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半导体技术 ITRS 路线图
半导体技术 ITRS 路线图 Alan Allan Intel 公司 亚利桑那州钱德勒 四十年来，半导体行业一直以其产品的快速改进而著称。表 1 列出了改进趋势的主要类别，并给出了每种趋势的示例。这些趋势中的大多数主要源于该行业能够成倍地减少用于制造集成电路的最小特征尺寸。当然，最常被引用的趋势是集成度，这通常用摩尔定律来表达。（即每块芯片的元件数量每 24 个月翻一番）。对社会来说，最重要的趋势是每功能成本的下降，这通过计算机、电子通信和消费电子产品的普及显著提高了生产力和生活质量。表 1 - 通过特征缩放实现的 IC 改进趋势趋势示例
产业联系研究子项目 (ITRS)
其他费用 ORSP 预算指南 PI 必须使用 ORSP BoRSF 网页上提供的 EXCEL 预算电子表格。这些电子表格包含额外的预算信息，并将自动计算正确的附加福利、间接成本和综合预算页面。相关截止日期
部门 ITR N00 前台使用 N6 ITR N01 ED 使用 N6 ITR N008 CMC 使用 N6 ITR 我不想要
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印刷电路板的温度管理
Albert Schweitzer，Fineline 2021 年 11 月 albert.schweitzer@fineline-global.com 电子产品的发展特点是组件的功率密度稳步增加。因此，由于热损失增加，组件和组件在运行过程中的热负荷问题变得越来越重要，应在规划和设计阶段尽早考虑。系统可靠性的提高与高效的 PCB 热管理直接相关。 1. 概述 多年来，电子产品的发展特点是主动元件的功率密度不断增加。ITRS 委员会的以下图表（“国际半导体技术路线图”）可以很好地显示这一发展。下面的两个图表显示了到 2025 年晶体管密度的发展（图 1）和半导体器件结构不断减小（图 2）。 ITRS：ITRS：（国际半导体技术路线图）：（国际半导体技术路线图）：
确定 CD-SEM 线边缘粗糙度测量的最佳参数
线边缘粗糙度 (LER) 的测量最近已成为光刻计量学界和整个半导体行业关注的话题。高级计量咨询小组 (AMAG) 是一个由国际 SEMATECH (ISMT) 联盟成员公司和美国国家标准与技术研究所 (NIST) 的首席计量学家组成的委员会，该委员会正在开展一项研究 LER 指标并指导关键尺寸扫描电子显微镜 (CD-SEM) 供应商社区采用半导体行业支持的标准化解决方案。2003 年国际半导体技术路线图 (ITRS) 为粗糙度提供了新的定义。ITRS 设想了边缘和宽度粗糙度的均方根测量。还有其他可能的指标，其中一些将在此处进行调查。ITRS 设想将均方根测量限制在粗糙度波长范围内，并且测量重复性优于指定的公差。本研究解决了满足这些规范所需的测量选择。推导出必须测量的线长和沿该长度测量位置间距的表达式。结果表明，图像中的噪声会产生粗糙度测量误差，这些误差既有随机成分，也有非随机成分（即偏差）。在特殊测试图案中报告了对紫外线抗蚀剂和多晶硅的测量结果，这些材料的粗糙度是典型的。这些测量结果表明，粗糙度测量对噪声的敏感度主要取决于边缘检测算法的选择和聚焦的质量。当使用基于模型或 S 形拟合算法并且图像聚焦良好时，测量对噪声的敏感度较低。使用测得的紫外线抗蚀剂线的粗糙度特性并应用 90 nm 技术节点的 ITRS 要求，推导出的采样长度和采样间隔表达式意味着必须以 7.5 nm 或更短的间隔测量至少为节点 8 倍的线长（即 720 nm）。
确定 CD-SEM 测量线边缘粗糙度的最佳参数
线边缘粗糙度 (LER) 的测量最近已成为光刻计量学界和整个半导体行业关注的话题。高级计量咨询小组 (AMAG) 是由国际 SEMATECH (ISMT) 联盟成员公司和美国国家标准与技术研究所 (NIST) 的首席计量学家组成的委员会，该委员会有一个项目，旨在研究 LER 指标并指导关键尺寸扫描电子显微镜 (CD-SEM) 供应商社区采用半导体行业支持的标准化解决方案。2003 年国际半导体技术路线图 (ITRS) 包含了粗糙度的新定义。ITRS 设想了边缘和宽度粗糙度的均方根测量。还有其他可能的指标，其中一些在这里进行了调查。ITRS 设想将均方根测量限制在粗糙度波长范围内，该波长落在指定的工艺相关范围内，并且测量重复性优于指定的公差。本研究解决了满足这些规范所需的测量选择。推导出必须测量的线长表达式以及沿该长度的测量位置间距。图像中的噪声会产生粗糙度测量误差，这些误差既有随机成分，也有非随机成分（即偏差）。在特殊测试图案中报告了对紫外线抗蚀剂和多晶硅的测量结果，这些材料的粗糙度是典型的。这些测量表明，粗糙度测量对噪声的灵敏度主要取决于边缘检测算法的选择和焦点的质量。当使用基于模型或 S 形拟合算法且图像对焦良好时，测量对噪声的敏感度较低。使用测量的 UV 抗蚀剂线的粗糙度特性并应用 ITRS 对 90 nm 技术节点的要求，得出的采样长度和采样间隔表达式意味着必须以 7.5 nm 或更小的间隔测量至少 8 倍节点（即 720 nm）的线长。
通过原位转化的脑室区域神经干细胞的原位转化
This protocol describes the surgical procedure for co-electroporation of two plasmids targeting neu- ral stem cells (NSCs) in the lateral ventricle of mouse postnatal day 2 (P2) pups: a nonintegrating plasmid encoding for the piggyBase transposase and Cas9 and an integrating piggyBac vector car- rying the oncogenes, CRISPR guide RNAs and a TDTOMATO荧光报告蛋白通过倒末端重复序列（ITRS）倾斜（图1）。在电穿孔后，瞬时CAS9表达会导致肿瘤抑制基因失活，而PiggyBase介导的PIG-GYBAC货物的整合确保了靶向NSC及其后代中的癌基因和流动性记者的稳定表达。的整合是由PiggyBase转疗的酶促活性介导的，该转移的酶活性通过切割和粘贴机制在受体细胞基因组中的TTAA位点识别并将其与它们的内容一起插入。NSC的靶向是通过最小的人GFAP（HGFAPMIN）启动子序列1-3驾驶PiggyBase/cas9的驱动表达来实现的。
释放低CpG通行子转座子的潜在用于上级CAR-T细胞疗法
嵌合抗原受体（CAR）T细胞疗法改变了恶性肿瘤免疫疗法的景观，从根本上改变了传统的癌症治疗策略。然而，对T细胞转染的病毒载体的依赖构成了局限性，从而阻碍了这种有希望的治疗方法的更广泛应用。使用非病毒载体用于CAR-T细胞制备，在下一代疗法中已成为一种更通用和可持续的替代方法。转座元素（TES）是1940年代芭芭拉·麦克林托克（Barbara McClintock）在玉米中首先发现的（1）（1）的移动DNA序列，这些序列是由由反向末端重复序列（ITRS）和转座酶组成的基因片段组成的。该酶有助于转座子从其原始DNA位点切除，并将其整合到新的基因组位置。可以将其分为逆转座子，并切成两个主要类别的转座机制（2）。剪切的转座子需要对两种ITR的转座酶识别，以从其源中切除DNA转座子并将其整合到其他地方（3）。这种固有的插入DNA的能力使剪切的转座可以用于基因组操纵的强大工具（4-7）。
RAAV制造的一种新颖的合成DNA替代品
图1：ANJ-DNA生产Raav。anj-DNA旨在编码辅助构建体和RAAV生产所需的repcap以及利益基因（GOI）。有趣的是，我们的GOI旨在具有模仿AAV2 ITR的发夹结构，因此可以复制并将其包装到Raav中，而无需额外的侧翼序列。可以定制这三个构造以编码任何必需的GOI或优化的助手序列。ANJ-DNA也可以与其他质粒或包装细胞系组合使用，以进行AAV产生。