XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemIGBT
有问题的社交网络使用中的隐式认知
摘要：研究了焊接联合制造对焊接到玻璃环氧基板（FR4）的IGBT的热性能的影响。使用厚度为1.50 mm的玻璃 - 环氧基底，覆盖有35 µm厚的Cu层。从热空气平整（HAL）SN99CU0.7AG0.3层厚度为1÷40 µm。 IGBT晶体管ngb8207亿固定在sacx0307（sn99ag0.3cu0.7）糊中。样品被焊接在不同的焊接和不同的温度下框架中。测量了样品的热阻抗z t（t）和热电阻。进行了微观结构和空隙分析。发现不同样本的差异分别达到z th（t）和rth的15％和20％。尽管焊接接头中气体的比率在3％至30％之间变化，但发现空隙比与r TH的增加之间没有相关性。在不同的焊接技术的情况下，焊接接头的微观结构在金属间化合物（IMC）层的厚度上显示出显着差异。这些差异与焊接过程中Lilesus上面的时间息息相关。与焊料的热导率相比，IGBT的热参数可以更改，因为IMC层的导热率增加。我们的研究强调了使用IGBT组件组件的焊接技术的重要性和热量文件的重要性。
通过新颖的三维建模和新架构实现高效 IGBT
摘要................................................................................................................................ii
一种用于快速IGBT De-...的自适应消隐时间电路
摘要 提出了一种用于快速检测IGBT去饱和短路的自适应消隐时间（SABT）电路。在IGBT正常开通或发生负载故障（FUL）时，通过检测IGBT集电极-发射极电压V CE 的变化来实现消隐时间的确定；而当IGBT发生硬开关故障（HSF）时，通过检测栅极电压V GE 来确定消隐时间。利用UMC 0.6μm 700V工艺进行仿真表明，提出的SABT电路能够快速检测FUL和HSF。与传统消隐时间电路相比，SABT电路可以将FUL的故障检测时间从1.3μs缩短到35.5ns，而HSF条件下的故障检测时间从2.329μs缩短到294ns。 关键词：消隐时间，IGBT，去饱和短路保护 分类：功率器件与电路
多芯片 IGBT 功率模块中引线键合故障导致的温度变化
在功率循环实验中，需要估算开关的温度。当一个开关由几个并联的芯片组成时，这些芯片的温度可能不一样。在没有对每个芯片进行单独监控的情况下，通常假设平均温度是由最常见的 TSEP（热敏电参数）如 Von 估算的。然而，每个芯片的温度都是未知的。一些研究解释并评估了初始温度不平衡 [1]。当模块由于热机械循环而老化时，引线键合会退化和剥离，从而改变流向芯片的电流路径，从而改变损耗和温度分布。[2, 3] 分别在单芯片和多芯片的情况下评估了估算温度（即 Von）随退化的变化。然而，文献中没有通过实验获得温度分布随退化的变化。
信函 无回弹的 RC-LIGBT，其 LDMOS 和 LIGBT 由 L 形 SiO 2 层隔开
摘要 提出并研究了一种用L形SiO 2 层将LDMOS和LIGBT隔离的RC-LIGBT。L形SiO 2 层显著增强了击穿状态下的体电场，并大大降低了表面电场。正向传导时，A点之前电流以单极模式（LDMOS）为主，B点之后电流以双极模式（LIGBT）为主，由于电导率调制受到LIGBT区的抑制，A点和B点之间消除了回弹。反向传导状态下，LDMOS区实现了续流二极管（FWD）。与传统RC-LIGBT相比，所提出的器件表现出无回弹特性，同时将BV提高了107％。 关键词：RC-LIGBT，击穿电压，回弹现象 分类：功率器件与电路
硅 FS 沟槽 IGBT - BT40T60 ANFU
欧盟 RoHS 指令。警告 1. 超过器件的最大额定值使用器件可能会损坏器件，甚至造成永久性故障，从而影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. IGBT 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。无锡华润华晶微电子有限公司。
INSTANT - IGBT 网络仿真和瞬态分析工具
IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种功率半导体器件，已获得电力电子电路设计工程师的认可，用于电机驱动和功率转换器应用。这些器件兼具功率 MOS 和 MOS 的最佳特性。
