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伊藤色素减退症和不对称哭泣面容
并将这种疾病命名为伊藤色素减退症 [2]。后来人们发现，伊藤色素减退症不仅是一种皮肤病，还会影响其他系统，主要是中枢神经系统和肌肉骨骼系统 [3,4]。一些理论认为，伊藤色素减退症是染色体嵌合体的一种非特异性表现；然而，并不是每例伊藤色素减退症都有这种表现 [5,6]。发病率和患病率估计在 1/7540 到 1/82,000 之间 [6]。色素减退症的典型特征是色素减退性病变，可能呈旋涡状、线状条纹或沿 Blaschko 线的斑块。它们主要出现在躯干上，但也可能出现在四肢、面部和头皮上 [7]。病变可能在出生时或出生后 18 个月内出现 [8]。在此，我们报告了一例患有多种先天性异常且无 HI 家族史的 HI 病例。
AS-3 ITO；独立培训组织应用贸易...
ITO 应证明学生接受了涵盖环境控制原则的培训，以避免过度湿度、表面和环境温度超出可接受范围以及露点问题的不利影响。证据可能包括培训名册和课程计划。负责安装、监控和维护遏制或环境控制的学生应接受所用设备的培训。其他学生只需要意识培训。出色：ITO 有一个特定的、单独的培训模块，其中包含动手培训、测试和对安装、监控和维护环境控制进行培训的人员的资格认证。
AS-3 ITO；独立培训组织应用者贸易...
ITO 应证明学生接受了涵盖环境控制原则的培训，以避免过度湿度、表面和环境温度超出可接受范围以及露点问题的不利影响。证据可能包括培训名册和课程计划。负责安装、监控和维护遏制或环境控制的学生应接受所用设备的培训。其他学生只需要意识培训。出色：ITO 有一个特定的、单独的培训模块，其中包含动手培训、测试和对安装、监控和维护环境控制进行培训的人员的资格认证。
NIICAP 审计标准：AS-3 ITO 认证计划...
1.1.NACE 国际研究所承包商认证计划 (NIICAP TM ) 是 NACE 国际研究所商业服务有限责任公司 (以下简称 NIIBS) 的承包商认证计划。本文件为 NIICAP AS-3 ITO 审计标准，“提供涂层施工人员培训计划的独立培训机构认证计划”（以下简称 AS-3 ITO）。本标准应按照“承包商认证计划政策和程序手册”（参考 2.1）使用，对为表面处理和涂层/衬里应用人员提供行业技能培训以及为表面处理和涂层/衬里应用行业的任何工人提供环境、安全和健康培训的独立培训机构（以下简称 ITO）进行质量管理审计。这些培训和认证服务由 ITO 向个人或其他公司或承包商的员工提供。
IDC MarketScape：2024 年全球生命科学研发 ITO 服务供应商评估
还有另一场革命正在发生，那就是 GenAI 革命，这场革命无疑席卷了全世界。IT 合作伙伴的期望正在发生变化。人们期望 IT 合作伙伴不仅要实施 AI 解决方案，还要充当生命科学行业的重要顾问和合作伙伴，帮助客户概述其总体 AI 战略、建立治理模型、构建框架以确定用例的优先级、重新设计业务流程、确保数据安全和隐私、构建负责任的 AI 框架，并将 AI 嵌入数字化转型过程中。虽然 AI 占据了中心位置，但对预测 AI 的投资，其次是解释 AI，继续引领潮流。然而，三分之二的生命科学行业计划在 2025 年增加对 GenAI 的支出，与 2024 年相比，约 40% 的企业计划增加 10-24%，约 20% 的企业计划增加 25% 以上。首先，这表明，虽然预测 AI 在今天仍然处于领先地位，但 GenAI 为明天带来了希望，而且采用率已经在迅速扩大。
使用二氧化物（ITO）（ITO）启用与光学透明的RF组件启用混合光学微波空间通信
学术共识引用学术共享引用O'Keefe，John T.，“使用二锡氧化物（ITO）的光学透明的RF组件启用混合光学微波空间通信”（2024）。博士学位论文和硕士论文。870。https://commons.erau.edu/edt/870
AL-BARI, Md. Abdul Alim, ITO, Yuko, AHMED, Samrein, RADWAN, Nada, AHMED, Hend S. 和 EID, Nabil (2021)。以天然产物为靶点的自噬
天然产物是调节各种癌症自噬的重要工具。自噬是癌症治疗的关键，它影响着各种疾病的治疗和开发，包括癌症的治疗干预。根据自噬的框架，抑制或诱导自噬可以通过促进细胞死亡或细胞存活发挥治疗作用，而细胞死亡或细胞存活是癌症治疗所针对的两个主要事件。值得注意的是，天然产物在抗癌药物研发领域引起了人们的关注，因为它们生物友好且具有潜在的治疗效果。在这篇综述中，我们总结了有关可调节各种癌症自噬的天然产物的最新知识。这些发现将为开发更多天然化合物作为潜在的新型抗癌药物提供新的立足点，并将通过针对即将到来的癌症治疗的各个自噬阶段，更好地了解分子途径。
文章
利用三维受限磁控溅射源 (L-3DMS) 在低于 100 C 的温度下成功沉积了超薄锡掺杂结晶氧化铟 (ITO) 薄膜 (≤ 50 nm)。在低处理温度下沉积的超薄 ITO 薄膜的电阻率和迁移率分别约为 ∼ 5 × 10 − 4 · cm 和 > 30 cm 2 /Vs (厚度为 30 nm)。据信，利用 L-3DMS 沉积的超薄 ITO 薄膜的高质量与 L-3DMS 的高密度等离子体和低放电电压改善了 ITO 薄膜的结晶度和氧空位有关，这使得能够在低处理温度下形成晶体结构。关键词：透明导电氧化物 (TCO)、3-D 受限磁控溅射、ITO 薄膜、高等离子体密度、晶体结构、低温。
由物理混合>引起的光学和电子损失
Layers Thickness (nm) ITO 133 ± 1 ITO + PTAA physically mixed layer (0.5 ITO + 0.5 PTAA) 0.0 ± 0.5 PTAA 12 ± 1 Void + wide-E g FA 0.8 Cs 0.2 Pb(I 0.7 Br 0.3 ) 3 perovskite nucleation layer (0.120 ± 0.003 void + 0.880 perovskite)