摘要。在这项工作中证明了微型四点探针技术在离子植入非均匀度映射和分析中的应用。该技术使用具有10 µm电极螺距的微米大小探针,以极大地增强了板电阻(RS)测量的空间分辨率。rs由于掺杂剂的分布或激活不均而导致的不均匀性可以通过提高的精度映射,从而更容易检测植入术扫描问题,剂量和电荷控制故障以及与退火器相关的非均匀性。该技术在空间分辨率上的出色性能优于常规四点探针测量值,这是通过晶圆边缘处的零边缘排除板电阻测量来证明的。此外,该技术用于研究等效 + +植入物之间具有相同有效能量的2 +植入物之间的潜在RS变化。最后,通过对所选的ULE植入和退火晶片进行多次测量来研究可重复性和可重复性。
没有指示手术。正确选择符合特定标准的患者(基于从随机对照试验中的史学结果),他们努力地遵守植入物的使用情况并预先实施神经肌肉康复,改善功能恢复显着的成功成功,以及减少止痛药物。接受植入多卵形神经刺激的伤害性机械CLBP患者已受到医生和康复专家的治疗,他们磨练了从事多纤维神经刺激的经验。他们已经合作制定了共识和证据驱动的指南,以提高质量外,并在遇到此设备患者时协助提供者。医师和物理治疗师一起提供精确的以患者为中心的医疗管理,并具有优质的神经肌肉康复,以鼓励患者成为其植入物的专家和优质的脊柱运动,以帮助覆盖长期以来与CLBP相关的长期多发性功能障碍。©2024作者。由Elsevier Inc.代表美国康复医学大会出版。这是CC BY-NC-ND许可证(http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/)下的开放访问文章。
Tivadar Lohner 1 、Attila Németh 2 、Zsolt Zolnai 1 、Benjamin Kalas 1 、Alekszej Romanenko 1 、Nguyen Quoc Khánh 1 、Edit Szilágyi 2 、Endre Kótai 2 、Emil Agócs 1 、Zsolt Tóth 3 、Judit Budai 4,5 、Péter Petrik 1,* 、Miklós Fried 1,6 、István Bársony 1 和 † József Gyulai 1
摘要在二维(2D)半导体制造过程中,侧向P-N连接的构建非常重要,而且具有挑战性。先前的研究表明,垂直P-N连接可以通过垂直堆叠2D材料来制备。但是,界面污染和较大面积的可扩展性是垂直堆叠技术难以克服的挑战。构建2D横向P-N同型结是解决这些问题的有效策略。在空间选择性p型掺杂2D半导体的掺杂有望构建侧面P-N均匀结构。在这项工作中,我们开发了一种低能离子植入系统,将植入能量降低至300 eV。低能植入可以形成浅植入深度,这更适合调节2D材料的电气和光学特性。因此,我们利用低能量离子植入将氮离子直接涂成几层WS 2,并成功实现了WS 2的精确调节,其电导率类型从N型转换为双极性甚至P型传导。此外,通过将其扩展到其他2D半导体(包括WSE 2,SNS 2和MOS 2)来证明该方法的普遍性。基于这种方法,横向WS 2 p-n同型被制造出来,具有显着的直径特征。还准备了基于P-N结的光电探测器,并准备了光伏效应,开路电压可以达到0.39V。这项工作为可控掺杂2D半导体提供了有效的方法。
1 雷格兰(Regrain)在 1988 年出版的《法国本土军队领土》,《地图世界》中强调的军事设施地理划分为 3 个主要区块:法兰西岛、南部地带、首都东部直至德国边境的冰川。对于“斜堤”而言,三十年战争(1618-1619年)以来主要敌人位于东北部,并且存在一条没有任何防御措施保护的边界,这解释了为什么香槟和洛林拥有众多军事基地。至于南部地带(从吉伦特省到地中海),其优势在于拥有大片人烟稀少、农业产量低下的土地,以及一些可供自由支配的区域(朗德湖)和从南部军营中增援的殖民军队的撤退地。 2 “低密度对角线”是 INSEE 根据空置房屋率等社会经济指标构建的空间类别。它从阿登地区延伸至法国西南部。
值是 n (%) 或中位数(第一四分位数-第三四分位数)。ACS,急性冠状动脉综合征;ARC;学术研究联盟,CABG;冠状动脉搭桥手术,CCS;慢性冠状动脉综合征,HBR;高出血风险,H2 阻滞剂;组胺 2 型受体拮抗剂,eGFR;估计肾小球滤过率,MI;心肌梗死,NSTEMI;非 ST 段抬高型心肌梗死,PCI;经皮冠状动脉介入治疗,P-CAB;钾竞争性酸阻滞剂,PPI;质子泵抑制剂,STEMI;ST 段抬高型心肌梗死
完整作者列表:Kuschlan,Stefano; CNR 微电子与微系统研究所 Chiarcos,Riccardo;东皮埃蒙特大学阿梅代奥阿伏伽德罗 - 亚历山德里亚校区,DISIT Laus,Michele;东皮埃蒙特大学,DISIT Perez-Murano,Francesc;巴塞罗那微电子研究所 Llobet,Jordi; IMB CNM 费尔南德斯-雷古莱兹,玛尔塔;巴塞罗那微电子研究所,纳米制造 Bonafos,Caroline; CEMES Perego,米歇尔; CNR,微电子与微系统研究所 Seguini,Gabriele; CNR、IMM、玛瑙布里安扎德米奇利斯单位、马可; CNR 微电子与微系统研究所 Tallarida,Graziella;国家研究委员会微电子与微系统研究所,Agrate Brianza 单位
中风仍然是用左心室辅助装置(LVAD)治疗的心力衰竭患者并发症和死亡率的主要原因。血液动力学起着LVAD中风后风险和病因的核心作用。然而,对血液动力学变量的详细定量评估及其与LVAD支持患者的中风结果的关系仍然是一个挑战。用于植入后血液动力学的植入前评估的方式可以帮助应对这一挑战。我们为数字双胞胎队列的12例LVAD支持介绍了一硅血流动力学分析; 6报告了中风结果,而没有6个。对于每个患者,我们创建了一个后植物双胞胎,其LVAD流出移植物从心脏门控的CT图像中重建;以及通过去除LVAD流出移植物和从主动脉瓣开口的驱动流量来估计基线流的前植物双胞胎。使用描述符来表征螺旋流,涡流产生和壁剪应力的表征。与没有中风的病例相比,在6例中,螺旋流动,涡流产生和壁剪应力的描述符的平均值更高。将LVAD驱动流动的描述符与估计的植入前流量进行比较时,正螺旋的程度较高,与没有的情况相比,中风的病例中的涡度和壁剪较低。我们的研究表明,LVAD植入后血液动力学的定量分析。从植入前的流动场景中进行的血液动力学改变可能会揭示与LVAD支持期间中风结果相关的隐藏信息。这对理解中风病因具有广泛的影响;并使用患者数字双胞胎进行LVAD治疗计划,手术优化和功效评估。
1个心脏病学,心脏手术和心脏肺移植,ERN Guard Heart,BambinoGesù医院和研究所,IRCCS,意大利罗马市IRCCS,2 2 di di Politecnico di Politecnico di Politecnico di Politecnico di di di di,意大利,意大利,3个心血管干预措施,儿童纪念馆,沃尔萨夫人,沃尔萨夫人,沃尔萨夫人,沃尔萨夫人。儿科,Stollery Children's Hospital,加拿大埃德蒙顿,加拿大埃德蒙顿,5个儿科心脏病学系,意大利帕德多瓦大学,帕多瓦大学,6个儿科心脏病学部,伦敦皇家布罗姆普顿医院,英国皇家医院,7流行病学,临床途径和临床风险单位,临床途径和临床风险单位,医疗服务Nantes,儿科心脏病学和儿科心脏手术系,FHU Pecicare,法国南特,9小儿介入心脏病学部门,Vall D'Hebron Hospital,Barcellona,西班牙,西班牙10号,先天性心脏病和小儿心脏病学系,Deutsches Herzzentrum Mirummouzunchennchennchennchennchen,Mutiarum Miudiachennchen,心脏病学和先天性心脏病的成年人,埃维利娜儿童医院,伦敦,英国,心脏病学12,儿童医疗保健,亚特兰大,亚特兰大,亚特兰大,佐治亚州,乔治亚州,