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使用实验室（HAXPE）和飞行次级离子质谱（TOF-SIMS）
如今，“更多的摩尔”和“超过摩尔”设备体系结构已大大提高了新型材料的重要性，从而需要提供适当的表征和计量，以实现可靠的过程控制。 例如，在多通道场效应设备或升高来源中使用的SIGE或SIP化合物的引入导致需要确定所得膜的精确组成。 在这项工作中，已经使用主要无损haxpes和TOF-SIMS研究了二进制材料（例如SIP和SIGE）的定量。 的确，虽然使用RB的主要障碍是薄膜的表征，但具有适当定量功能（例如Atom探针断层扫描和传输电子显微镜）的技术既耗时又耗时，并且由于其高度局部的分析量而缺乏灵敏度。 对于定量表征，常规的X射线光电子光谱（XPS）是一个强大的工具。 然而，其低分析深度仍然是研究掩埋界面的主要限制因素，尤其是在本研究中，因为所获得的基于SI的层在环境条件下被氧化（或者应该受到一些纳米计的金属层保护）。 ，由于电子在二元材料表面的化学组成和SIO 2在层中的深入分布，因此使用了一种基于实验室的硬X射线源（HAXPE），这既要归功于层次的SIO 2的深度分布，这要归功于电子的非弹性平均自由路径随光子能量增加的增加（铬Kα，Hν= 5414.7 ev）[1] [1]。如今，“更多的摩尔”和“超过摩尔”设备体系结构已大大提高了新型材料的重要性，从而需要提供适当的表征和计量，以实现可靠的过程控制。例如，在多通道场效应设备或升高来源中使用的SIGE或SIP化合物的引入导致需要确定所得膜的精确组成。在这项工作中，已经使用主要无损haxpes和TOF-SIMS研究了二进制材料（例如SIP和SIGE）的定量。的确，虽然使用RB的主要障碍是薄膜的表征，但具有适当定量功能（例如Atom探针断层扫描和传输电子显微镜）的技术既耗时又耗时，并且由于其高度局部的分析量而缺乏灵敏度。对于定量表征，常规的X射线光电子光谱（XPS）是一个强大的工具。然而，其低分析深度仍然是研究掩埋界面的主要限制因素，尤其是在本研究中，因为所获得的基于SI的层在环境条件下被氧化（或者应该受到一些纳米计的金属层保护）。，由于电子在二元材料表面的化学组成和SIO 2在层中的深入分布，因此使用了一种基于实验室的硬X射线源（HAXPE），这既要归功于层次的SIO 2的深度分布，这要归功于电子的非弹性平均自由路径随光子能量增加的增加（铬Kα，Hν= 5414.7 ev）[1] [1]。确认通过HAXPES测量获得的感兴趣材料的组成并计算出适当的相对灵敏因子（RSF），相同的膜以TOF-SIMS为特征。但是，例如Haxpes，SIP/SIGE层的次级离子质谱法（SIMS）表征通常由于p/ge含量的电离产量的非线性变化而受到基质效应。通过分析参考样本，遵循MCS 2+辅助离子或使用完整的光谱协议[2]，可以通过分析参考样品来超越此限制。最后，计算了次级离子束的P和GE（Si）组成，并将其与X射线衍射确定的参考组成进行比较。还研究了测量值的可重复性和层氧化的影响。得出结论，通过将haxpes结果与TOF-SIM耦合，准确评估了层的深入组成和表面氧化物的厚度。
利用 SRIM/TRIM 模拟研究钛和氮离子的浓度-深度分布 // 利用 SRIM/TRIM 软件研究钛和氮离子的浓度-深度分布
发布日期：2019年12月12日 |接受日期：2020年7月29日 |出版日期：2021 年 10 月 12 日 Andrea Carolina Pabón-Beltrán 哥伦比亚桑坦德工业大学 Orcid：0000-0003-3877-7678 Felipe Sanabria-Martínez 哥伦比亚材料科学与技术研究人员基金会：dio Vásquez 哥伦比亚桑坦德工业大学 Orcid：0000-0001-6563-0044 José José Barba-Ortega 哥伦比亚哥伦比亚国立大学 哥伦比亚材料科学与技术研究人员基金会 西班牙材料、应用和纳米结构中心 哥伦比亚材料科学与技术研究人员基金会 Orcid：0000-0003-4154-7179 * 研究文章 通讯作者。电子邮件：foristom@gmail.com DOI：https：//doi.org/10.11144/Javerina.iued25.scpt
SRIM模拟氢离子与掺杂稀土元素的氧化铋纳米粒子的相互作用 R. Alhathlool, MH Eisa * 部门
SRIM 模拟氢离子与稀土元素掺杂的氧化铋纳米粒子的相互作用 R. Alhathlool、MH Eisa * 物理系，科学学院，伊玛目穆罕默德伊本沙特伊斯兰大学（IMSIU），利雅得 13318，沙特阿拉伯 近年来，模拟方法受到了各个领域的广泛关注。使用 SRIM 程序将稀土钽酸镥（LuTaO 4 ）掺杂的“氧化铋（Bi 2 O 3 ）薄膜沉积到聚合物基底上。” SRIM 程序用于计算能量在 1.0 MeV 至 20 MeV 之间的 Bi 2 O 3 薄膜的一些物理特性。研究了 LuTaO 4 、Bi 2 O 3 、C 10 H 8 O 4 和 LuTaO 4 / Bi 2 O 3 /C 10 H 8 O 4 样品的“电子和核阻止本领”。这些研究结果表明，稀土掺杂可以改善复合材料的性能。离子束与物质的相互作用会产生各种各样的现象。在 C 10 H 8 O 4 上沉积掺杂 LuTaO 4 的 Bi 2 O 3 薄膜会导致材料“电子和核阻止本领”和范围发生变化。将已发表的数据与获得的结果进行了比较，并提供了计算参数。（2024 年 6 月 1 日收到；2024 年 8 月 1 日接受）关键词：阻止本领、氧化铋、钽酸镥、SRIM、聚合物 1. 简介 阿尔法粒子、氘核和质子对物质有显著影响。短程核力与质子和阿尔法粒子相互作用。随着能量下降，带电粒子会失去速度。在电离和激发过程中，重带电粒子都会失去能量。重带电粒子碰撞时传递的能量较少 [1]。
氮化镓高电子迁移率晶体管的物理失效分析技术研究进展
Figure 12.1540-MeV 209Bi ion irradiation 1.7 × 10 11 ions/cm 2 TEM images of AlGaN/GaN HEMT devices: (a) Gate region cross-section; (b) The orbital image of the heterojunction region shown in Figure (a); (c) The image shown in Figure (a) has a depth of approximately 500 nm; (d) Traces formed at the drain; (e) As shown in Figure (d), the trajectory appears at a depth of ap- proximately 500 nm [48] 图 12.1540-MeV 209Bi 离子辐照 1.7 × 10 11 ions/cm 2 的 AlGaN/GaN HEMT 器件的 TEM 图像： (a) 栅极区域截面； (b) 图 (a) 所示异质结区域轨道图 像； (c) 图 (a) 所示深度约 500 nm 图像； (d) 在漏极形成的痕迹； (e) 如图 (d) 所示，轨迹出现在深度约 500 nm 处 [48]
2024 年 4 月 22 日星期一 - 意识研究中心
• 意识丧失与恢复的神经生理学 - M. Bruce MacIver（斯坦福大学）;凯瑟琳·文森特（哈佛大学）安东尼·胡德茨 (密歇根大学) Robert A Pearce MD（威斯康星大学麦迪逊分校）（Kiva）• Terminal Lucidity - 主席：Marjorie Woollacott（俄勒冈大学）；迈克尔·纳姆（Michael Nahm），（IFAP 弗莱堡） Natasha Tassell-Matamua（新西兰梅西大学）克里斯·罗（Chris Roe）（北安普顿大学）玛丽恩·穆蒂斯（Maryne Mutis），洛林大学，神父） Karalee Kothe，（科罗拉多大学）（Catherine J）• 冥想与全球精神实践 - Thomas Brophy，（CIHS / IONS）;迪帕克·乔布拉 (Chopra Global)，杰弗里·马丁 (CIHS)； Hidehiko Saegusa（印度理工学院曼迪分校、亚利桑那大学、CIHS、AABC）阿诺·德洛姆（IONS）蒂莫西报告（CIHS）；肖恩·埃斯比约恩·哈根斯（Sean Esbjorn-Hargens）（CIHS）远程：Dean Radin（IONS）（Catalina KL）• 意识研究教育 - Laurel Waterman（多伦多大学）；琼·沃尔顿（圣约翰大学-约克分校） Kunal Mooley（加州理工学院）托马斯·贝弗（亚利桑那大学）贾斯汀·里德尔 (FSU)、苏·布莱克莫尔 (普利茅斯大学) (执行董事会会议室) • 研讨会 - 2024 年 4 月 22 日星期一 - 晚上 7:00-10:00 - Kiva 宴会厅 - 茶点
飞机解决方案 - Armes
• 120g/m2 knitted polyester/carbon • It can be used in cleanrooms from ISO 9 to 4 • Knitted continuous polyester filament • Laundered and packed in a cleanroom environment • Double packaging according to cleanroom standards • Very low levels of ions and extractables • This cleanroom product has been developed to shed minimal particles in use • Good absorption
3M SPSD工业部门手册USAC_3-30.Indd
•金属离子净化器3M™金属离子净化器旨在将高纯度溶剂系统中的金属离子降低至50ppt水平。Utilizing 3M's immobilized particle technology, which is comprised of either a strong acid cation exchange resin or a chelating ion exchange resin in a polyethylene matrix, 3M Metal Ion Purifiers provide effective, single pass reduction of metal ions from high purity resins and solvents, such as PGMEA, TMAH, BARC, and other lithography chemistries.
刺激性辐射中的低功率电子技术...
图1：充满活力的辐射环境。（a）宇宙银河辐射是银河事件的重复，例如发射γ-射线和高能量颗粒的超新星explosions和脉冲星（83.3％P +，13.72％↵，2％β，0.98％重量IONS）。（b）深空的另一个来源是宇宙太阳辐射，它发出p +，β，X射线和γ射线；这些组件的浓度和能量因太阳能活动（太阳风，太阳能和冠状质量弹出）而异。(c) The earth's magnetic field and atmosphere play a significant role in limiting some of these parti- cles reaching the surface of the earth where they are trapped inside the Van Allen outer magnetic belt (it consists mainly of β ), whereas the other cosmic particles interact with atmospheric par- ticles producing β , p + , and a small portion of heavy ions and trapped inside the inner belt.因此，可以将范艾伦带分类为位于地球轨道区域的辐射环境。（d）然而，某些宇宙辐射仍然可以通过这些皮带，并与地球大气分子（例如氧和氮）产生N 0，P +和PIONS（⇡）反应； ⇡最终β对（E -E +）和中微子。除了这些颗粒外，γ射线还从雷暴期间从大气中发出。（e）二元活性材料，例如铀，th及其衍生物，是另一种发射的陆层来源，它发出了↵，β和γ射线。β表示E-或E +颗粒ratiation，并且有些是核反应的无需副产物（↵，β，β，n0和γ-ray），这些副产品由动力工厂FA-a-lations产生。每种辐射的贡献都取决于每个区域中所描绘的电子的位置，有关详细信息，请参见补充表1和2。
量子计算与量子模拟中离子阱结构研究进展 - 物理学报
图 6. 带有集成光学腔的离子阱：（a）因斯布鲁克大学的集成光学腔阱 [ 93 ]。从离子发射的 854nm 光子的 50% 可被腔收集，并转换为 1550nm 的通信波长。（b）萨塞克斯大学的集成光学腔阱。该阱展示了离子和腔模式之间的第一个强耦合。（c）奥胡斯大学的离子阱。腔镜 (CM) 沿轴向，径向泵浦光束用于将离子泵回多普勒冷却循环。这些离子可在 CCD 上成像。压电换能器 (PZT) 用于主动锁定光学腔与 RP 激光器共振。（d）当径向 RP 激光器开启时，大约 100 个离子的整个晶体都是明亮的。 （d）当径向RP关闭时，只有腔内的离子是亮态，腔外的离子处于暗态[144]。