PLC:编程逻辑控制器ST:结构文本FBD:功能框图IL:指令列表语言LD:梯形图语言语言语言VFD:频率可变驱动程序SFC:顺序函数sfc:顺序函数表图DC:直接电流AC:替代电流AC:替代电流SRC:Silicon-Controll-controll-Controll-Controlled Rected Rected Rectifier PMERSTORTINT/INTERS Strocition Stroptast/Intement Scart intermotion SCAD SCAD/INTELLITY PMERTISTION TIA/IPPORTIANS IPSOUTERITY TOC ip:ip ip ip ip:和数据采集HMI:人机接口IGBT:绝缘栅极双极晶体管
I.命名法一个转子环形区域交流电流电池电池充电或排放速率C P功率系数C P功率系数C P电力系数C c cr cr旋转旋转可变螺距开放式转子CAFFI CAFFI商业航空替代品fuels Iniatiative CFM CFM CFM CFM CFM Interative C. 𝑐𝑚𝑖𝑙圆形MIL DRM设计参考任务E能量或电池能量充电的速率或排放EPFD NASA电动动力总成飞行演示器EV电动汽车F频率Hz。FAA联邦航空管理局GASP通用航空合成计划GHG温室气体IATA国际航空运输协会ICAO国际平民航空组织IFR仪器飞行规则IGBT绝缘甲壳型双极晶体管J转子的前进比率li-ion lithium lithium lithium lithium-ion lithium-ion lithium lithium lithium lithium lithium lithium-ion lithium-ion powterioFAA联邦航空管理局GASP通用航空合成计划GHG温室气体IATA国际航空运输协会ICAO国际平民航空组织IFR仪器飞行规则IGBT绝缘甲壳型双极晶体管J转子的前进比率li-ion lithium lithium lithium lithium-ion lithium-ion lithium lithium lithium lithium lithium lithium-ion lithium-ion powterio
I.1 简介 本手册适用于 DS 2000“运动解决方案”驱动器,其软件版本为 3.20X。0 至 3 版本的手册适用于 DS2000 驱动器和 2.00X 以下的软件版本。4 至 5 版本的手册适用于 DS2000“运动解决方案”驱动器,其软件版本为 3.00X 和 3.10X。DS2000 软件版本 3.200 的新特性和新增功能: • I2T IGBT 保护。此功能可保护 IGBT 模块,避免因过大的相电流流动(特别是在低频或锁定转子时)而过热。当保护激活时,可以禁用驱动器或限制电流流动。此功能可通过菜单激活或停用。激活此保护后,陷波滤波器将自动停用。I2T IGBT 保护和陷波滤波器不能同时使用。• 防自由旋转 (AFW)。此功能允许在断电、电机过热和驱动器过热的情况下紧急停止电机。电机将以菜单中最终设置的减速度值制动。此功能可通过菜单激活或停用。• 再生电阻保护。一些客户应用显示再生电阻的持续使用频率过高,有时会导致其损坏甚至断裂。为了避免此问题,在新的 DS2000 固件版本 3.200 中开发了一个新功能:该算法可估计电阻器温度的增长,并根据制造商数据(标称功率、最大功率和峰值功率时间)防止其过热。• FAS G 去磁通。此修改通过引入去磁通组件(正弦电流相移)来提高高速电机性能,该组件从速度值开始,最大角度值可在菜单中设置。可以使用相关参数从菜单中激活或停用此功能。• 模拟参考上的死区。可以引入模拟参考上的死区(以零交叉为中心,两个方向对称),幅度可通过菜单选择。它消除了可能导致电机轴漂移旋转缓慢的偏移。可以使用相关参数从菜单中激活或停用此功能。• PTC/NTC 选择。可以使用菜单选择 PTC/NTC 电机热传感器。• 自动电流偏移补偿。当驱动器被禁用时,此功能会自动激活,并重复计算,直到驱动器关闭。当驱动器启用时,最后计算的偏移值将被记忆并用于电流环路。当驱动器再次被禁用时,此功能将激活并补偿可能的热漂移。
I.1 简介 本手册适用于 DS 2000“运动解决方案”驱动器,其软件版本为 3.20X。0 至 3 版本的手册适用于 DS2000 驱动器和 2.00X 以下的软件版本。4 至 5 版本的手册适用于 DS2000“运动解决方案”驱动器,其软件版本为 3.00X 和 3.10X。DS2000 软件版本 3.200 的新特性和新增功能: • I2T IGBT 保护。此功能可保护 IGBT 模块,避免因过大的相电流流动(特别是在低频或锁定转子时)而过热。当保护激活时,可以禁用驱动器或限制电流流动。此功能可通过菜单激活或停用。激活此保护后,陷波滤波器将自动停用。I2T IGBT 保护和陷波滤波器不能同时使用。• 防自由旋转 (AFW)。此功能允许在断电、电机过热和驱动器过热的情况下紧急停止电机。电机将以菜单中最终设置的减速度值制动。此功能可通过菜单激活或停用。• 再生电阻保护。一些客户应用显示再生电阻的持续使用频率过高,有时会导致其损坏甚至断裂。为了避免此问题,在新的 DS2000 固件版本 3.200 中开发了一个新功能:该算法可估计电阻器温度的增长,并根据制造商数据(标称功率、最大功率和峰值功率时间)防止其过热。• FAS G 去磁通。此修改通过引入去磁通组件(正弦电流相移)来提高高速电机性能,该组件从速度值开始,最大角度值可在菜单中设置。可以使用相关参数从菜单中激活或停用此功能。• 模拟参考上的死区。可以引入模拟参考上的死区(以零交叉为中心,两个方向对称),幅度可通过菜单选择。它消除了可能导致电机轴漂移旋转缓慢的偏移。可以使用相关参数从菜单中激活或停用此功能。• PTC/NTC 选择。可以使用菜单选择 PTC/NTC 电机热传感器。• 自动电流偏移补偿。当驱动器被禁用时,此功能会自动激活,并重复计算,直到驱动器关闭。当驱动器启用时,最后计算的偏移值将被记忆并用于电流环路。当驱动器再次被禁用时,此功能将激活并补偿可能的热漂移。
C。Abbate,R。Di Folco,A。Evangelista,“使用振幅和相位数据阐述的多基线SAR干涉法”。通用电气和电子工程杂志,3,55-63。,2015年,doi:10.13189/ujeee.2015.030204。C。Abbate,R。Di Folco,I。de Bellis和Z. Varga,基于散点参数的仿真和测量,对IGBT的稳定性分析,机械工程信,第1卷。13(2015),97-105。C。Abbate,R。Di Folco,“功率IGBT模块产生的EMI的建模和分析”。通用电气和电子工程杂志,3(2):49-54,2015,doi:10.13189/ujeee.2015.030203。C。Abbate,R。Di Folco,“高功率IGBT模块的高频行为”。通用电气和电子工程杂志,3(1):17-23,2015,doi:10.13189/ujeee.2015.030104。C。C. Abbate,G。Busatto,F。Iannuzzo:“高压,高性能开关,使用系列连接的IGBTS”,Power Electronics,IEEE EEEE交易卷,第25卷,第25期,第9期,第9个数字对象标识符:10.1109/tpel.2010.2010.2010.2010.2049272 Year:2010,2010年,Div。2450-2459。C。Abbate,F。Iannuzzo,G。Busatto,“硅电源设备中的不稳定性:现代电力设备中的故障机制的审查”,IEEE工业电子杂志,2014年,IEEE 8(3),第8(3)页,第28-39。C。C. Abbate,G。Busatto,A。Sanseverino,D。Tedesco,F。Velardi:“高频输入阻抗的度量,以研究短路中的电力设备的不稳定性”,Microelectrectronics Reliability 2018,https://doii.org/10.org/10.10.1016/j.microrer.2018.0.0.0.0.0.0.0. n.07.0.07.07.07.07.07.07. n.07.07.07.07.07.07.07. n.077.07.07.07.07.07.07.7. n.07.07.07.07.07.7.07. n。),pp。75-82,iOS出版社,2007年。(2015)。C。Abate,M。Moroozov,G。Ubine,A。S。Tamburn,S。verse:“用于定量和当前赌注的aree阵列涡流和想象中的想象力,e'nde,eann毁灭性的非毁灭性非破坏性非破坏性(x),S。takahaon(x),S。takahaon(x),S。takahashi,S。takahashi。C。C. Abben,N。Bonora,A。Rugger,G。Iannites,F。Iannice,G。Box,G。Busty,“ Mechhanuminscenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescencences cencencencence cencenescenescencence cencencencence of NlOud velocitil of yressick yression:杂志:L。Coldel,L。Turter,S。Turket,C。Bells:Manysiss Manage Manage Manage in Dralling frp。<2> Procemy,167(2016)206-215。L。Coldel,L。Turther,S。Turket,C。Bells:进行内部处理和温度监测温度。Jek Community,102(2016)46-48。L。Colla,S。Turket:监测持久层压持续时间的FRP的持续时间。L。Coldel,S。Turket,E。Venorro:直径底:力的分析。Deading&Technology,82(2015)21年。
目前,正在努力制造由半绝缘材料制成的光电导半导体开关并寻找其潜在应用。本文分析了文献中关于使用 PCSS 开关的参数和可能性,以及目前在电力和脉冲电力电子系统中使用的开关。介绍了基于 GaP 的开关原型模型的实验室测试结果,并将其与文献中的 PCSS 开关参数进行了比较。介绍并讨论了 IGBT 晶体管、晶闸管、光电晶闸管、火花隙和电源开关的工作原理、参数和应用。分析了用 PCSS 开关替换选定元件的可能性,同时考虑了比较器件的优缺点。还讨论了使用目前由磷化镓制成的 PCSS 开关的可能性。
研究了几种改善直流断路器 (CB) 性能的方法。在论文 11254 中,通过选择包含介电屏障和分流板的管状腔体来获得更高的紧凑性,其原型为 3 kV/3 kA,可以升级到更高的电压。或者在论文 10584 中,通过在电动汽车充电系统中实施的电池断开单元的开关装置中引入混合气中的氢气而不是空气来减少电弧熄灭时间。论文 10897 中可调电流注入的设计和测试证实了在 100 A 至 20 kA 的大范围内中断故障电流的可行性,并且在闭合位置的损耗很低,断路时间的变化可以忽略不计。论文 10730 表明,有必要将基于电容器的阻尼电路与 IGBT 相结合,以处理直流中的开关浪涌。
5. 此值适用于 2SIXT0112T2A0 的变压器。由于去饱和保护电路,测试电压不能施加到产品本身。 6. 原包装内的存储温度必须限制在给定值以内。否则,限制在 85° C。 7. 组件表面温度可能因实际工作条件而有很大变化,必须限制在给定值以内,以确保产品的长期可靠性。 8. 高于此水平的操作需要降额电压,以确保产品的长期可靠性。 9. 详情请参见图 3。 10. 每个生产样品的变压器均已在给定值下经过 1 秒的 100% 测试。 11. 每个变压器都进行了局部放电测量。 12. CTI ≥ 600 PCB 材料。 13. 请参阅 IGBT 模块的数据表。
工业电源控制 IPC 部门为电能的智能高效发电、传输、储存和使用提供领先的半导体产品、解决方案和服务。其应用范围广泛,包括光伏装置、风力涡轮机、高压直流输电和储能系统、工业电源、火车、电动商用车、家用电器以及电动汽车充电基础设施。英飞凌是全球 IGBT 功率半导体领域的老大。凭借其针对工业应用的 SiC 解决方案,IPC 在全球也处于领先地位。此外,该部门还通过节能智能功率模块 (IPM) 等创新推进集成和数字化。基于英飞凌涵盖传感器、微控制器和连接技术的广泛产品组合,IPC 为智能家居和工业物联网应用提供创新解决方案。