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已确认的全体会议和特邀发言人
NTT 300 GHz 频段 InP HBT 功率放大器和 InP-CMOS 混合相控阵发射器 Alyosha C. Molnar 康奈尔大学 超越 CMOS 的 N 路径混频器 Pascal Chevalier ST Microelectronics 用于有线、无线和卫星通信应用的 55 纳米柔性 SiGe BiCMOS 技术 Takuya Maeda 东京大学 ScAlN/GaN 电子设备应用特性 Trevor Thornton 亚利桑那州立大学 高功率器件的金刚石-BN 异质结：终极 HEMT ? Jim Sowers Maxar Space Infrastructure 商业通信卫星有效载荷中的 III-V 族半导体 Kenle Chen 中佛罗里达大学 用于下一代无线通信的负载调制平衡放大器 Bernhard Grote NXP 基站 GaN HEMT 和 GaN PA 技术进展 Lan Wei 滑铁卢大学 基于物理的单片 GaN 集成模型系列 Larry Dunleavy Modelithics Inc.，南佛罗里达大学
用（计算机）鼠标查看：如何揭示问题……
1 大学。格勒诺布尔阿尔卑斯, CNRS, 格勒诺布尔 INP, LJK, 38000 格勒诺布尔, 法国 2 雷恩大学 2, LP3C EA 1285, 35000 雷恩, 法国 3 大学格勒诺布尔阿尔卑斯大学。Savoie Mont Blanc，LIP/PC2S，38000 Grenoble，法国 这项工作得到了 Pôle Grenoble Cognition 和法国国家研究机构在“Investissements d'avenir”计划 ANR-15-IDEX-02 和 ANR-11-LABX-0025-01 框架内的支持。我们感谢 Alisée Bruno 在实验 1 中对数据收集的帮助。*通讯作者：Annique Smeding，BP 1104，73011 Chambéry cedex，法国。电话：+33 4 79 75 85 89；电子邮件：annique.smeding@univ-smb.fr Jean-Charles Quinton，LJK - Bâtiment IMAG， 700 Avenue Centrale, 38401 Domaine Universitaire de Saint-Martin-d'Hères，电话：+33 4 57 42 17 78，电子邮件：quintonj@univ-grenoble-alpes.fr
M. Cito、R. Baba、D. Childs、BA Harrison、A. Watt、T. Mukai、RA Hogg，“Resona 中结构无序的微光致发光表征
我们研究了宏观 PL 和 μPL（激发和检测面积 ≤ 5µm 2 ）之间的差异。低温微光致发光 (μPL) 用于评估不同长度尺度上高电流密度 InGaAs/AlAs/InP 谐振隧道二极管 (RTD) 结构的结构完整性。薄且高应变的量子阱 (QW) 会受到阱和势垒厚度单层波动的影响，这会导致其能带轮廓发生随机波动。使用常见的光刻掩模减小激光光斑尺寸以达到典型的 RTD 台面尺寸（几平方微米），从而执行 μPL。我们观察到，对于 1μm 2 左右的光斑尺寸，PL 线形在晶圆上的多个点上表现出很大的差异。通过线形拟合研究了 PL 中的这些变化，并根据应变弛豫过程带来的长程无序变化进行了讨论。我们还强调这种 μPL 是一种强大且经济高效的 RTD 结构无损表征方法。
国防、安全与空间及巴黎 2024 论坛
简历：Pr C. GAQUIERE 是 MC2 Technologies 的总经理兼联合创始人，该公司成立于 2004 年（95 人）。在此之前，Gaquiere 先生是里尔大学的全职教授，并在微电子和纳米技术研究所 (IEMN) 开展研究活动。研究主题涉及 1 至 500GHz 的 HEMT 和 HBT 器件的设计、制造、特性和建模。他从事过 GaAs、InP、变质 HEMT 和 GaN 活动。2003 年至 2007 年，他负责 Thales TRT 和 IEMN 共同实验室的微波特性部分，重点研究宽带隙半导体（GaN、SiC 和金刚石）。2007 年至 2018 年，他负责 ST 微电子和 IEMN 共同实验室的硅毫米波先进技术部分。Christophe Gaquière 是 150 多篇出版物和 300 多篇通讯的作者或合著者。
光子晶体腔中量子点的 Purcell 增强电信波长单光子
量子点是电信单光子源的有希望的候选者，因为它们的发射可以在不同的低损耗电信波段上进行调谐，从而与现有的光纤网络兼容。它们适合集成到光子结构中，可以通过 Purcell 效应增强亮度，从而支持高效的量子通信技术。我们的工作重点是通过液滴外延 MOVPE 创建的 InAs/InP QD，以在电信 C 波段内运行。我们观察到 340 ps 的短辐射寿命，这是由于 Purcell 因子为 5，这是由于 QD 集成在低模体积光子晶体腔内。通过对样品温度的原位控制，我们展示了 QD 发射波长的温度调谐和在高达 25K 的温度下保持的单光子发射纯度。这些发现表明基于 QD 的无低温 C 波段单光子源的可行性，支持其在量子通信技术中的应用。
自旋电子学和元件技术（SPINTEC）
SPINTEC 在全球范围内融入了非常丰富的格勒诺布尔研究生态系统。该部门所在的 CEA 环境在分析期间进行了重组，这特别导致了 2016 年初纳米结构和磁学 - NM 团队的整合。该部门目前隶属于格勒诺布尔跨学科研究所 (IRIG) 的纳米物理系 (DEPHY)。更普遍地说，SPINTEC 受益于与其他 CEA 单位的互动，包括用于技术开发的 LETI、与 CNRS 站点的邻近单位（Institut Néel、LNCMI）以及与 Minatec、Giant 和 Université Grenoble Alpes 环境的互动。该单位也是 LANEF labex 和 CNRS、UGA 和格勒诺布尔 INP 的微纳米技术联合会 FMNT 的一部分。最后，它隶属于 COMUE UGA 的物理学博士学院 (EDPhy) 和工程学博士学院 (EEATS)。单位管理
巴黎高科大学博士 T H È S E 国立高等学校 ...
评审团 Michel BASSET 先生，上阿尔萨斯大学 MIPS 大学教授 评审团主席 François PIERROT 先生，蒙彼利埃大学 LIRMM CNRS 研究主任 报告员 Eric MARKIEWICZ 先生，LAMIH 大学教授，UVHC 报告员 Mr. . Floren COLLOUD，普瓦捷大学 PPrime 学院讲师 考官 Jérémy 先生LEGARDEUR，教授，IMS，ESTIA 考官 Mr. Philippe VIOT，大学教授，I2M，艺术与工艺巴黎高科考官 Sandra GUERARD 女士，讲师，I2M，艺术与工艺巴黎高科考官 Mr. Patrick LANUSSE，讲师，IMS，波尔多 INP 考官先生Philippe ROUCHE，巴黎高科艺术与工艺学院 LBM 教授 嘉宾 Peyo 先生LIZARAZU，Quiksilver Guest 创新总监
维里马格实验室
Verimag 创建于 1993 年，最初是与 Verilog 公司的混合工业单位，然后从 1997 年开始，作为与 CNRS 、约瑟夫·傅立叶大学（格勒诺布尔 1）和格勒诺布尔 INP 的联合 UMR。2006 年之前，Verimag 由 Joseph Sifakis 管理，此后由 Nicolas Halbwachs 管理。实验室进行的一般研究领域涉及嵌入式计算机系统的设计和验证，倾向于采用形式化方法。现有固定人员41人（教师研究员23人，研究员8人，工程师6人，行政人员4人），其中博士后、合同工10余人，博士生30余人。Verimag 位于约瑟夫·傅里叶大学 (Joseph Fourier University)，位于圣马丁德埃雷斯 (Saint-Martin d’Hères) 和吉埃雷斯 (Gi`eres) 大学校园边缘的两栋建筑内。
从密度泛函理论系统地调整二元 III-V 半导体的应变诱导带隙
III-V 半导体带隙性质和大小的改变对于光电应用具有重要意义。应变可用于系统地在很宽的范围内调整带隙，并引起间接到直接 (IDT)、直接到间接 (DIT) 和其他带隙性质的变化。在这里，我们建立了一种基于密度泛函理论的预测从头算方法来分析单轴、双轴和各向同性应变对带隙的影响。我们表明系统性变化是可能的。对于 GaAs，在 1.52% 各向同性压缩应变和 3.52% 拉伸应变下观察到 DIT，而对于 GaP，在 2.63 各向同性拉伸应变下发现 IDT。我们还提出了一种通过将双轴应变与单轴应变相结合来实现直接-间接转变的策略。确定了应变 GaSb、InP、InAs 和 InSb 的进一步转变点，并与元素半导体硅进行了比较。因此，我们的分析为二元 III-V 半导体中的应变诱导带隙调整提供了一种系统且可预测的方法。
具有超高调制效率的薄膜锂调节剂
薄膜硅锂（基于TFLN）的电气调节器由于其宽带宽度，高消光比和低光学损失，因此在宽带光学通信中具有广泛的应用。然而，与基于硅和磷酸二磷脂（INP）的同行相比，TFLN表现出较低的调制效率。同时达到低驾驶电压和广泛的调节带宽会带来重大挑战。为了解决此限制，本文提出了进入设备的透明导电氧化物，导致超高调制的效率为1.02 V cm。制造的复合电极不仅达到了高调制的效率，而且还具有高的电磁带宽，正如108 GHz时的3 dB rol-O摄取所证明的，PAM-4信号在224 GBIT S-1处得到了传播。制造的设备为低成本，高性能调节器提供了新颖的解决方案，从而促进了基于TFLN的多通道光学发射器芯片的缩小尺寸。