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在电信 C 波段附近的金属有机气相外延中通过改进的液滴外延在 InGaAsP/InP(100) 上自组装 InAs 量子点，用于量子光子应用
这些材料在激光中被广泛应用，包括作为激光器中的活性介质[3-5]、作为量子信息技术的纯单光子和纠缠光子对源[6]、以及作为新型纳米存储器件的构建块。[7-9] 特别是 InAs/InP 量子点，由于其与 1.55 μ m 的低损耗电信 C 波段兼容，目前作为单光子发射器非常有吸引力。[10,11] 金属有机气相外延 (MOVPE) 中的液滴外延 (DE) 是一种新近且非常有前途的 QD 制造方法，因为它结合了大规模外延技术和多功能外延方法。[12-15] 这是一种相对较新的工艺，其生长动力学尚未完全了解，特别是对于与电信波长兼容的 III-V 材料系统，例如 InAs/InP。因此，它在制造用于广泛应用的电信 QD 方面具有巨大的发展潜力。此外，使用 InP 作为基质材料可以实现 InAs 量子发射体的生长，而无需任何额外的变质缓冲剂（例如 AlInAs/GaAs）。[16 – 18]
在海洋集合模拟中量化拉格朗日粒子分散的变异性：信息理论方法
1 Utrecht University, Institute for Marine and Atmospheric Research, Princetonplein 5, 3584 CC Utrecht, Netherlands 2 Mediterranean Institute of Advanced Studies (IMEDEA, UIB-CSIC), Esporles, Spain 3 Utrecht University, Debye Institute for Nanomaterials Science & Institute for Sustainable and Circular Chemistry, Inorganic Chemistry and Catalysis,荷兰荷兰UTRECHT USITEITITITSWEG 99，3584 CG UTRECHT，GRENOBLE ALPES，CNRS，INRAE，IRD，IRD，GRENOBLE INP，INP INP，INTITUT desgésosciencesde l'evournornement（Ige）
免疫治疗应用中的无机纳米颗粒功能化策略
纳米技术越来越多地用于抗癌治疗，从而提高了治疗有效性，同时最大程度地减少了不良影响。无机纳米颗粒（INP）是普遍的纳米载体，适用于广泛的抗癌应用，包括治疗剂，成像，靶向药物递送和治疗学，因为它们具有优质的生物相容性，独特的光学特性，独特的光学特性以及通过多功能表面功能化修饰的能力。在过去的几十年中，在这个新兴的免疫治疗领域中，INP的高适应性使它们成为肿瘤免疫疗法和联合免疫疗法的良好携带者选择。肿瘤免疫疗法需要针对肿瘤位置或免疫器官的免疫调节疗法的靶向输送，以引起免疫细胞并诱导肿瘤特异性免疫反应，同时调节免疫稳态，尤其是切换肿瘤免疫抑制微抑制微环境。本评论探讨了各种INP设计和配方，以及它们在肿瘤免疫疗法和联合免疫疗法中的就业。我们还引入了利用表面工程策略来创建多功能INP的详细演示。生成的INP证明了刺激和增强免疫反应，特定靶向以及调节癌细胞，免疫细胞及其常驻微环境的能力，有时以及成像和跟踪能力，暗示它们在多任务中的免疫疗法中的潜力。此外，我们讨论了肿瘤治疗中基于INP的组合免疫疗法的承诺。
固体薄膜 799 (2024) 140399
微转移打印 (µ TP) 是一种很有前途的技术，可用于将 III-V 材料异质集成到基于 Si 的光子平台中。为了通过增加 III-V 材料和 Si 或 SiO 2 表面之间的粘附性来提高打印产量，通常使用像苯并环丁烯这样的粘附促进剂作为中间层。在这项工作中，我们展示了在没有任何粘合剂中间层的 SiO 2 中间层上基于 InP 的试样的 µ TP，并研究了无粘合剂键合的机理。源试样是基于 InP 的试样堆栈，位于牺牲层上，该牺牲层通过使用 FeCl 3 的化学湿法蚀刻去除。对于目标，我们在 8 英寸晶圆上制造了非晶硅波导，并用高密度等离子 SiO 2 封装，并通过化学机械抛光程序进行平坦化。我们使用 O 2 等离子体激活源和目标，以增加试样和基板之间的粘附性。为了更好地理解键合机理，我们应用了几种表面表征方法。利用原子力显微镜测量了等离子体激活前后 InP 和 SiO 2 的均方根粗糙度。利用光学台阶仪估算目标晶圆上微转移印刷源试样的台阶高度。利用 InP 的拉曼峰位置映射来分析等离子体激活前后 SiO 2 上可能的应变和接触角测量值，以观察表面亲水性的变化。利用 X 射线光电子能谱分析来表征 InP 源的 P2p、In3d、O1s 以及 SiO 2 目标的 Si2p、O1s 的表面能态。我们的结果表明，无需应变补偿层，就可以通过 µ TP 直接键合 InP 试样。这样，为使用 µ TP 进行 InP 异质集成提供了一种与互补金属氧化物半导体兼容的有希望的途径。
朝向连贯的O波段数据中心互连
ntegrated Photonics已使数字通信时代依靠各级的光网络以非常高的速度和低成本传输数据。大规模数据中心需要高度集成的成本效益的光学通信解决方案，因为数据中心互连已成为主要成本因素之一。与光学互连相关的技术和经济必需品促进了当今普遍存在的1,300–1,600 nm范围内使用的两种综合光子技术平台的开发和快速成熟。这些平台通常用其材料基础来计数：（1）硅光子学和（2）基于磷化物（INP）基于磷化物（INP）的集成光子学。这两个平台的重要性远远超出了光电收发器和光学通信。硅光子学和基于INP的光子学都在Terahertz的产生和传感，高速信号处理以及潜在的神经形态计算中发现了应用。尽管硅光子学比INP整体光子学具有明显的优势，例如其可扩展性高达300毫米的晶片，并通过高速电子设备与高速电子设备协调，但使用INP 1、2实现了最终和基准的光电测量。基于INP的波导耦合光二极管，即使是几年前，也已经证明了170 GHz的3-DB带宽（F 3-DB），竞争激烈，竞争激烈，竞争势力为0.27 a w-1（参考文献3）。相比之下，在主要硅光子平台上可用的锗光二极管通常显示在50-70 GHz范围内的带宽（参考文献。4 - 7）。以外，具有F 3-DB≈120GHz和相当高的深色cur的细菌光电二极管的演示脱颖而出，由于测量限制8，关于带宽的不确定性8。在本文中，我们证明了一个真正的硅光子光子检测器，从光扣带宽和响应性方面接近最终性能，这是一种基于表面上种植的锗的硅波导偶联P – I-N光电二极管。我们的锗光电二极管显示超过260 GHz
Hasselt Diamond Workshop 2024 SBDD XXVIII
2024年2月27日，星期二18：00 - 19:00在The Express By Holiday Inn的注册。2024年2月28日，星期三，08：20 - 08:50在Hasselt的登记。08:50 - 09:00开放“ Hasselt Diamond Workshop 2024 - SBDD XXVIII”。 会议1钻石设备技术主席：肯·海恩（Ken Haenen），哈塞尔特大学（Hasselt University＆IMEC VZW），比利时，09：00 1.1（被邀请）钻石热对摩尔（M. Weippert 1，T。Fehrenbach2，S。Leone1，J。Kustermann1，J。Engels1，L。Kirste1，M。Ohnemus2，C。Wild2和P. Knittel 1 1 1 1 Fraunhofer IAF，Fraunhofer Institute用于应用固态物理学，79108 Freiburg，Germany。 2钻石材料GmbH，79108 Freiburg，德国。 9:50 1.3使用电子束D.D. Tran 1,2,3，F.Donatini 1，C.Mannequin 3,4，M.Regnier 1,2,3，E.Gheeraert 1,2,3 1 Univ。 Grenoble Alpes，CNRS，Grenoble INP，Institut Neel，38000 Grenoble，法国。 2纯和应用科学学院应用物理研究所，杜斯库巴大学，杜斯库巴大学，日本305-8573。 3日本法国半导体物理和技术实验室J-fast，CNRS，Grenoble Alpes，Grenoble INP，日本Tsukuba大学Grenoble INP。 4 CNRS-NANTES UNICETITE-INSTITUT DES MATERIAUX de NANTES JEAN ROUXEL。 10:10咖啡休息（大宴会厅）08:50 - 09:00开放“ Hasselt Diamond Workshop 2024 - SBDD XXVIII”。会议1钻石设备技术主席：肯·海恩（Ken Haenen），哈塞尔特大学（Hasselt University＆IMEC VZW），比利时，09：00 1.1（被邀请）钻石热对摩尔（M. Weippert 1，T。Fehrenbach2，S。Leone1，J。Kustermann1，J。Engels1，L。Kirste1，M。Ohnemus2，C。Wild2和P. Knittel 1 1 1 1 Fraunhofer IAF，Fraunhofer Institute用于应用固态物理学，79108 Freiburg，Germany。2钻石材料GmbH，79108 Freiburg，德国。 9:50 1.3使用电子束D.D. Tran 1,2,3，F.Donatini 1，C.Mannequin 3,4，M.Regnier 1,2,3，E.Gheeraert 1,2,3 1 Univ。 Grenoble Alpes，CNRS，Grenoble INP，Institut Neel，38000 Grenoble，法国。 2纯和应用科学学院应用物理研究所，杜斯库巴大学，杜斯库巴大学，日本305-8573。 3日本法国半导体物理和技术实验室J-fast，CNRS，Grenoble Alpes，Grenoble INP，日本Tsukuba大学Grenoble INP。 4 CNRS-NANTES UNICETITE-INSTITUT DES MATERIAUX de NANTES JEAN ROUXEL。 10:10咖啡休息（大宴会厅）2钻石材料GmbH，79108 Freiburg，德国。9:50 1.3使用电子束D.D. Tran 1,2,3，F.Donatini 1，C.Mannequin 3,4，M.Regnier 1,2,3，E.Gheeraert 1,2,3 1 Univ。 Grenoble Alpes，CNRS，Grenoble INP，Institut Neel，38000 Grenoble，法国。 2纯和应用科学学院应用物理研究所，杜斯库巴大学，杜斯库巴大学，日本305-8573。 3日本法国半导体物理和技术实验室J-fast，CNRS，Grenoble Alpes，Grenoble INP，日本Tsukuba大学Grenoble INP。 4 CNRS-NANTES UNICETITE-INSTITUT DES MATERIAUX de NANTES JEAN ROUXEL。 10:10咖啡休息（大宴会厅）9:50 1.3使用电子束D.D. Tran 1,2,3，F.Donatini 1，C.Mannequin 3,4，M.Regnier 1,2,3，E.Gheeraert 1,2,3 1 Univ。Grenoble Alpes，CNRS，Grenoble INP，Institut Neel，38000 Grenoble，法国。2纯和应用科学学院应用物理研究所，杜斯库巴大学，杜斯库巴大学，日本305-8573。3日本法国半导体物理和技术实验室J-fast，CNRS，Grenoble Alpes，Grenoble INP，日本Tsukuba大学Grenoble INP。4 CNRS-NANTES UNICETITE-INSTITUT DES MATERIAUX de NANTES JEAN ROUXEL。10:10咖啡休息（大宴会厅）
表面的电荷注入和能量转移...
摘要：表面钝化是防止表面氧化和改善纳米晶体量子点 (QD) 发射性能的关键方面。最近的研究表明，表面配体在确定基于 QD 的发光二极管 (QD-LED) 的性能方面起着关键作用。本文研究了 InP/ZnSe/ZnS QD 的封端配体影响 QD-LED 亮度和寿命的潜在机制。电化学结果表明，高发光 InP/ZnSe/ZnS QD 表现出取决于表面配体链长度的调制电荷注入：配体上的短烷基链有利于电荷向 QD 传输。此外，光谱和 XRD 分析之间的相关性表明，配体链的长度可调节配体-配体耦合强度，从而控制 QD 间能量传递动力学。本研究的结果为表面配体在 InP/ZnSe/ZnS QD-LED 应用中的关键作用提供了新的见解。
基于生态系统的全球沿海地区改编（热带适应）
UBP Sep Act Nov Done Jebr Mebr Malic Debs Art Jeb Wear Art Jebr Mebr Mebr Mebr Mebr Mebr Mebr Mebr Mebr Mebr Mebr缅因州INP>UBP Sep Act Nov Done Jebr Mebr Malic Debs Art Jeb Wear Art Jebr Mebr Mebr Mebr Mebr Mebr Mebr Mebr Mebr Mebr Mebr缅因州INP>
