图2。外泌体的生物发生(A)和组成(B)。质膜内吞作用或内部萌芽会导致形成早期分类内体(ESE)。然后,ESE产生晚期分类内体(LSE),并通过LSE中的另一个内陷产生肺内囊泡(ILV)。在ILV积累后,LSE成熟到MVB中。 MVB与质膜的膜融合导致外泌体分泌到细胞外环境中。 MVB与溶酶体或自噬体融合后也可以降解[40,41]。 外泌体可以携带各种类型的生物分子,例如蛋白质,脂质,DNA,RNA和代谢物。 蛋白质,例如CD9,CD63,CD81,氟列蛋白-1和TSG 101,通常被用作外泌体的标记[42,43]。在ILV积累后,LSE成熟到MVB中。MVB与质膜的膜融合导致外泌体分泌到细胞外环境中。 MVB与溶酶体或自噬体融合后也可以降解[40,41]。 外泌体可以携带各种类型的生物分子,例如蛋白质,脂质,DNA,RNA和代谢物。 蛋白质,例如CD9,CD63,CD81,氟列蛋白-1和TSG 101,通常被用作外泌体的标记[42,43]。MVB与质膜的膜融合导致外泌体分泌到细胞外环境中。MVB与溶酶体或自噬体融合后也可以降解[40,41]。外泌体可以携带各种类型的生物分子,例如蛋白质,脂质,DNA,RNA和代谢物。蛋白质,例如CD9,CD63,CD81,氟列蛋白-1和TSG 101,通常被用作外泌体的标记[42,43]。
摘要 - 单石器时代3D(M3D)集成具有与基于TSV的3D堆叠相比,可以实现明显更高的设备密度。晶体管层的顺序整合可实现高密度的垂直互连,称为层间VIA(ILV)。但是,层间电介质的高积分密度和攻击性缩放使M3D集成电路特别容易处理变化和制造缺陷。我们探讨了这些制造缺陷对CHIP绩效的影响,并提出了相关的测试挑战。我们介绍了两种M3D特定的测试设计解决方案 - 一种低成本的内置自我测试架构,用于缺陷易受缺陷的ILV和一种用于屈服学习的层级故障定位方法。我们描述了缺陷对延迟故障测试的效率的影响,并在3D电源分配网络施加的约束下突出了测试生成的解决方案。
与传统的 2D 计算系统相比,超密集 3D 集成电路(3D IC),例如单片 3D IC(图 1),可以为数据密集型应用带来巨大的能量延迟积(EDP)优势 [1,2]。为了实现这些优势,需要将多层逻辑和存储器(例如,逻辑和/或存储器设备的薄层,以及相关的信号/全局金属布线)以 3D 形式集成,并使用有限长宽比的后端制程(BEOL)层间过孔(ILV)建立超密集(例如,间距 ≤ 100 纳米)垂直连接 [3]。现有的 BEOL 布线结构已经在使用这种纳米级 ILV。3D IC 变得至关重要,因为工艺技术小型化的根本限制使得传统的缩放路径更加困难。但是,必须克服重大的热挑战才能在多个 3D 层上实现高速和高功率计算引擎 [4-5]。如果没有新技术,未来 3D IC 的上层最高温度将大大超过可靠运行所需的上限(例如 [6] 中的 125°C)。我们使用图 1 中的单片 3D IC 来了解 3D 层中的温升和热耗散(详细分析见第 III 部分)。图 1 中的 N 层中的每一层都包含一层高速、高功率硅逻辑器件(例如,计算引擎)和由铜布线和超低κ 层间电介质 (ILD) 组成的 BEOL 层(例如,用于信号布线)。各层通过超密集 ILV 电连接。在某些设计中,每层还存在硅存储器、存储器访问设备和额外的 BEOL。3D IC 由附加的散热器进行外部冷却,散热器将产生的所有热量以散热器比传热系数 h(W/m 2 /K)散发到环境中。最高温度 T j 取决于散热器、环境温度和 N 层的热特性。散热器创新(如 [7])只需散热器上 10°C 的温升(即 h= 10 6 W/m 2 /K)即可消除 1000 W/cm 2 的热量,尽管
Kui.i 邮政服务于 1 月 8 日下午 2 点(无线)举行。有轨电车前往施拉德殡仪馆;约翰·F·凯利博士在美国退伍军人协会 M yron Beals 邮局的指导下。凯利博士 - 1\ i.a- b('on a医学博士。在普利茅斯市任职 15 年。他于 1 月 5 日星期日下午 1:00 去世; < imme ,548 Deer Street。幸存者,:-.g aw;他的遗孀,'Vclda .\I。“Kuily;四个儿子和一个b'ughtor。印第安纳州 .■ 波利斯 的 John N oud Kelly;威廉·凯利,威斯康星州基诺沙人;本·凯利和丹尼尔·凯利,均来自宾夕法尼亚州;两个兄弟,拉尔夫·凯利和爱德华·凯利,均来自德州。 。和两个姐妹,伊利诺伊州芝加哥的 Mary .Mldiousc 夫人;和 VI。s 匹兹堡的 Edith St. P eter,;他的亲戚和 *鸢尾花的主人。.ui-'。两首赞美诗由 \Irs 演唱。M. J. O'C onner at the ' gan。-.美国宗教协会成员担任抬棺人。In- •e;.-ru-.ni 在河滨公墓