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更新的公司战略2025-2028
2.1公司战略是理事会的关键战略计划。它阐明了彼得伯勒的长期愿景和优先事项，并优先考虑理事会活动，从现在到2028年，以支持实现愿景。2.2在2022年，当理事会达成了最后一项公司战略时，我们确定了该理事会和彼得伯勒的关键优先事项，并在未来三年内阐明了我们想要为居民实现的目标。 2.3从那时起，我们运营的上下文已经改变，并且我们已经相对于许多优先事项向前迈进。 2.4我们仍然是英国增长最快的城市之一，该城市正在向我们的城市提供额外的投资。 Odeon IMAX电影院于11月开业，今年的百货商店Frasers来到了Queensgate。 2.5 Aru Peterborough的第三阶段现已开放。 这家提供者与彼得伯勒学院和城市学院彼得伯勒一起，现在正在推动我们居民的高技能，重点关注高薪职业，包括科学，技术，工程，数学和绿色技术的职业。 2.6 Fletton Quays多年来一直没有开发，现在已经无法识别，并且正在计划开发棚屋，以创建一个可以饮食，喝酒和社交的地区，并且有计划开放河滨。 2.7全面进行车站季度重建的全面业务案例将在2025年第一部分提交给政府，并于今年晚些时候开始在现场工作。 这对我们的理事会对服务的需求产生了影响。2.2在2022年，当理事会达成了最后一项公司战略时，我们确定了该理事会和彼得伯勒的关键优先事项，并在未来三年内阐明了我们想要为居民实现的目标。2.3从那时起，我们运营的上下文已经改变，并且我们已经相对于许多优先事项向前迈进。2.4我们仍然是英国增长最快的城市之一，该城市正在向我们的城市提供额外的投资。 Odeon IMAX电影院于11月开业，今年的百货商店Frasers来到了Queensgate。 2.5 Aru Peterborough的第三阶段现已开放。 这家提供者与彼得伯勒学院和城市学院彼得伯勒一起，现在正在推动我们居民的高技能，重点关注高薪职业，包括科学，技术，工程，数学和绿色技术的职业。 2.6 Fletton Quays多年来一直没有开发，现在已经无法识别，并且正在计划开发棚屋，以创建一个可以饮食，喝酒和社交的地区，并且有计划开放河滨。 2.7全面进行车站季度重建的全面业务案例将在2025年第一部分提交给政府，并于今年晚些时候开始在现场工作。 这对我们的理事会对服务的需求产生了影响。2.4我们仍然是英国增长最快的城市之一，该城市正在向我们的城市提供额外的投资。Odeon IMAX电影院于11月开业，今年的百货商店Frasers来到了Queensgate。2.5 Aru Peterborough的第三阶段现已开放。 这家提供者与彼得伯勒学院和城市学院彼得伯勒一起，现在正在推动我们居民的高技能，重点关注高薪职业，包括科学，技术，工程，数学和绿色技术的职业。 2.6 Fletton Quays多年来一直没有开发，现在已经无法识别，并且正在计划开发棚屋，以创建一个可以饮食，喝酒和社交的地区，并且有计划开放河滨。 2.7全面进行车站季度重建的全面业务案例将在2025年第一部分提交给政府，并于今年晚些时候开始在现场工作。 这对我们的理事会对服务的需求产生了影响。2.5 Aru Peterborough的第三阶段现已开放。这家提供者与彼得伯勒学院和城市学院彼得伯勒一起，现在正在推动我们居民的高技能，重点关注高薪职业，包括科学，技术，工程，数学和绿色技术的职业。2.6 Fletton Quays多年来一直没有开发，现在已经无法识别，并且正在计划开发棚屋，以创建一个可以饮食，喝酒和社交的地区，并且有计划开放河滨。2.7全面进行车站季度重建的全面业务案例将在2025年第一部分提交给政府，并于今年晚些时候开始在现场工作。这对我们的理事会对服务的需求产生了影响。2.8在我们的城市中，有很多值得庆祝的地方，但是我们所经营的背景是充满挑战和不断变化的，就像全国每个理事会一样。因此，我们必须不断现代化并适应如何提供服务以满足当前需求。2.9，我们于去年秋天开始了该过程，以更新我们的公司战略。这是为了确保官员和成员正在为居民和纽约市的关键优先事项工作，并且商定的优先事项可以是
隐藏的马尔可夫模型适合文本生成
关键字：Gan，Mishemt，MBE，MMIC，AL 2 O 3，可靠性摘要雷神已经在<111> si Hemt技术上采用了分子束外延（MBE）开发了gan的状态。相对于MOCVD（〜1000 o C）的分子束外延（MBE）的较低生长温度（〜750 o C）导致热性能提高和从IIII-V/SI界面减少微波损失。这些因素结合起来，以使最有效的高功率（> 4 w/mm）在高频（≥10GHz）上进行操作，这些操作通常与Si上的gan hemts无关。较低的温度MBE生长过程减少了生长后冷却后的GAN拉伸应变，这又使Aln成核层用于GAN HEMT生长。这与基于MOCVD的生长中使用的复杂的Algan/Aln菌株补偿层相反，这些层已显示出显着降低IIII-V外延层的总体导热率。此外，低温MBE ALN成核层导致Si/IIi-氮化物界面处的界面电荷降低。这种大大降低的电荷使雷神能够实现<0.2dB/mm的创纪录的低微波损失（对于SI上的GAN），最高为35 GHz，可与SIC上的GAN相当[1]。最重要的是，在100mm高电阻（> 1,000 ohm-cm）上实现MBE种植的Gan Hemt Epi层质量和均匀性时，记录了创纪录的低微波损失（> 1,000 OHM-CM）<111> Si，可与MOCVD在SIC上生长的GAN相当。板电阻低至423欧姆 /平方英尺（±0.8％），迁移率为〜1,600 cm 2 /v-s。这样做是为了使整个栅极电容，IDSS，IMAX和V t与为了减少门泄漏，雷神用ALD沉积了Al 2 O 3作为高k栅极介电介质形成不幸的。为了最大程度地减少门泄漏，而不会影响关键的RF设备特性（例如FT，FMAX，POWER和PAE），使用电荷平衡模型与栅极介电堆栈一起设计Schottky层厚度。