论文是在CMOS平台技术和应用领域(例如HPC,LOP,移动,汽车,低温CMO等领域的征求力。),逻辑设备和电路,高级节点的过程集成方案,材料,过程和计量技术的创新以及设计技术合作化(DTCO)和系统技术协会(STCO)。平台技术包括最先进的SI和超越SI通道设备,全面的设备,具有不同极性晶体管的堆叠设备,高级互连,新颖的功率分布集成方案,异源2.5D/3D集成方案和Beol兼容晶体管。设备架构,设备设计和分析,过程集成,过程和模式的模块进步,计量学,物理布局效应,可变化降低的技术,收益率,dtco/stco在征求区域中的方法和解决方案具有很高的兴趣。
关于是否以及如何使我们的大脑准备“插入”技术设备的辩论必须从今天开始。我们必须讨论哪些是我们愿意承担的风险,以及我们可能不希望进入的未知领域中是否有道路。律师事务所可以在新的方向上发展其客户群,也许某些公司会试图以专门研究与神经技术有关的道德问题而闻名。其他新的机会可能涉及指导神经科学家通过监管过程或就其他法律问题提供建议。如果神经技术要在工作场所或消费者设备的背景下起飞,则可能会有有关相关雇佣法和消费者法问题的建议。很难知道神经技术的吸收最终可能是多么普遍,但是要忽略这是不明智的,特别是考虑到像埃隆·马斯克(Elon Musk),彼得·蒂埃尔(Peter Thiel)和Facebook(Meta)这样的投资者对神经技术项目的支持。
单层 2D FET 超越硅 利用超薄 2D 材料(如 MoS2)实现更短的栅极长度(参考:英特尔 2D 集成 IEDM 2023)
“ IEDM 提供了有关行业发展方向的宝贵见解,因为会议上展示的前沿工作展示了关键半导体技术的主要趋势和范式转变,” IEDM 2023 宣传主席兼德州仪器工艺开发经理 Jungwoo Joh 表示。他继续说道:“例如,今年许多论文讨论了在 3D 配置中堆叠设备的方法。这当然并不新鲜,但这项工作有两点特别值得注意。一是它不仅发生在传统的逻辑和存储设备上,还发生在传感器、电源、神经形态和其他设备上。此外,许多论文并没有描述未来的实验室研究,而是描述了已经产生可靠结果的具体硬件演示,为商业可行性开辟了道路。” “寻找合适的材料和设备配置来开发性能良好且可靠性达到可接受水平的晶体管仍然是一项关键挑战,”IEDM 2023 宣传副主席兼三星半导体研发副总裁 Kang-ill Seo 表示。他补充道:“今年的计划表明,电热考虑仍然是一个重点,特别是在尝试为使用低温工艺制造的芯片互连或布线添加功能时。”
讨论了以下主题:(1)“Dennard 的 MOSFET 缩放论文 30 年回顾”,作者是英特尔公司的 Mark Bohr;(2)“器件缩放:推动半导体行业 30 年增长的跑步机”,作者是 i2 Technologies 的 Pallab Chatterjee;(3)“MOSFET 缩放的回忆”,作者是佛蒙特大学的 Dale Critchlow;(4)“缩放的业务”,作者是 TCX, Inc. Technology Connexions 的 Rakesh Kumar;(5)“MOSFET 缩放理论及其影响的观点”,作者是 IBM 的 Tak Ning; (6) “Scaling 的影响以及当时 Scaling 发展的环境”,作者:Yoshio Nishi,斯坦福大学;(7) “一切都与 Scaling 有关”,作者:Hans Stork,德州仪器。Dennard 的三篇原创论文,分别发表于 1972 年(IEDM 会议)、1973 年(IEDM 会议)和 1974 年(IEEE 固态电路杂志),也在本期中重印。感谢您花时间阅读 SSCS 新闻。我们很感谢您的评论和反馈!请将评论发送至 myl@us.ibm.com。
可以在低温下工作,但仍会消耗相对较大的功率 最适合半导体自旋量子比特(微软、英特尔、EPFL)。 谷歌、微软、英特尔团队开发了用于超导和自旋量子比特的混合信号电路(ISSCC'19、IEDM'19、ISSCC'20)。一般方法:使用 cryoCMOS 重建室温电子器件。
Luca Selmi 简历 姓名:Luca Selmi 职称:电子学教授 院系:DIEF,恩佐法拉利工业部 院校:摩德纳和雷焦艾米利亚大学 Via Vivarelli 10, 41058,摩德纳,意大利 专业领域:微电子和纳米电子 Luca Selmi 于 1992 年获得博洛尼亚大学电子工程博士学位。2000 年,他成为意大利乌迪内大学电子学正教授。1989 年至 1990 年,他担任加利福尼亚州圣罗莎惠普微波技术部门的访问科学家,研究高频设备的特性以及采用集成变压器和砷化镓 T 线圈的集成电路设计。 1995-1996 年,他是 IEEE 国际电子设备会议 (IEDM)“建模和仿真”技术小组委员会成员。2001-2002 年,他是 IEEE 国际电子设备会议 (IEDM)“电路和互连可靠性”技术小组委员会成员。2008-2009 年,他是 IEEE 国际电子设备会议 (IEDM)“CMOS 器件技术”技术小组委员会成员。2014 年至 2018 年,他一直担任 IEEE VLSI 研讨会的 TPC 成员和出版主席。2001 年,他是意大利乌迪内举行的 INFOS 会议的联合组织者。2003 年,他是意大利乌迪内“硅片终极集成”研讨会 (ULIS) 的联合组织者。2008 年,他担任同一会议的总主席。 2011 年,他担任 IEEE 国际微电子测试结构会议 (荷兰阿姆斯特丹) 的技术项目主席。2014 年,他将担任同一会议的总主席。2013 年,他担任 GE Electronics 会议 (意大利乌迪内) 的总主席。2015 年,他担任 INFOS (半导体绝缘膜) 会议的总主席。2004 年和 2005 年,他是半导体接口专家会议 (SISC) 的技术项目委员会成员,自 2004 年起担任半导体绝缘膜会议 (INFOS) 的成员。自 2011 年起,他担任 INFOS 会议指导委员会成员。2004 年,他一直担任 IRPS 会议的技术项目委员会成员。2005 年至 2008 年,他一直是欧洲固态研究会议 (ESSDERC)“特性和可靠性”小组委员会成员。 2006 年,他担任“特性和可靠性”小组委员会主席。2009 年至 2012 年,他担任欧洲固态研究会议 (ESSDERC)“存储设备”小组委员会成员。自 2017 年起,他担任意大利纳米电子大学联盟 (IU.net) 主任,该联盟负责协调目前 12 个大学团体在 CMOS 和 CMOS 纳米电子技术和电路领域的运作。2017 年 12 月,他转入目前的隶属机构“恩佐法拉利”工业部,摩德纳和雷焦艾米利亚大学。Luca Selmi 曾担任多个欧盟国际研究项目(ULIS - 4FP、NESTOR - 5FP、SINANO - 6FP、EUROSOI - 6FP、PULLNANO - 6FP、STEEPER - FP7、GRAND - FP7、NANOSIL、FP7、NANOFUNCTION - FP7、GRADE - FP7)和意大利大学教育与研究部 MIUR(PRIN 1998、2000、2002、2004、2006、2008、2015、2017)和 FIRB 项目)研究单位的技术和协调职责。他发起并监督了与全球主要半导体行业的许多研究合同,包括飞利浦、
[5] P. Roche,J。L。Autran,G。Gasiot和D. Munteanu。技术降低了散装的辐射效果的恶化:SOI进行救援。技术文摘 - 国际电子设备会议,IEDM,2013年。[6] Oluwole A.等。收费收集和收费共享在130 nm CMOS技术中。在IEEE核科学交易中,第53卷,第3253-3258页,2006年12月。[7] David G. Mavis和Paul H. Eaton。SEU并在深subsicron技术中进行建模和缓解。年度会议记录 - 可靠性物理学(研讨会),第293-305页,2007年。[8] Balaji Narasimham等。。在130 nm和90 nm CMOS技术中的数字单事件瞬态脉冲宽度的表征。在IEEE交易中,核科学交易,第54卷,第2506-2511页,2007年12月。[9] R. Sorge等。。JICG CMOS晶体管减少130 nm散装SIGE BICMOS技术中总电离剂量和单个事件效应。物理学研究中的核仪器和方法,2021年1月。
会议于 12 月 7 日星期六拉开帷幕,届时将举办广受欢迎且极为成功的教程。今年是教程的第 14 年,它们针对的是学生、从业者或任何寻求课本级知识与当前前沿研究之间联系的人。2024 年的主题是:“利用晶圆级集成技术进行系统扩展”、“CMOS 技术的进步和单元高度扩展的未来方向”、“用于提高 AI 应用能源效率和性能的共封装光子学”、“栅极电介质击穿可靠性的当前理解和未来挑战”、“适用于 AI 时代的 EUV 光刻技术”和“用于节能和可重构纳米电子学的磁离子学”。周日,将提供两门综合短期课程:“塑造 AI 时代路线图的技术创新”和“AI 系统和下一次飞跃”。短期课程由活跃于这些领域的国际知名工业和学术研究人员和技术专家组织和讲授。课程主题和讲师都经过精心挑选,以吸引 IEDM 参与者,并将包含适合新手和专家的材料。
这次会议将于12月9日(星期六)开始,我们受欢迎且非常成功的教程。现在在第13年,他们针对学生,从业者或正在寻找教科书级别知识与领先当前研究之间联系的任何人。The topics for 2023 are: “Innovative Technology for Beyond 2 nm”, “CMOS+X: Functional Augmentation of CMOS for Next-Generation Electronics”, “Reliability Challenges of Emerging FET Devices”, “Advanced Packaging and Heterogeneous Integration - Past, Present & Future”, “Synapses, Circuits, and Architectures for Analog In-Memory Computing-Based Deep Neural Network Inference Hardware加速度”,“设备建模工具:从香料到科学机器学习”。在周日,将提供两门全面的短期课程:“下一代低功率和高性能计算的晶体管,互连和chiplets”和“用于高性能记忆和计算的记忆技术的未来”。简短的课程由来自行业和学术界的国际知名研究人员和活跃于这些领域的学术界组织和提出。已经仔细选择了主题和讲师,以广泛吸引IEDM参与者,并将包括适合新手和专家的材料。