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鼓励可再生投资：使用...
∗我特别感谢Ashley Langer，Hidehiko Ichimura，Ryan Kellogg，Derek Lemoine，Juan Pantano和Matthijs Wildenbeest的反馈，支持和指导。I would also like to thank Christian Cox, Price Fishback, Koichiro Ito, Yuki Ito, Stanley Reynolds, Eduardo Souza-Rodrigues, Evan Taylor, Tiemen Woutersen, Mo Xiao, and seminar participants at UArizona, UChicago, Michigan State, Osaka University, Arizona ENREE, MSU/UM EEE for many useful comments and建议。所有错误都是我自己的。†芝加哥大学哈里斯公共政策学院；和芝加哥大学的能源政策研究所。电子邮件：harakonan@uchicago.edu
实验和仿真研究：RRAM中的切换
摘要：已经研究了非易失性存储器电阻随机记忆（RERAM）的未来应用。reram由于其简单的结构，低压，快速切换速率，高密度堆积以及易于集成到CMOS处理中，引起了很大的兴趣。已被证明是过渡金属氧化物。由于其Fab-Frignstriments和10的介电常数为10，ZnO是几种最有前途的材料之一。AW（Electerode）/ZnO/ITO是在这项研究中使用多人模拟软件在这项研究中构建和模拟的。重新拉氏素的设计均具有对称和不对称的金属连接。研究了各种设备的当前伏特型热性能以及基础过程。也进行了AFM，SEM和RBS的分析。在ON状态期间，确实注意到，导热率较低的金属损失较小，从而产生高温。在W（Electrode）/ZnO/ITO设备中实现了通过压力接触测量的W（Electrode）/ZnO/ITO设备。也获得了1.3x10 5的电阻率，以出色的内存窗口性能证明了设备的弹性。因此，开发了系统并将其与模拟设备进行比较。
通过脉冲激光软沉积 TCO 以获得高质量的超薄多晶硅钝化接触
本文探讨了脉冲激光沉积 (PLD) 透明导电氧化物 (TCO) 在高质量超薄多晶硅基钝化接触上的适用性。通过减小多晶硅层厚度，可以最大限度地减少多晶硅层引起的寄生吸收。然而，多晶硅触点上的 TCO 沉积（通常通过溅射）会导致严重的沉积损伤，并进一步加剧较薄多晶硅层（<20 纳米）的表面钝化。虽然可以使用高温（约 350 摄氏度）热处理来部分修复表面钝化质量，但由于在多晶硅/ITO 界面形成了寄生氧化层，接触电阻率严重增加。或者，我们表明 PLD TCO 可用于减轻超薄（约 10 纳米）多晶硅层的损伤。通过增加沉积压力可以进一步改善多晶硅触点钝化，同时通过在高质量超薄多晶硅（n+）触点上使用 PLD 掺杂铟的氧化锡 (ITO) 层可实现低触点电阻率（约 45 m Ω cm 2）和良好的热稳定性（高达 350 °C）。通过将 PLD ITO 膜的出色光电特性与 10 nm 薄多晶硅触点相结合，可以实现高度透明的正面触点。
SDDC 取消 YRC CA-23-07-26 0053 更新 2
主题：取消 CA-23-07-26/0053 更新 2，Yellow Freight 更新 2 的劳工问题目的：通知国防部服务/机构运输/交通管理人员和设施运输办公室 (ITO) 取消之前发布的有关 YRC 破产的 CA。请注意：客户咨询 CA-23-07-26/0053 更新 2 已取消，即刻生效。此取消是 YRC 程序变更的结果，因为他们在 2023 年 8 月 6 日申请破产后进入清理系统的最后阶段。ITO 应参考 CA-23-09-19/0065，立即更改 YRC 码头中国防部货物回收流程，以获取最新指南。 POC：SDDC G3 货运管理团队，usarmy.scott.sddc.mbx.g3-domestic- freight-services-branch@army.mil 有效期：N/A 类别：一般信息
1435补救订单 - AMEDEE地热风险
地质能源管理部Doug Ito州石油和天然气主管715 P Street，MS 19-06（法律办公室）加利福尼亚州萨克拉曼多95814电话（916）323-6733
通过量子系统参数估计增强随机过程分析
摘要 本文从所有可能的角度研究了向量空间中的线性伊藤随机微分方程。在这种情况下，势向量描述了作用于量子系统的经典噪声的大小。该向量势可以表示为其参数的线性函数，其中厄米算子作为其系数，因为其参数被假定为未知的。对于二阶扰动，可以借助势扰动参数确定幺正演化算子。至于第二项，它写成关于布朗运动的双迭代随机积分，而第一项写成伊藤随机积分。在控制量子系统时，来自环境的噪声可能是一个主要障碍；这种技术可以提供帮助。通过学习检测和调节噪声，提高计算机等量子技术的可靠性和实用性。如果势的参数受到噪声的影响，那么它们的可靠性就会降低。我们重点关注特殊情况，即势能是这些参数的线性函数，以厄米算子为系数。为了找到达到 O ( ǫ ) 的幺正演化算子，我们可以将 O ( ǫ ) 项写为关于布朗运动的伊藤随机积分，将 O ( ǫ 2 ) 项写为关于布朗运动的双迭代随机积分。
用于微生物生物电子学的溶液沉积和可图案化导电聚合物薄膜电极
图 3. 微生物全细胞生物电子装置的电化学分析。使用 (a) 裸 ITO 玻璃和 (b) PEDOT:PSS/PHEA 涂层工作电极对生物和非生物电化学反应器进行计时电流测量。插图显示非生物电流密度。反应器接种了 S. oneidensis 以进行生物测量，虚线标记。非生物测量包含培养基。电化学反应器的工作电极平衡在 +0.2 V vs Ag/AgCl，并使用 20 mM 乳酸作为 S. oneidensis 的碳源。在 43 小时的计时电流实验后，在 (c) 裸 ITO 玻璃和 (d) PEDOT:PSS/PHEA 涂层电极上对生物和非生物样品的循环伏安图（扫描速率：10 mV s -1）。
电动导电Ni 3的直接电沉积（...
图2。（a）使用基于有机的（MEOH-DMSO）电解浴的循环伏安图在ITO底物上以10 mV.s-1的扫描速率记录。（b）选定的循环伏安法扫描后，Ni 3（HITP）2个沉积物的SEM图像。(C) The chronoamperograms (normalized current density) and the corresponding cumulative deposition charge density for potentiostatic anodic deposition methods by using the continuous (dark colored line) and square pulsed (light colored line) methods (with t on = 1 min, V on = 0.8 V; and t off = 1 min, V off = open circuit voltage).（d）Ni 3（HITP）2个沉积物的相应SEM图像通过电位连续（深色轮廓）和脉冲沉积（浅色轮廓）获得。
课程计划：进行铁路装载操作
条件：该部队正在部署，必须通过铁路运输其装备。铁路站点已指定，并已建议连长与设施运输办公室 (ITO) 和营参谋协调铁路装载作业。部队调动官 (UMO) 已获得认证，熟悉部队的装备和组织。UMO 已与 ITO 建立联络，并已指派部队调动协调员 (UMC)。铁路代表已到位，车辆已抵达现场。铁路装载团队经过全面培训。军事法规和相关出版物已提供，包括地面部署和配送司令部/运输工程局 (SDDC /TEA) 铁路调动固定手册。上级总部和部队 RSOP 以及部署作战命令 (OPORD) 已提供。不应在 MOPP 4 中训练此任务。
使用人工智能通过锤击声音测试评估片状和球状石墨铸铁...
[4] Tsubsa Hukumura、Atsushi Ito 和 Katsuhiko Hibino；“利用人工智能研究锤击测试系统”，电子、信息和通信工程师协会技术报告，119(352)，第 7-12 页，12 月（2019 年）