前言本手册实施了海军行动指令办公室(OPNAVINST)5102.1E的政策。该海军陆战队命令(MCO)也是美国海军陆战队的政策手册。该手册提供了更多的详细信息,危害(包括近距离遗漏)以及所有海军和海军陆战队司令部保存,调查,报告和记录,活动,活动,单位,装置和设施,除了不幸,危害(包括近距离错过)以及涉及涉及空军飞机的安全事件以及安全事件。国防部教学部(DODI)6055.07,2011年6月6日,海军教学秘书(SECNAVINST)5100.10L,指导海军部(DON)建立不幸调查和记录保存的政策和程序。本手册按国防部(国防部)和海军秘书(SECNAV)政策执行的DON政策。安全调查的技术,程序和最佳实践(即,如何)针对实施本手册中包含的政策的程序的报告将在指南中发布,该指南将由海军安全中心(Comnavsafecen)单独管理。该指南的标题是“海军和海军陆战队安全调查和报告指南”。 Comnavsafecen将通过Alsafe消息宣布指南的指南和未来修订。本手册是其第一次发行,因此应全面审核。记录数据库的RMI程序是启用DOD通用访问卡(CAC),可在海军安全中心(NAVSAFECEN)网站上找到。本手册被制定为所有海军和海军陆战队活动,司令部,人员和承包商的主要安全调查和报告政策(即仅在美国政府人员的直接监督下,后者才是后者)。由于与航空相关事件相关的许多独特而特定的情况(即排除航空军械),这些特殊事件将在Opnavinst 3750.6s和Opnavinst 4790.2J下处理。记录数据库应用程序的风险管理信息(RMI)计划需要报告,记录和分析所有不幸,危害(包括近距离遗漏)和事件。本手册可以通过“手册”选项卡下的DON发行网站(https://www.secnav.navy.mil/doni/opnav.aspx)访问。也可以通过海军陆战队出版物电子库(http://www.marines.mil/news/publications/electroniclibrary.aspx)访问。本手册已批准用于授权的注册用户,并且分发是无限的。
特别调查办公室 (OSI) 是一家联邦执法和反情报机构,为美国空军和太空部队提供服务。OSI 的特工接受了精英调查训练,拥有最先进的技术,在进行刑事和反情报调查以及调查网络犯罪和采购欺诈时追求正义。特工还专门从事犯罪现场调查、测谎和数字取证等调查服务。
该项目提议使用 3FD 流体动力学模型和 UrQMD 和 QGSM 传输模型研究 NICA 对撞机能量下的相对论重离子碰撞 (rHIC) 中的涡量、定向流和强子冻结等现代高能物理中的实际现象。应研究以下现象:反应平面和方位平面中的涡量、涡量中的奇点、超子的极化、涡量和定向流 v 1 的相互关系、v 1 的减小及其在中快速度时的符号变化以及强子的冻结,在 rHIC 期间夸克胶子等离子体 (QGP) 形成的情况下。应将结果与纯强子物质的计算进行比较。这项研究将确定对实验中从解耦阶段到强子阶段的相变信号最敏感的可观测量和分布。
(2020 年 2 月 4 日收到;2021 年 4 月 2 日修订;2021 年 4 月 4 日接受) 摘要。本文介绍了一种使用四异丙醇钛作为钛源通过溶胶-凝胶技术生产二氧化钛 (TiO 2 ) 纳米粒子的新合成方法。使用 X 射线衍射 (XRD)、HRTEM、吸收紫外光谱、FTIR 和交流阻抗光谱等多种测量方法分析了合成的纳米粒子。利用 X 射线峰通过 Williamson-Hall 方法计算晶粒尺寸和晶格应变。使用 Scherrer 方程通过 X 射线衍射计算出的晶粒尺寸给出近似尺寸,不能用于测量。发现 TiO 2 纳米粒子具有四方结构,晶体尺寸约为 12 纳米。通过 HRTEM 图像确认了粒度。对纳米粒子的光学研究响应表明,TiO 2 纳米粒子的可能可见吸收峰为 323 nm。讨论了从紫外可见吸收光谱计算出的 TiO 2 纳米粒子的带隙能量 (E g ),带隙为 3.14 eV。FTIR 光谱显示了 Ti-O 网络的振动带。在不同温度下,在 1 至 8 MHz 的频率范围内研究了 TiO 2 纳米粒子的交流电导率特性。发现 TiO 2 纳米粒子的电导率在低角频率区域保持恒定。在不同温度和频率下分析了介电参数。关键词:电导率、介电体、纳米粒子、二氧化钛、结构研究
网络犯罪分子不断改变目标、策略和组织结构,这让挑战变得更加困难。欺诈者在全球范围内合作,共享资源、信息和利润。随着利润的飙升,他们的能力也迅速扩大。犯罪分子将收益重新投资于非法网络黑市的发展,利用网络犯罪工具和服务的专业提供商,甚至为没有经验的行为者创造机会开展自己的行动。此外,鉴于行为者可以轻易地在网上匿名,很难区分纯粹的犯罪集团、民族国家行为者和其他团体,这些团体可能今天代表国家政府,明天又代表犯罪组织。
摘要。本文提出了一种经济高效的工艺流程设计与开发,用于研究 GaN 微管的挠曲电性能,微管直径为 2 - 5 μm,微管壁厚为 50 nm。研究了设计以及电化学蚀刻参数(施加电压、阳极氧化持续时间)对获得的通道尺寸的影响。所提出的技术路线意味着在高蚀刻速率下在环保电解质中对 n-InP 半导体晶体进行电化学蚀刻。通过实验优化了工艺流程。建议引入一个垂直通道,微管将放置在该通道中,以便在测量过程中在平台上达到更高的稳定性。
根据上述规定,调查事故或事件的唯一目的是防止将来发生类似性质的事故和事件。调查的目的不是追究责任。因此,使用 AAIB 调查报告来追究过失或确定责任是不恰当的,因为调查和报告过程都不是为了这个目的而进行的。
规定的规定是为了防止将来发生类似性质的事故和事件。此类调查的目的不是追究责任或确定责任。因此,使用 AAIB 调查报告来分配过错或责任或确定责任是不合适的,因为调查和报告过程都不是为了这个目的而进行的。