将介绍在Polimi开发的医学成像应用中开发的ASIC。sipms读数的整体闪烁体读数允许伽马射线的光谱和相互作用测量位置,这也可以在模拟通道中的主动增益控制机理,在较大的动态范围内。尤其是在迅速-gamma测量中应用剂量治疗中的剂量验证。新的Anna ASIC实现了一个集成的神经网络,该神经网络直接处理从检测器的模拟信号,朝着闪烁体中相互作用的伽马射线位置的芯片重建。
©作者2024。Open Access本文是根据Creative Commons Attribution 4.0 International许可获得许可的,该许可允许以任何媒介或格式使用,共享,适应,分发和复制,只要您对原始作者和来源提供适当的信誉,请提供与创意共享许可证的链接,并指出是否进行了更改。本文中的图像或其他第三方材料包含在文章的创意共享许可中,除非在信用额度中另有说明。如果本文的创意共享许可中未包含材料,并且您的预期用途不受法定法规的允许或超过允许的用途,则您需要直接从版权所有者那里获得许可。要查看此许可证的副本,请访问http://创建ivecommons。org/licen ses/by/4。0/。
(SABIC致力于巴黎协议的目标,并将在2050年之前努力并探索解决方案,以实现我们控制下的碳中立性,并考虑到不同的地区和国家野心,承诺和倡议。专注于我们自己的生产产生的直接和间接排放(范围1和范围2),我们的目标是将温室气体排放量减少到2030年,而不是2018年。此外,我们旨在与我们的合作伙伴合作,以减少沿着价值链的间接范围3的范围3的倡议)**
3 格勒诺布尔阿尔卑斯大学,CNRS IMEP-LAHC,F-38000 格勒诺布尔,法国 通讯作者电子邮件:mikael.casse@cea.fr 我们概述了 FDSOI CMOS 晶体管在深低温下的性能,特别强调了背偏带来的好处。FDSOI 晶体管可在室温到低至 100mK 的温度下工作。测量和分析了主要的直流电特性、可变性和可靠性。我们还指出了在低温下出现的特定行为,并讨论了它们的物理起源和建模。 介绍 为了设计高效的量子计算机,需要将传统电子器件尽可能靠近量子比特 (qubit) 设备,考虑超导或 Si-spin 量子比特,以便读出和控制,从而减少对室温布线的需求 (1)。这种需求凸显了探索和开发低温 CMOS 技术的广泛重要性,其工作温度范围从 4.2K 到远低于 1K。此外,Si-spin 量子比特工艺也与 CMOS 工艺兼容,原则上可以将两者单片集成在单个芯片上 (2)、(3)。这可以为任何大规模量子处理器提供基本构建模块,通过设计可扩展的近量子比特低温电子器件来实现大规模量子比特矩阵索引,并最终开发容错通用门量子计算机 (4)。
现代云应用程序的可伸缩性和灵活性主要归因于虚拟机(VM)和容器,在该容器中,虚拟机是孤立的操作系统,这些操作系统是在管理器上运行的,而容器是共享主机OS内核的轻量级隔离过程。为了实现现代云应用程序所需的可伸缩性和功能,数据中心中的每个裸金属服务器通常都容纳多个虚拟机,每个机器都运行多个容器和多个容器化的应用程序,这些应用程序通常共享相同的库和代码,通常称为图像。然而,尽管容器框架被优化用于在单个VM中共享图像,但即使VM位于同一裸金属服务器内,也几乎不存在VM隔离的性质,从而在多个VM中共享图像,从而导致了重复下载,从而导致冗余的添加网络传播效果和延迟。这项工作旨在通过利用Smartnics来解决此问题,Smartnics是专门的网络硬件,可为网络任务提供硬件加速度和OAD OAD功能,以优化同一服务器上多个VM的容器之间的图像检索和共享。这项工作中提出的方法表明,将容器冷启动时间最多减少92%,从而将网络运输量减少99.9%。此外,由于性能的好处与同时寻求相同图像的服务器中的VM数量成正比,因此结果更加有前途,这可以确保随着裸机机器规范的改善,这可以提高效率。
摘要 — 本文提出了一种基于宽带隙 RF 技术设计低噪声放大器的原创方法。这些 LNA 能够承受高电磁信号(如电子战中使用的信号),同时提供高探测率。该研究介绍了基于相同策略的单级 LNA 和两级 LNA 的原始设计程序。这些自重构 LNA 可以从高探测率模式(低 NF)切换到高线性模式(高输入压缩模式 IP 1dB )。该设计策略与稳健的 LNA 设计进行了比较,后者使用更大的晶体管尺寸来提高线性度,但代价是 NF 略有下降。在放大器输入端,RF 步进应力结果已达到 30 dBm,没有任何破坏,并提供稳定的 S 参数和噪声系数。
当今集成电路 (IC) 供应链的全球化带来了许多硬件安全问题。其中一个主要问题是硬件木马 (HT) 被纳入部署在安全关键和任务关键型系统中的 IC [1], [2]。HT 是对 IC 的故意恶意修改,旨在泄露有价值的数据、降低性能或导致完全故障,即拒绝服务。HT 可以在不同阶段插入片上系统 (SoC),例如由不受信任的 EDA 工具提供商、不受信任的 IP 供应商、插入测试访问机制的不受信任的 SoC 集成商或不受信任的代工厂插入。从攻击者的角度来看,目标是设计一个可以逃避光学逆向工程的最小占用空间 HT,以及在罕见条件下激活并隐藏在工艺变化范围内的隐身 HT,从而逃避通过传统制造测试检测。 HT 设计由两部分组成,即触发器和有效载荷机制。可能的 HT 种类繁多,从简单到非常复杂的攻击模式不等。最简单的 HT 是组合电路,用于监控一组节点,在罕见节点条件同时发生时生成触发器,随后,一旦触发器被激活,有效载荷就会翻转另一个节点的值。更复杂的 HT 包括硅磨损机制 [3]、隐藏侧通道 [4]、改变晶体管有源区域中的掺杂剂极性 [5]、从受害线路中抽取电荷 [6] 等。从防御者的角度来看,根据插入 HT 的阶段,有几种途径可以提供针对 HT 的弹性。对策可以分为硅前和硅后 HT 检测和信任设计 (DfTr) 技术。硅前 HT 检测技术包括功能验证和形式验证。硅片后 HT 检测技术包括光学逆向工程、旨在通过应用测试向量来揭示 HT 的功能测试,以及旨在通过 HT 对参数测量(即延迟、功率、温度等)的影响来揭示 HT 的统计指纹识别。DfTr 技术包括
CMOS 技术的巨大成功以及由此带来的信息技术进步,无疑归功于 MOS 晶体管的微缩。三十多年来,MOS 晶体管的集成度和性能水平不断提高。随后,为了提供功能更强大的数字电子产品,MOSFET 的制造尺寸越来越小、密度越来越高、速度越来越快、成本越来越低。近年来,微缩速度不断加快,MOSFET 栅极长度已小于 40 纳米,器件已进入纳米世界(图 1)[1]-[2]。所谓的“体”MOSFET 是微电子技术的基本和历史性关键器件:在过去三十年中,其尺寸已缩小了约 10 3 倍。然而,体 MOSFET 的缩放最近遇到了重大限制,主要与栅极氧化物(SiO 2 )漏电流 [3]-[4]、寄生短沟道效应的大幅增加以及迁移率急剧下降有关 [5]-[6],这是由于高度掺杂的硅衬底正是为了减少这些短沟道效应而使用的。
2024年12月30日,NASA的企业收购存储库(近)和NASA合同管理系统(NCMS)实施指南当前POC:近 - Heather Hendrix,Heather.c.hendrix@nasa@nasa.gov; NCMS - Melanie Landers,Melanie.r.landers@nasa.gov(到期日期:2025年12月30日),2024年11月22日,2024年11月22日,综合基线审查(IBR)指南POC:Edgar Lee,Edgar Lee,(202)420-1384,Edgar.e.e.lee@nasa.gov(Edgar.e.lee@nasa.gov(Uccepter)或Uccusted ofers ofpers:expers ofers ofers ofers ofers ofpers:expers ofers否则: 2024年,供应链可见性(SCV)报告当前POC:Erica Jones,Erica.D.Jones@nasa.gov(期满日期:2025年7月16日)24-03A 2024年9月3日,20024年9月3日,联邦审计供应供应链供应链安全法(farrittney Chappell,7771)233--- 7771)实施联邦批准供应供应链安全法(FAST) brittney.v.chappell@nasa.gov(到期日期:2025年6月3日)24-02,2024年5月21日,NASA表格(NF)533承包商财务管理和赚取价值管理(EVM)报告要求当前POC:EDGAR LEE:EDGAR LEE,(202)420-1384,EDGAR.E.LOE.ELEE EEE@nassa.leee@nasa.gov(Expiration extration equee@nasa.gov(Expiration@exnasa.gov) 22, 2024 Federal Acquisition Regulation (FAR) Based Interagency Acquisitions Guidance for the G- Invoicing Process Current POC: Edgar Lee, (202) 420-1384, edgar.e.lee@nasa.gov (Expiration date: When cancelled or superseded) 23-02 July 20, 2023 Earned Value Management (EVM) Update to Integrated Program Management Data and Analysis Report (IPMDAR) Requirement当前POC:Edgar Lee,(202)420-1384,edgar.e.lee@nasa.gov(到期日期:取消或取代时)