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印度科学研究所（IISc）班加罗尔-560012（印度）
研究计划（包括 PhD-ERP） 1.1 参与部门：部门 / 领域：理科博士学院：生态科学、无机与物理化学、数学、分子生殖、发育与遗传学、有机化学、物理学、固态与结构化学。工程博士学院：化学工程、计算机科学与自动化、计算与数据科学、电子通信工程、电气工程、电子系统工程、仪器与应用物理、材料工程、机械工程、纳米科学与工程、产品设计与制造和可持续技术。跨学科领域博士学位：生物系统科学与工程（由生物系统科学与工程中心提供）、大脑与人工智能（由大脑、计算和数据科学组提供）、能源-[仅 ERP 博士]（由跨学科能源研究中心提供）、网络物理系统（由罗伯特博世物理系统中心提供）。 1.2 资格： 凡拥有适用于个别部门/地区的以下至少二等或同等学位的申请人均有资格申请：
初创航空航天工程 SID - 与 IISc 联系
Suhas Mahesh 是本科课程的应届毕业生 Nithyanand Rao 是档案和出版物部门的顾问编辑 科学媒体中心是印度理工学院和 gubbi 实验室的联合项目 Megha Prakash 是档案和出版物部门的顾问编辑 Sudhi Oberoi 是档案和出版物部门的项目培训生 Navin S 是电气工程系的硕士生 Ramya Bala 是生态科学中心的研究员 Gaurav Govardhan 是大气和海洋科学中心的博士生 G Mugesh 是无机和物理化学系的教授 Shishir G Patil 是纳米科学与工程中心的研究实习生 Raghu Menon 是产品设计与制造中心的博士生
印度科学学院（IISC）班加罗尔-560012
1。序言，印度科学学院（IISC）的超级计算机教育与研究中心（SERC）邀请了数据中心基础架构设计顾问的出价，用于创建一个数据中心，用于托管大约8.5个PFLOPS的超级计算。印度科学研究所（IISC）班加罗尔将使用CPU + GPU组合建立能力8.5 PF的数据中心。该数据中心的位置将位于SERC大楼的IISC班加罗尔校园。上述组合的近似计算功率约为500-550 kW。计算的冷却将如下：因为某些计算将在房间冷却，并且一些计算将进行直接接触液体冷却（DCLC），因此冷却是混合的。DCLC节点将与CPU制造商目前可用的最大TDP。IISC Bangalore需要一名设计顾问，用于电气系统，UPS系统，混合冷却系统，I BMS系统等的数据中心基础设施设计。数据中心工作范围（DC）顾问
mtech-（计算和数据科学）-EECS @ iisc
CDS的MTECH（计算和数据科学）程度旨在在24个月内完成。学生将在2-3个学期超过2-3个学期中获得36个学分。课程分为强制性（14个学分），软核心（10个学分）和来自整个研究所的选修课（12个学分）。学生还将在12个月的时间内完成一个价值28个学分的论文项目。该计划为计算和数据科学提供了基础技术和系统技能，学生可以选择高级课程来专门研究方法，平台和应用程序。完整的程序详细信息是：https：//cds.iisc.ac.in
微电子与 VLSI 设计 - IISc，YRM 班加罗尔
1. 集成电路设计：低功耗电子器件、集成电力电子器件、毫米波和太赫兹电子器件/MMIC、通信和传感用射频集成电路、神经形态硬件等。2. 基于电荷（纳米电子学）以及自旋（自旋电子学）的器件3. 纳米材料和纳米器件科学4. 微/纳电子应用新型材料的生长5. 能源（材料和器件）：无机和有机半导体光伏电池、能量收集器等6. 计算纳米电子学7. 光子学、神经形态和量子技术的材料和器件8. 纳米机械传感器和系统、NEM 与微电子集成、RF-NEM 等9. 宽带隙和其他功率半导体器件
Rahul Pandit - FAST，FNA，FTWAS -IISC Physics
{国家科学人才搜索学者，印度 - 1972 - 77年。{银牌（物理课上的第一个），印度理工学院，新德里 - 1977年。{成员，Phi Kappa Phi。{伊利诺伊大学的埃克森大学，美国伊利诺伊州乌尔巴纳市Urbana -Champaign- 1979年。{成员sigma xi。{印度科学院的副学士（直到35岁，即直到1991年4月）。{印度国家科学学院的年轻科学家勋章 - 1988年。{当选印度科学院的一名会员（法斯） - 1996年1月1日。{科学与工业研究理事会的Shanti Swarup Bhatnagar奖 - 2001年。{大学赠款委员会的Meghnad Saha奖-2004。{当选印度国家科学学院（FNA）的院士 - 2006年1月1日。{Dae Raja Ramanna奖，2007年8月14日，Jawaharlal Nehru高级科学研究中心。{JC Bose科学技术与塞族部的国家会员，印度，2007年8月1日至2023年6月30日。{印度科学研究所的Rustom Choksi教授 - 2009年。{印度科学学院的MSIL主席教授 - 2009年10月 - 2012年。{德里印度理工学院杰出校友奖 - 2010年8月。{美国物理社会的物理审查和物理评论的杰出裁判 - 2012年。{当选世界科学院的院士（FTWAS） - 2015年11月。{Goyal物理科学奖，2017年4月11日。{自2023年7月1日起，印度国家科学主席。{2017年11月至2021年10月的国际纯物理联盟（IUPAP）当选副总裁。{satyendranath bose印度国家科学学院奖章 - 2021年。
CRISPR -CAS9的基因组编辑2025年3月9日-CCE，IISC
涵盖的主题：CRISPR- CAS9的原则。CRISPR-CAS9技术的应用。基因组编辑在培养细胞中。蠕虫中的基因组编辑。植物中的基因组编辑。动物中的基因组编辑。
vitae -subho dasgupta-材料工程IISC
Subho Dasgupta PERSONAL INFORMATION Surname: Dasgupta, Name: Subho Date of birth: 09/06/1980 Nationality: Indian Sex: Male Marital status: Married Address: 3107, Prestige Kensington Gardens, Jalahalli, Bangalore: 560013 Email: dasgupta@iisc.ac.in ;替代电子邮件：dasgupta.subho@gmail.com电话：080-22932455（Office）; 080-23089654（家庭）; 9731530011（手机）_________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 2009年6月，PH。D.在德国技术大学达姆斯塔特（TUD）的材料科学专业，2003年7月至2003年6月，2005年6月，技术硕士（M. Tech），冶金与材料工程研究所，印度科技学院，印度哈拉格布尔，1999年7月1999年7月至2003年6月，工程学士学位（B.E.）印度加尔各答贾达夫大学冶金工程学位，印度科学生涯6月至2022年 - 现任印度科学学院材料工程系副教授（IISC）2016年5月2022年6月2022年6月5日至6月，印度材料工程助理教授，印度材料工程部，印度科学学院（IISC），2016年8月2016年8月2016年电视机研究机构，撰写了“印第安纳州”，“公共研究”。纳米材料”，在德国技术研究所（KIT）的纳米技术研究所，德国，2013年12月至2013年5月 - 2014年5月在美国加利福尼亚州劳伦斯·利弗莫尔国家实验室的访问科学家，2009年8月 - 2012年8月 - 2012年 - 2012年纳米技术学院，纳米技术学院，纳米技术学院，纳米技术研究所（KIT）印度加尔各答贾达夫大学冶金工程学位，印度科学生涯6月至2022年 - 现任印度科学学院材料工程系副教授（IISC）2016年5月2022年6月2022年6月5日至6月，印度材料工程助理教授，印度材料工程部，印度科学学院（IISC），2016年8月2016年8月2016年电视机研究机构，撰写了“印第安纳州”，“公共研究”。纳米材料”，在德国技术研究所（KIT）的纳米技术研究所，德国，2013年12月至2013年5月 - 2014年5月在美国加利福尼亚州劳伦斯·利弗莫尔国家实验室的访问科学家，2009年8月 - 2012年8月 - 2012年 - 2012年纳米技术学院，纳米技术学院，纳米技术学院，纳米技术研究所（KIT）印度加尔各答贾达夫大学冶金工程学位，印度科学生涯6月至2022年 - 现任印度科学学院材料工程系副教授（IISC）2016年5月2022年6月2022年6月5日至6月，印度材料工程助理教授，印度材料工程部，印度科学学院（IISC），2016年8月2016年8月2016年电视机研究机构，撰写了“印第安纳州”，“公共研究”。纳米材料”，在德国技术研究所（KIT）的纳米技术研究所，德国，2013年12月至2013年5月 - 2014年5月在美国加利福尼亚州劳伦斯·利弗莫尔国家实验室的访问科学家，2009年8月 - 2012年8月 - 2012年 - 2012年纳米技术学院，纳米技术学院，纳米技术学院，纳米技术研究所（KIT）
IISc 量子技术计划 (IQTI) 愿景文件
二十世纪初，人们试图理解原子尺度上观察到的各种现象，这导致了量子物理学的形成。这使我们能够理解块体材料的特性如何从其量子起源中产生，随后利用这些特性在二十世纪下半叶产生了半导体、超导体和激光等技术应用。这些应用对社会产生了巨大的影响，如果没有它们，无处不在的电子产品、电脑、手机和互联网将是不可想象的。如今，这一突破被称为第一次量子革命。它一直受到基本设备组件微型化的不断推动和维持。在此过程中，技术发展在二十世纪末达到了这样的阶段，即可以控制和操纵单个量子自由度。从观察到控制的范式转变打开了一扇新的大门，我们利用这种能力可以实现的目标被称为第二次量子革命。其目的是制造新型量子设备，使其功能中充分利用量子特性（例如量子态的叠加、纠缠、压缩和隧穿）。