• Tut6 - 计算陆地宇宙射线位移损伤 - Melanie Raine - CEA • Tut7 - 对 MOL/BEOL TDDB 可靠性的理解和挑战 - Andrew Kim - Intel • Tut8 - GaN 可靠性 - Enrico Zanoni - 帕多瓦大学 • Tut9 - 非硅半导体上的高 K 电介质 - Chadwin Young - 德克萨斯大学 - 达拉斯分校 • Tut10 - 先进的 3D 闪存架构 - Hang Ting Lue - Macronix • Tut11 - 磁共振技术 - Mark Anders - NIST • Tut12 - DRAM 可靠性概述 - Hokyung Park - SK hynix • Tut13 - Si 器件中的热载流子退化 - 从实验观察到精确的物理建模 - Stanislav Tyaginov - IMEC • Tut14 - 先进互连的金属可靠性 - Olalla Varela - IMEC • Tut15 - 汽车 - Andreas Aal – 大众汽车(与 IEW 合作)/ Oliver Aubel - Globafoundries • Tut16 - 4H SiC 金属氧化物半导体场效应晶体管中的可靠性和性能限制缺陷 - Patrick Lenahan - 宾夕法尼亚州立大学 • Tut17 - CMOS 低温电子学的应用和特性 - Pragya Shrestha - NIST • Tut18 - 电子设计自动化 (EDA) 解决方案,用于 CMOS 和 HV 技术中的闩锁验证 - Michael Khazhinsky - Silicon Labs(与 IEW 合作) • Tut19 - EOS、ESD、瞬态、AMR、EIPD、稳健性、老化 - 所有这些部分都属于同一个难题吗? - Hans Kunz - 德州仪器(与 IEW 合作) • Tut20 - 探索 ESD 和
在精准农业、林业管理、安全和监控等应用中,在无人机 (UAV) 上安装多个高光谱成像传感器的能力至关重要。imec UAV 平台由强大的嵌入式计算平台支持,该平台具有 NVIDIA Jetson GPU、集成存储、通过标准无人机万向节接口(如(但不限于)DJI Matrice 600)实现无线和有线控制连接。该 UAV 系统解决方案的设计理念是使最终用户能够从基于无人机的系统实时获取、处理和以视频速率下载应用数据。
荷兰埃因霍温埃因霍温理工大学在 SEBAN 联盟框架内:飞利浦、IMEC、TMSi、STW • 智能能源体域网络 (SEBAN) 是一种家庭妊娠监测系统,使用(胎儿)心电图 (fECG) 和子宫电图 (EHG)。 • 收集利益相关者的项目需求。 • 进行用户研究,根据用户需求(准妈妈和看护者)收集设计需求。 • 迭代设计一款舒适、不显眼的纺织服装,并集成柔性电子设备。 • 用户对系统进行评估并根据用户的反馈进行改进。 • 与不同的行业合作伙伴进行团队和项目管理。
半导体关连产业が集积するリサーチ・コンプurekkusuの代名词であ るベルギーのimec (校际微电子中心)を 参考とし、卓越した研究力を中心に「人・知・资源の好循环」のハブとなる异分野融合エコshisutemu「广岛研究与创新谷(Hi-RIV)」を形成
(1)比利时迪彭贝克(Diepenbeek)3590的Hasselt University的生物医学研究所MS中心(生物医学研究所)。(2)Hasselt University,Agoralaan大楼D数据科学研究所(DSI),3590,Diepenbeek,比利时。 (3)D -LAB,荷兰马斯特里赫特大学马斯特里赫特大学的肿瘤学研究所精密医学系D -LAB。 (4)荷兰马斯特里赫特大学医学中心的肿瘤学和发育生物学研究所放射学和核成像系,荷兰马斯特里奇。 (5)比利时安特卫普大学安特卫普大学IMEC-Vision Lab。 (6)𝜇神经研究中心,比利时安特卫普大学,安特卫普大学。 (7)Sumo Group,idlab,根特大学-IMEC,根特,比利时。 (8)比利时Ku Leuven的Esat-Stadius。 (9)noorderhart,康复和比利时Pelt MS中心。 (10)荷兰Sittard-Geleen Zuyderland Medical Center神经病学系学术中心Zuyd。 (11)荷兰马斯特里赫特马斯特里赫特大学的心理健康与神经科学学院。 *=这些作者对这项工作同样贡献了对应作者= Philippe Lambin(philippe.lambin@maastrichtuniverity.nl)(2)Hasselt University,Agoralaan大楼D数据科学研究所(DSI),3590,Diepenbeek,比利时。(3)D -LAB,荷兰马斯特里赫特大学马斯特里赫特大学的肿瘤学研究所精密医学系D -LAB。(4)荷兰马斯特里赫特大学医学中心的肿瘤学和发育生物学研究所放射学和核成像系,荷兰马斯特里奇。(5)比利时安特卫普大学安特卫普大学IMEC-Vision Lab。(6)𝜇神经研究中心,比利时安特卫普大学,安特卫普大学。 (7)Sumo Group,idlab,根特大学-IMEC,根特,比利时。 (8)比利时Ku Leuven的Esat-Stadius。 (9)noorderhart,康复和比利时Pelt MS中心。 (10)荷兰Sittard-Geleen Zuyderland Medical Center神经病学系学术中心Zuyd。 (11)荷兰马斯特里赫特马斯特里赫特大学的心理健康与神经科学学院。 *=这些作者对这项工作同样贡献了对应作者= Philippe Lambin(philippe.lambin@maastrichtuniverity.nl)(6)𝜇神经研究中心,比利时安特卫普大学,安特卫普大学。(7)Sumo Group,idlab,根特大学-IMEC,根特,比利时。(8)比利时Ku Leuven的Esat-Stadius。(9)noorderhart,康复和比利时Pelt MS中心。(10)荷兰Sittard-Geleen Zuyderland Medical Center神经病学系学术中心Zuyd。(11)荷兰马斯特里赫特马斯特里赫特大学的心理健康与神经科学学院。*=这些作者对这项工作同样贡献了对应作者= Philippe Lambin(philippe.lambin@maastrichtuniverity.nl)
ED1-2 ( 口头 ) 14:45 - 15:00 通过掺杂分布工程提高 p-GaN 栅极 HEMT 的稳健性 Matteo Borga 1 , Niels Posthuma 1 , Anurag Vohra 1 , Benoit Bakeroot 2 , Stefaan Decoutere 1 1 比利时 imec,2 比利时 imec、CMST 和根特大学 ED1-3 ( 口头 ) 15:00 - 15:15 在低 Mg 浓度 p-GaN 上使用退火 Mg 欧姆接触层的横向 p 型 GaN 肖特基势垒二极管 Shun Lu 1 , Manato Deki 2 , Takeru Kumabe 1 , Jia Wang 3,4 , Kazuki Ohnishi 3 , Hirotaka Watanabe 3 , Shugo Nitta 3 , Yoshio Honda 3 , Hiroshi Amano 2,3,4 1 日本名古屋大学工程研究生院、2 日本名古屋大学深科技系列创新中心、3 日本名古屋大学可持续发展材料与系统研究所、4 日本名古屋大学高级研究所 ED1-4(口头) 15:15 - 15:30 高 VTH E 模式 GaN HEMT 具有强大的栅极偏置相关 VTH 稳定性掺镁 p-GaN 工程 吴柯乐 2 , 杨元霞 2 , 李恒毅 2 , 朱刚廷 2 , 周峰 1 , 徐宗伟 1 , 任方芳 1 , 周东 1 , 陈俊敦 1 , 张荣 1 , 窦友正 1 , 海陆 1 1 南京大学, 中国, 2 科能半导体有限公司, 中国 ED1-5 (口头报告) ) 15:30 - 15:45 EID AlGaN/GaN MOS-HEMT 中 Al 2 O 3 栅氧化膜下的电子态分析 Takuma Nanjo 1 , Akira Kiyoi 1 , Takashi Imazawa 1 , Masayuki Furuhashi 1 , Kazuyasu Nishikawa 1 , Takashi Egawa 2 1 Mitsubishi electric Corporation, Japan, 2 Nagoya Inst.日本科技大学
汉高 HFC半导体 HHGrace 海克思特科技 日立高科技 HLMC 堀场制作所 华海新材料 华为 华中科技大学 IBM ICleague ICMITIA ICRD IMEC Info VC Informatik 不来梅大学 中国科学院计算技术研究所 中国科学院半导体研究所 广东科学院半导体研究所 英特尔 长电科技 长电科技中芯国际(绍兴) 江苏省产业技术研究院 江苏师范大学 江阴高新区招商局 JSR 阿卜杜拉国王科技大学 King Semi Kioxia