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鲁汶天主教大学鲁汶工程学院 (UCLouvain) 正在招募三名射频器件工程博士生 (4 年)
鲁汶天主教大学鲁汶工程学院 (UCLouvain) 正在招募三名射频器件工程博士生 (4 年) 和一名博士后 (3 年)，研究在宽频率和温度范围内对绝缘体上硅 (SOI) 器件进行晶圆上特性描述和建模的先进技术。鲁汶工程学院 30 多年来一直率先推动 RF-SOI 在高频应用中的使用，并积累了数十年在该领域的经验。我们目前正在招募积极主动且感兴趣的候选人，以帮助我们研究 22 纳米以下的下一代 FD-SOI CMOS 晶体管，以解决 RF 和毫米波领域的应用，例如电信、雷达、成像、传感等。这些科学研究将在多个欧洲 Chips JU 项目 (SOIL、ArCTIC、FAMES、Move2THz) 的框架内进行。候选人将与最好的大学、研究中心（imec（比利时）、CEA-Leti（法国）等）和公司（STMicroelectronics（法国）、GlobalFoundries（德国）、SOITEC（法国）等）合作。
硅光子微电力机电相位变速器可扩展可编程光子学
可编程的光子集成电路正在成为量子信息处理和人工神经网络等应用的有吸引力的平台。但是，由于商业铸造厂缺乏低功率和低损耗相变的速度，当前可编程电路的尺度能力受到限制。在这里，我们在硅光子铸造厂平台（IMEC的ISIPP50G）上演示了具有低功率光子微电体系统（MEMS）的紧凑相位变速器。该设备在1550 nm处达到（2.9π±π）相移，插入损耗为（0.33 + 0.15 - 0.10）dB，AVπ为（10.7 + 2.2 - 1.4）V，和（17.2 + 8.8-4.3）的Lπ。我们还测量了空气中1.03 MHz的致动带f -3 dB。我们认为，我们对硅光子铸造型兼容技术实现的低损坏和低功率光子磁化相位变速杆的证明将主要的障碍提升到可编程光子集成电路的规模上。©2021美国光学协会根据OSA开放访问出版协议的条款
seadetect：开发一个自动检测系统，以减少鲸鱼碰撞风险
‡皇家比利时自然科学研究所（RBINS），运营局自然环境（OD自然），水上和地层生态学（ATECO），海洋生态与管理（Mareco），Rue Vautier 29，1000，1000，Brussels，Brussels，Bilgium§§tethys Research Institute，Tethys Research Institute，Viale G. B. B. B. B. B. B. B. Gadio 2，20122年2月2日，2012年2月2日| Greenov Ites，10 Docteur Joseph Audic，56000，法国Vannes。 13009 Marine，70 Rue Jean Doucet，16470，法国圣米歇尔»Interniversity Microectronics Center（IMEC），75 Kapeldref，3001，比利时Sirehna，5 Rue de l'albrane，44340，Buguena，Buguenais，france，弗朗西斯，弗朗西斯，弗朗西斯，弗朗西斯，弗朗西斯92 Group，5 Rue de l'Halbrane，44340，法国Bouguenais
EMLC 2024 - 在格勒诺布尔举行的“欧洲掩模和光刻会议”
与往常一样，主题演讲概述了半导体行业以及相关微纳米技术领域的发展方向和趋势。去年的重点是限制当前和未来人工智能应用的过度能耗，而 Serge Nicoleau（意法半导体）的主题演讲将这一主题扩展到半导体行业工艺的总体可持续性，即减少资源消耗并日益避免使用有毒或对环境有害的物质，如 PFAS（所谓的永恒化学物质）。Kagawa-san（佳能）、Sebastian Dauvé（CEA-LETI）和 Kurt Ronse（IMEC）的其他主题演讲涉及纳米压印光刻的现状和前景、CEA-LETI 的半导体研究计划（FAMES）和 EUV 光刻。 Kurt Ronse 的贡献尤其预测了到 2040 年纳米技术的预期发展。虽然半导体行业的领先公司即将推出具有技术节点 N2 的高端工艺（例如，最密集布线层的导体轨道宽度约为 11nm），但节点 A1 中只能实现约 6nm（！）的线宽（根据 2040 年的当前路线图）。
光子学伙伴关系委员会 - 成员
• Pierre Chastanet ，欧盟委员会 CNECT 总司微电子和光子学工业部门负责人 • Werner Steinhoegl，欧盟委员会 CONNECT 总司光子学部门负责人 • Jason Jung，欧盟委员会 CONNECT 总司 • Lutz Aschke ，Photonics Systems Holding GmbH 首席执行官 • Roberta Ramponi，AEIT-CORIFI 总裁 • Peter Seitz，欧洲滨松光子学高级技术专家 • Hugo Thienpont，布鲁塞尔光子学研究团队 B-PHOT 主任兼 VUB 教授 • Joanne Wilson，TNO 光学部研究经理 • Jean-Luc Beylat，诺基亚贝尔实验室总裁 • Thomas Rettich，TRUMPF 研究协调主管 • Jürgen Popp，莱布尼茨光技术研究所科学主任 • Jan-Erik Källhammer，Magna 瑞典视觉增强与认知系统主任 • Eric Belhaire，负责人电光技术横向集团泰雷兹 • Chris van Hoof，imec 研发副总裁 • Mike Wale，埃因霍温理工大学光子集成/工业方面教授
CV -Dr.约翰·塔萨卡斯（John Tsanakas） div>CV -Dr.约翰·塔萨卡斯（John Tsanakas） div>
CEAINES（法国）的研发项目经理 /高级研究员。负责（主要）欧盟和国家项目的协调，管理和实施。负责国际层面的网络和对接，以在太阳能，PV和智能建筑物/城市/网格领域建立联系和合作。太阳能PV和BIPV系统的主要专业知识：性能，O＆M，可靠性和诊断，数字化，资产管理和可持续性（循环经济，生态设计）。专家，在三个工作组中积极参与欧盟ETIP PV。专家，积极参与国际能源机构（IEA）的PVP计划，执行13和15的任务。由欧盟授予，是欧洲30个模范研究人员之一（MSCA活动，布鲁塞尔，2017年）。比利时（IMEC/Energyville），挪威（IFE），法国（CNRS）和希腊（Duth）的先前职位。两年参与PV标准化（IEC/Cenelec）。欧盟委员会（DG Grow）对PV的生态设计进行了2年的参与。积极参与了21个国家和国际研发项目（〜28.5 m€）。1份国际专利和40多个出版物，会谈，全体会议，技术报告。
56GBPS CPO 硅光子收发器...
卫星串行链路用于更高的数据吞吐量和更高频率的电信有效载荷，这需要更多地使用机载计算机处理，因此光学互连成为卫星上数字有效载荷的首选解决方案。特别是，数据速率的增加加剧了与电气域互连相关的挑战，其中传输距离随着比特率的增加而显著缩短。这既限制了 ASIC 的 SerDes 通道的覆盖范围，也导致需要更复杂的调制格式和更多的 DSP，这两者都会导致功耗增加。光学互连还受益于重量减轻和对 EMI 的免疫力。到目前为止，卫星有效载荷的光学收发器一直专注于基于中板 VCSEL 的技术，第一代收发器的速度为 12.5 Gb/s 1 已在轨道上演示，第二代设备的目标是 25 Gb/s，预计将在下一步演示。然而，与地面数据中心的趋势类似，数据速率现在正在增加到对直接调制 VCSEL 具有挑战性的水平，而转向 O 波段和 C 波段更常见的通信波长也带来了许多优势。共封装光学器件 (CPO) 是地面数据中心应用的新兴标准，有机会为卫星有效载荷采用类似的架构。CPO 的目标是将光收发器集成到非常靠近功能性 ASIC/FPGA 的位置，从而能够使用功率较低的短距离 SerDes 并促进更高数据速率的传输，同时保持信号完整性并减轻 EMI 效应。通过 ESA 合同“ProtoBIX”，MBRYONICS 和 imec 正在开发一种基于硅光子的收发器，该收发器从头开始设计，用于部署在卫星有效载荷上。共封装方法采用单独的 Rx 和 Tx 光子集成电路 (PIC)，以实现电吸收调制器 (EAM) 和光电二极管 (PD) 的高性能。 EAM 的优势在于它们比环形调制器具有更大的光带宽，而且与基于环形谐振器的设计相比，它们不需要波长调谐。Tx 和 Rx PIC 在 imec 的 iSiPP200 平台上制造，而定制的抗辐射调制器驱动器则在 IHP SG13RH SiGe BiCMOS 工艺 2 上设计和制造。收发器使用 NRZ 调制时的数据速率为每通道 56 Gb/s。通过详细分析，NRZ 格式被选为最有前景的格式，因为它允许使用直接驱动概念，其中 ASIC/FPGA SerDes 驱动调制器驱动器并消除了 CDR 和重定时，同时也消除了对 DSP 的需求。此外，与 56 GBd NRZ 相比，28 GBd PAM4 所需的线性度会导致显著的功率损失。
使用极化光栅的波导和光纤之间的垂直耦合
手稿于2023年12月12日收到；接受出版日期2024年1月10日；当前版本的日期2024年1月23日。Gilles Freddy Feutmba和Yu-tung Hsiao的工作得到了研究基金会的博士学位赠款基础研究 - 根据赠款1S68218和赠款1SHF924N的支持。（通讯作者：Jeroen Beeckman。）Xiangyu Xue, Brecht Berteloot, Yu-Tung Hsiao, Kristiaan Neyts, and Jeroen Beeckman are with the Liquid Crystals and Photonics Research Group, ELIS Department, Ghent University, 9052 Ghent, Belgium (e-mail: Xiangyu.Xue@UGent.be; Brecht.Berteloot@UGent.be; yutung.hsiao@ugent.be; kristiaan.neyts@ugent.be;Enes Lievens and Gilles Freddy Feutmba are with the Liquid Crystals and Photonics Research Group, ELIS Department, Ghent University, 9052 Ghent, Belgium, and also with the Photonics Research Group, Department of Information Technology, Ghent University-imec, 9052 Ghent, Belgium (e-mail: Enes.Lievens@UGent.be; GillesFreddy.Feutmba@UGent.be).lukas van Iseghem和Wim Bogaerts与比利时Ghent University-IMEC信息技术系的光子研究小组一起，比利时Ghent（电子邮件：lukas.vaniseghem@ugent.be; wim.bogaerts; wim.bogaerts@ugent.be）。本信中一个或多个数字的颜色版本可从https://doi.org/10.1109/lpt.2024.3352278获得。数字对象标识符10.1109/lpt.2024.3352278
赴法国、荷兰与比利时出席台法科技科技奖颁奖典礼及台欧盟 ...
一、會晤法國人工智慧和數位事務國務部長 .................................................... 4 二、法蘭西自然科學院年度大獎頒獎典禮 ........................................................ 5 三、拜會法國高等教育暨研究部 (MESR) ........................................................ 6 四、拜會法國國家研究總署 (ANR) .................................................................. 8 五、第 26 屆臺法科技獎頒獎典禮暨晚宴 ...................................................... 10 六、拜會荷蘭經濟事務部 (EZ) ........................................................................ 12 七、拜會駐荷蘭代表處 ...................................................................................... 15 八、拜會荷蘭研究委員會 (NWO) ................................................................... 16 九、拜會比利時法語區科學研究基金會 (FNRS) ........................................... 18 十、拜會比利時微電子研究中心 (imec) ......................................................... 20 十一、臺歐盟雙邊論壇..................................................................................................................................................................................................................................................................................... 29
Edinger, P.、Phong Van Nguyen, C.、Takabayashi, A Y.、Antony, C.、Talli, G. 等人 (2022) 具有低功耗 MEMS 调谐的分插硅环谐振器
硅光子学正迅速扩展到传感和微波光子学等新应用领域 [1]。此类应用需要可调谐滤波器，而可使用波导环形谐振器 (RR) 高效构建。此类无限脉冲响应 (IIR) 滤波器也可采用可配置的循环波导网格灵活实现，但由于光学长度较长且采用多个分立元件，因此品质因数 (Q) 和自由光谱范围 (FSR) 较低。此外，由于采用了热光驱动，当前代工平台中可用的有源元件功耗在 mW 级。基于 MEMS 的元件对于可编程电路而言颇具吸引力，因为它们可以在短光学长度内高效调整相位或功率，功耗低于 µW [2]。MEMS 执行器已用于可调 RR [3-5]，但尚未出现可控制相位和两个耦合器的紧凑型分插环。 Chu 和 Hane 展示了一种光学长度极短、谐振调谐范围大的 RR，但 Q 值限制为 1.6 × 103 [ 3 ]。Park 等人报道了完全可重构环，但 FSR 低于 0.2 nm [ 5 ]。这里，我们展示了一个分插环谐振器，其 FSR 为 4 nm，并且对相位（失谐）和两个定向耦合器均进行了模拟控制。该设备是在 IMEC 的 iSiPP50G 代工平台上实现的，经过了一些后处理步骤。