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硅光子学的高精度III-V激光芯片组件
IMEC正在扩展其硅光子平台“ ISIPP”的功能，并具有经过验证的混合激光积分界面，从而使IIII-V激光器和放大器的高通量晶片尺寸翻转芯片组装能够。与开发合作伙伴Sivers Photonics和ASMPT合作，参考接口设计和组装过程是为来自Sivers INP 100产品平台的Flip-Chip键合DFB激光器而创建的，其精度为0.5μm，使得可重复的耦合损失在2DB和Waveguide-couped-couped and As高度符合40mmw。该技术现在可以通过原型运行来进行探路和早期产品开发，针对广泛的应用，包括光学通信，光学3D传感（LIDAR），生物光音，高精度计量学，气体传感等。
可靠的密度功能理论预测...
comp。材料计算。∆ e计算。∆ E change PBE (iii) LiF c 10.00 f 8.84 -1.16 NaF c 7.11 f 6.15 -0.97 Mg2F4 c 7.52 f 6.84 -0.68 CaF2 c 7.70 f 7.16 -0.54 SrF2 c 7.27 f 6.83 -0.44 Tl3AsSe3 c 1.16 f 0.74 -0.41 RbF c 5.92 f 5.52 -0.40 Li2I2O6 c 3.30 f 3.81 0.50 (ix) Bi4Cs6I18 f 2.32 i 2.40 0.07 (x) KTaO3 h 2.16 i 2.26 0.10 PBE0 (iii) LiF c 13.45 f 12.29 -1.16 NaF c 10.22 f 9.31 -0.91 Mg2F4 c 10.80 f 10.17 -0.62 CaF2 c 10.63 f 10.14 -0.49 SrF2 c 10.21 f 9.74 -0.47 (vi) Os2As4 b 2.04 e 2.13 0.09 (vii) Fe2P4 d 2.27 e 2.50 0.23 Os2As4 d 1.94 e 2.13 0.18 KTaO3 d 4.32 e 4.45 0.13 AuRb d 0.78 e 0.90 0.12 InP d 1.88 e 1.98 0.10 LiZnAs d 2.10 e 2.19 0.10 (ix) Os2As4 f 2.04 i 2.13 0.09 (x) Os2As4 h 1.94 i 2.13 0.19 KTaO3 h 4.32 i 4.45 0.13 AuRb h 0.82 i 0.94 0.12 CdI2 h 4.05 i 4.16 0.11 InP h 2.03 i 2.12 0.10 SB2TE3 H 1.14 I 1.23 0.09 a：对于比较（i） - （iv），离群值的幅度> 0.4 eV显示，而对于比较（vi），（vii），（ix），（ix）和（x），列出了> 0.09 ev。比较（V）和（VIII）未列出。具体的变化本质上是随机的。
通过纳米线阵列的毛细管上升润滑实现抗润滑剂耗竭的光滑液体注入多孔表面
通过纳米线阵列的毛细管上升润滑实现润滑剂耗尽的抗滑动液体注入多孔表面 Hong Huy Tran、Youngjin Kim、Céline Ternon、Michel Langlet、David Riassetto、* 和 Daeyeon Lee* Hong Huy Tran、Youngjin Kim 博士、Céline Ternon 教授、Michel Langlet 博士、David Riassetto 教授 Univ.格勒诺布尔阿尔卑斯、法国国立科学研究院、格勒诺布尔 INP（格勒诺布尔阿尔卑斯大学工程学院）、LMGP、38000 格勒诺布尔、法国 电子邮件：david.riassetto@grenoble-inp.fr Daeyeon Lee 教授 宾夕法尼亚大学化学与生物分子工程系，宾夕法尼亚州费城 19104，美国 电子邮件：daeyeon@seas.upenn.edu 关键词：液体注入表面、润滑剂消耗、润湿脊、ZnO 纳米线阵列、毛细管作用 尽管润滑剂在各种应用中都具有良好的前景，但随着时间的推移，润滑剂的消耗会带来
特刊
自从 1981 年 Mimura 博士展示出第一个高电子迁移率晶体管 (HEMT) 以来，HEMT 得到了迅速发展，并在不同的材料系统中商业化，用于各种应用。在早期开发阶段，基于 AlGaAs/GaAs、GaAs/InGaAs 和 InP 的 HEMT 被广泛应用于高速电子通信应用中，具有出色的噪声和功率性能。GaN HEMT 的发展为更多应用打开了大门，例如电力电子、毫米波频率系统、生物传感和抗辐射电子。最近，基于 AlGaN 和 Ga2O3 的超宽带隙材料 HEMT 已被引入并显示出令人鼓舞的结果。本期特刊将介绍创新的 HEMT 设备、基于 HEMT 技术的应用、HEMT 相关材料研究，包括外延生长、材料特性和制造技术以及 HEMT 模拟。
带间级联激光器耐久性的检验
这种新型 ICL 激光器能够高效工作，覆盖从 2 μm 以下到 11 μm 以上的大范围中红外波长 [2-8] 。此外，近年来，这种激光器已经在商业上可用 [7]，用于化学传感、成像和工业过程控制等实际应用。尽管如此，它们仍然价格昂贵，供应商很少，交货时间相对较长。部分原因是 ICL 的 Sb 基 III-V 材料和相关器件制造技术不太成熟，而且与更成熟的 InP 和 GaAs 基材料体系相比，Sb 基材料的生长资源有限。因此，与其他半导体激光器（如带内量子级联激光器（QCL）[9] ）相比，在 ICL 开发上投入的努力非常有限。ICL 的许多方面尚未探索或仍处于早期阶段。
在不同电压应力下在空气中实现阴极定向流光模型。
¹Univ. Grenoble Alpes，CNRS，Grenoble INP*，G2Elab，Grenoble，38031，法国 *francis.boakye-mensah@g2elab.grenoble-inp.fr 摘要 - 为了在气候变化法规日益严格的情况下找到 SF 6 的可行替代品，应该对压缩空气等替代品进行适当的评估。对于中压应用，耐受电压被用作尺寸标准，这取决于流光的引发和传播，而流光是电击穿的前兆。为了优化设计，应该通过预测模型从实验和数值上彻底研究在不同应力、压力等条件下此类放电的引发和传播机制。到目前为止，大多数数值研究都是通过自制代码完成的，因为由于此类计算的复杂性和非线性，商业软件中不易获得流光模型。最近，随着商业有限元软件COMSOL™Multiphysics 等离子体模块稳健性的增强，可以开发具有合理精度的流光放电模型。
使用纵横比捕获和界面失配生长方法在 (001) Si 衬底上 MOCVD 生长 GaSb 的比较 Billy Lai、Qiang Li、Kei May
GaSb 在长波长器件中有许多应用，例如带间级联激光器和红外光电探测器 [1-2]。将 GaSb 相关材料单片集成到硅上对于扩展长波长器件的功能和硅平台上的光子集成具有很高的吸引力 [3]。此外，考虑到现代智能手机中红外设备（包括传感器和投影仪）的日益普及，集成到硅上是降低制造成本、减小尺寸和提高产量的有效解决方案。然而，与 GaAs/Si 和 InP/Si 材料系统相比，GaSb/Si 异质外延还远未成熟。在本研究中，以在 GaAs 衬底上生长的 GaSb 为参考，我们研究了两种不同的集成方案：在 GaAs-on-Si 模板上进行 GaSb 的界面失配 (IMF) 生长和使用长宽比捕获技术直接在 V 型槽 Si 上生长 GaSb。
Lorenz -96学习机器学习 - 开放期刊
1哥伦比亚大学拉蒙特·多尔蒂（Lamont Doherty）地球天文台2库兰特数学科学研究所，纽约大学3大气与海洋科学课程，普林斯顿大学4地球与环境工程，哥伦比亚大学5号，哥伦比亚大学5皇后玛丽玛丽大学伦敦皇后大学6 Univ 6 Univ。Grenoble Alpes，CNRS，IRD，Grenoble INP，INRAE，IGE，IGE，38000 GRENOBLE，法国7海洋建模和数据同化部，Fondazione Centro Euro -Mediterraneo Suii suii cambiamenti cambiamenti chilcatigi cliaigiani -cmcc 8马萨诸塞州理工学院的地球，大气和行星科学部11地球，大气和行星科学系11国家大气研究中心13纽约大学14哥伦比亚大学哥伦比亚大学哥伦比亚气候学校15 Schmidt Futures
2D金属和有机框架中的带结构工程
伊斯兰阿扎德大学德黑兰医学科学学院药物学系，伊朗伊朗伊斯兰艾尔兰大学，伊朗B酿酒和饮料技术主席Facultod de Ciencias Para El Cuidado de la Salud, Universidad San Sebastian, Campus Las Tres Pascualas, Lientur 1457, 4080871 Concepci ´, Chile d University ´ and Clermont Auvergne, Clermont Auvergne Inp, CNRS, Institut Pascal, F-63000 Clermont-Ferrand, France and Institut法国大学（IUF），1街笛卡尔，75005巴黎，法国F贝尔格莱德大学，VINCA核科学研究所，塞尔维亚国立共和国研究所，迈克·佩特罗维卡·阿拉萨（Mike Petrovica Alasa）12-14，贝尔比亚11000，塞尔维亚G研究所，塞尔维亚G研究所，塞尔维亚G研究所，塞尔维亚G研究所，塞尔维亚G研究所，塞尔维亚G研究所（Compos，Composites and Campi and Biomarials）（IPCBI）（IPCBI）。 Flegrei 34，80078 Pozzuoli，意大利伊斯兰阿扎德大学德黑兰医学科学学院药物学系，伊朗伊朗伊斯兰艾尔兰大学，伊朗B酿酒和饮料技术主席Facultod de Ciencias Para El Cuidado de la Salud, Universidad San Sebastian, Campus Las Tres Pascualas, Lientur 1457, 4080871 Concepci ´, Chile d University ´ and Clermont Auvergne, Clermont Auvergne Inp, CNRS, Institut Pascal, F-63000 Clermont-Ferrand, France and Institut法国大学（IUF），1街笛卡尔，75005巴黎，法国F贝尔格莱德大学，VINCA核科学研究所，塞尔维亚国立共和国研究所，迈克·佩特罗维卡·阿拉萨（Mike Petrovica Alasa）12-14，贝尔比亚11000，塞尔维亚G研究所，塞尔维亚G研究所，塞尔维亚G研究所，塞尔维亚G研究所，塞尔维亚G研究所，塞尔维亚G研究所（Compos，Composites and Campi and Biomarials）（IPCBI）（IPCBI）。 Flegrei 34，80078 Pozzuoli，意大利
来自光子门的多个时间顺序的量子叠加中的计算优势
1DeFísica研究所，里约热内卢联邦大学，P。O. Box 68528, Rio de Janeiro 21941-972, Brazil 2 ICFO-Institut de Ciencies Photoniques, The Barcelona Institute of Science and Technology, Castelldefels, Barcelona 08860, Spain 3 Departament de Física, Universidad de Concepción, Concepción 160-C, Chile 4, Chile 4 Anid-Millennium Science Iniative Program Millennium Opitics研究所，DeConcepción大学，Concepción，Concepción160-C，智利5 Depranciment deIngenieríaEléctric，Catulica de la laSantísimaConcepción，Alonso de ribera de Ribera 2850，concepcioun，Chilepción日内瓦大学应用物理学，日内瓦大学1211，瑞士7大学。 Grenoble Alpes，Inria，Grenoble 3800，法国8量子光学和量子信息研究所（IQOQI），奥地利科学学院，Boltzmanngasse 3，维也纳1090，奥地利，奥地利9 Univ Grenoble Alpes，CNRS，Grenoble INP，InstitutNél，Grenoble 38000，法国10量子研究中心，技术创新研究所，阿布扎比，阿拉伯联合酋长国，阿拉伯联合酋长国1DeFísica研究所，里约热内卢联邦大学，P。O.Box 68528, Rio de Janeiro 21941-972, Brazil 2 ICFO-Institut de Ciencies Photoniques, The Barcelona Institute of Science and Technology, Castelldefels, Barcelona 08860, Spain 3 Departament de Física, Universidad de Concepción, Concepción 160-C, Chile 4, Chile 4 Anid-Millennium Science Iniative Program Millennium Opitics研究所，DeConcepción大学，Concepción，Concepción160-C，智利5 Depranciment deIngenieríaEléctric，Catulica de la laSantísimaConcepción，Alonso de ribera de Ribera 2850，concepcioun，Chilepción日内瓦大学应用物理学，日内瓦大学1211，瑞士7大学。 Grenoble Alpes，Inria，Grenoble 3800，法国8量子光学和量子信息研究所（IQOQI），奥地利科学学院，Boltzmanngasse 3，维也纳1090，奥地利，奥地利9 Univ Grenoble Alpes，CNRS，Grenoble INP，InstitutNél，Grenoble 38000，法国10量子研究中心，技术创新研究所，阿布扎比，阿拉伯联合酋长国，阿拉伯联合酋长国Box 68528, Rio de Janeiro 21941-972, Brazil 2 ICFO-Institut de Ciencies Photoniques, The Barcelona Institute of Science and Technology, Castelldefels, Barcelona 08860, Spain 3 Departament de Física, Universidad de Concepción, Concepción 160-C, Chile 4, Chile 4 Anid-Millennium Science Iniative Program Millennium Opitics研究所，DeConcepción大学，Concepción，Concepción160-C，智利5 Depranciment deIngenieríaEléctric，Catulica de la laSantísimaConcepción，Alonso de ribera de Ribera 2850，concepcioun，Chilepción日内瓦大学应用物理学，日内瓦大学1211，瑞士7大学。Grenoble Alpes，Inria，Grenoble 3800，法国8量子光学和量子信息研究所（IQOQI），奥地利科学学院，Boltzmanngasse 3，维也纳1090，奥地利，奥地利9 UnivGrenoble Alpes，CNRS，Grenoble INP，InstitutNél，Grenoble 38000，法国10量子研究中心，技术创新研究所，阿布扎比，阿拉伯联合酋长国，阿拉伯联合酋长国