厂房、电力设施及辅助设施，旨在发展其自有生产线以生产 12 英寸（300 毫米）集成电路芯片。有关详情，请参阅本公司于 2023 年 5 月 19 日发布的公告及于 2023 年 6 月 5 日发布的通函。
半导体先进焊球转移技术
VI. 参考文献 [1] Jamin Ling Joseph Sanchez Ralph Moyer 2、Mark Bachman 2、Dave Stepniak I、Pete Elenius 'Kulicke & Soffa“倒装芯片技术的铜上直接凸块工艺”2002 年电子元件与技术会议。 [2] Li Li、M. Nagar、J. Xue“热界面材料对倒装芯片 PBGA 和 SiP 封装制造和可靠性的影响”2008 年第 58 届电子元件与技术会议。 [3] Samuel Massa、David Shahin、Ishan Wathuthanthri 博士、Annaliese Drechsler 和 Rajneeta Basantkumar“具有不同凸块成分的倒装芯片键合工艺开发”2019 年国际晶圆级封装会议论文集。
先进半导体器件技术
基于氮化镓 (GaN) 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 技术正在彻底改变现代国防射频和电子战系统。该技术能够以高线性度和高效率在高频下提供高功率。由于这些优势，它被广泛应用于雷达、卫星通信和军事地面通信等各种应用中。基于 GaN 的 HEMT 技术比现有的砷化镓 (GaAs) 单片微波集成电路 (MMIC) 具有显著优势，尤其是在射频功率应用方面。这主要是因为 GaN 器件具有非常高的击穿场，因此能够在更高的电压下工作。此外，GaN 器件的阻抗要高得多，因此在射频功率放大器集成电路中对匹配网络的要求就更低了。总体而言，与竞争对手的射频相比，GaN 技术可以将射频 IC 的尺寸缩小十倍甚至更高
Semicon West 2023邮政报告
美国在半导体中的前进道路 - 支持筹码投资主持人的整个赞助商政府方法：波士顿咨询集团（BCG）小组成员：亚利桑那州商业管理局•美国BDO•美国迈西康是印第安纳州的迈西宫指南针，印第安纳州•美国商务部•美国商务部
先进半导体材料...
SSPL 从研发走向生产的梦想已经结出硕果，其产品系列完全由其自主开发。GaN MMIC、高功率激光二极管、与红外探测相关的关键子技术以及基于 MEMS、声发射和 SAW 设备的传感器是 SSPL 的旗舰开发领域。这些技术领域的产品包括功率放大器、低噪声放大器、芯片形式的 SPDT 开关、SiC 单晶晶片、单发射器光纤耦合激光二极管、斯特林制冷机、红外敏感材料、MEMS g 开关、e-Nasika CWA 探测器和用于爆炸物检测的基于 CNT 的 n-Nose。SSPL 开发的多项技术和产品已被 DRDO 实验室和太空应用所接受和使用。