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下一代 IC 技术的非化学放大光刻胶的最新进展
Satinder K. Sharma 于 2002 年获得印度西姆拉喜马偕尔邦大学物理学 (电子科学) 硕士学位，2007 年获得印度库鲁克谢特拉大学电子科学系博士学位。2007 年至 2010 年，他是印度坎普尔印度理工学院 (IIT) 坎普尔分校 CHE 系纳米科学 DST 部门的博士后研究员。2010 年至 2012 年，他在印度阿拉哈巴德印度信息技术学院 (IIIT) 电子与微电子系任教。自 2012 年起，他一直在印度理工学院 (IIT) 曼迪 (喜马偕尔邦) 计算机与电气工程学院 (SCEE) 任教。他目前的研究兴趣包括微纳米电子电路设计、聚合物纳米复合材料、传感器、光伏和自组装。
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西里西亚技术大学电气工程学院（1），西里西亚技术大学，电动驱动器和机器人技术系（2），orcid：1。0000-0002-6185-7935; 2。无，3。0000-0002-2508-1893，4。0000-0002-4279-0472 doi：10.15199/48.2024.10.05确定高温超导体磁带1G摘要中临界电流和C的角度依赖性。本文介绍了第一代高温率超导体磁带（HTS）中临界电流的角度依赖性的理论和角度依赖性。研究重点是分析磁场值和方向对临界电流的影响。这项工作还描述了使用Halbach配置中的Neododmium Magnets进行特殊设计的测试台的构建和操作，该磁铁可实现HTS磁带的准确测量和表征。研究结果确认了符合KIM模型，并允许开发关键电流密度模型，该模型可用于进一步的计算机模拟。摘要。本文介绍了第一代临界电流的角度依赖性的疗法和测量角度依赖性。研究着重于磁场对临界电流的价值和方向的影响。本文还描述了使用Halbach配置中使用neododmium磁铁设计的特殊设计站的构建和操作，该测试站允许对HTS磁带进行精确的措施和表征。结果证实了KIM模型的一致性，并有助于开发关键的当前Delsity模型，该模型可用于进一步的计算机模拟。（在高体质超导胶带中确定临界电流IC的角度依赖性1G）关键字：临界电流，高温超导体磁带，bisccco，anisotropia。关键字：临界电流，高电流超导胶带，Biscco，各向异性。高温入院超导录像带（HTS）用于许多电力行业应用，例如变压器，电力限制器和电缆[1-2]。设计这些设备中的每一个都需要了解外部因素对HTS磁带参数的影响。尤其涉及临界场的影响，例如温度-T c，磁场-b c和临界电流密度-JC。使用HTS磁带设计超导体设备的关键参数是确定适当的工作点。这是由于可能在许多限制的同时最大程度地使用超导材料。对增加设备功率密度的可能性的限制之一是临界电流的值以及HTS磁带相对于外场线的位置的影响。这是由于所有设备在某些条件下运行的事实，并且有必要考虑到您自己的领域与运输电流流有关的影响，而且还要考虑到所有外部场。临界电流的值取决于磁感应的值（B）和相对于HTS胶带的磁场力线的方向。您可以同时使用Kim（1）和各向异性磁铁（2）Magneto模型来确定这些依赖性[3-4]。
用于卫星通信的 Ka 波段 4 通道有源相控阵 TX 波束形成器 IC
无线通信技术的飞速发展极大地推动了卫星通信的发展。卫星通信具有信息传输范围广、支持多个接收机同时通信等优势。随着卫星通信技术的不断进步，人们对更高传输速度和更宽频段的需求不断增加，这增加了人们对毫米波频谱中 Ka 波段频率的兴趣。与低频段相比，Ka 波段的数据传输速率更快，而且由于其超高频特性，也易于实现超低延迟。然而，大多数 K/Ka 波段卫星距离地面终端约 35,000 公里，距离和大气条件会导致信号衰减很大。
用于分层 IC 图像分析的无监督域自适应与直方图门控图像转换
摘要 — 深度学习通过使用卷积神经网络 (CNN) 对电路结构进行分割，在具有挑战性的电路注释任务中取得了巨大成功。深度学习方法需要大量手动注释的训练数据才能获得良好的性能，如果将在给定数据集上训练的深度学习模型应用于不同的数据集，则可能会导致性能下降。这通常被称为电路注释的域转移问题，其源于不同图像数据集之间的分布可能存在很大差异。不同的图像数据集可以从不同的设备或单个设备内的不同层获得。为了解决域转移问题，我们提出了直方图门控图像转换 (HGIT)，这是一种无监督域自适应框架，它将图像从给定的源数据集转换到目标数据集的域，并利用转换后的图像来训练分割网络。具体而言，我们的 HGIT 执行基于生成对抗网络 (GAN) 的图像转换并利用直方图统计数据进行数据管理。实验是在适应三个不同目标数据集（无训练标签）的单个标记源数据集上进行的，并评估了每个目标数据集的分割性能。我们已经证明，与已报道的域自适应技术相比，我们的方法实现了最佳性能，并且也相当接近完全监督的基准。索引术语——深度学习、集成电路图像分析、无监督域自适应、图像到图像转换
验证 IC 传导发射和抗扰度模型（包括老化和热应力）
摘要 — 诸如老化和热应力等环境因素会严重影响集成电路 (IC) 的电磁兼容性行为。工业中可以使用标准化的 IC 传导发射模型 (ICEM-CE) 和 IC 传导抗扰模型 (ICIM-CI) 来预测 IC 和印刷电路板级别的电磁行为。然而，这些模型没有考虑到老化和极端温度变化的影响。在本文中，使用采用绝缘体上硅技术设计的定制 IC，其中包含多个独立的模拟模块，通过测量和晶体管级模拟来表征老化和温度对传导发射和抗扰的影响。执行高加速温度和湿度应力测试 (HAST) 来评估老化及其对 IC 参数的影响。结果表明，无源分布网络仅受热应力的影响，而不会受到 HAST 老化的影响。后者主要影响 IC 中的有源元件，并通过固有的永久性退化机制降低传导发射和抗扰度水平。此外，热应力主要导致晶体管特性（如阈值电压和有效迁移率）发生漂移，从而影响传导发射和抗扰度水平并导致软故障。从测量和模拟中收集的所有漂移/公差都经过了表征，以便可以将它们纳入 ICEM-CE 和 ICIM-CI 标准的未来版本中。
Microsoft PowerPoint - 硬件保证 IC 图像和网表分析中的 AI 技术_v2
• 每层数百万张图像 • 不同层和区域的图像变化 • 样品制备和成像的异常 • 特征尺寸小/特征之间的间隙窄
UM11904 -RD33774CNT3EVB具有MC33774A电池电池控制器IC -user手册
nxp在以下条件下提供产品：此参考设计仅用于工程开发或评估目的。它作为样品IC预先售出的样本IC提供给印刷电路板，以使访问输入，输出和供应终端更容易。该参考设计只需通过现成的电缆将其连接到主机MCU或计算机板，就可以与任何开发系统或其他I/O信号一起使用。应用程序中的最终设备将在很大程度上取决于适当的印刷电路板布局和散热器设计以及对供应过滤，瞬态抑制和I/O信号质量的关注。所提供的产品可能无法完成所需的设计，营销和或与制造相关的保护考虑因素，包括通常在结合产品的最终设备中发现的产品安全措施。由于产品的开放构造，用户有责任采取所有适当的电动预防措施进行电动排放。为了最大程度地降低与客户应用程序相关的风险，客户必须提供足够的设计和操作保障措施，以最大程度地减少固有或程序上的危害。有关任何安全问题，请联系NXP销售和技术支持服务。
用于闭环磁电流传感器的传感器信号调节 IC 数据表 (Rev. B)
(1) 超过这些额定值的应力可能会造成永久性损坏。长时间暴露在绝对最大条件下可能会降低设备可靠性。这些只是应力额定值，不支持设备在这些或任何超出规定条件的其他条件下正常运行。 (2) 输入端通过二极管钳位到电源轨。输入信号如果能超出电源轨 0.5 V 以上，则必须限制电流，差分放大器输入引脚除外。 (3) 这些输入没有内部过压保护。差分放大器输入引脚必须限制为 5 mA（最大值）或 ±10 V（最大值）。 (4) 功率受限；注意最大结温。
具有近红外的电力和数据遥测的电机预测的轻耐力无线神经记录IC
摘要 - 具有光学动力和数据遥测的基于最小的和无线近红外（NIR）的神经记录器是一种有希望的长期监测的有前途的方法，该方法具有最小的现状独立唱片仪之间的最小物理维度。但是，基于NIR的神经记录综合电路（IC）的主要挑战是在存在光引起的寄生寄生短路电流的情况下保持强大的操作。当信号电流保持较小以降低功耗时，尤其如此。在这项工作中，我们为电动机预测提供了一个容忍和低功率的神经记录IC，该记录可以在低调的300 µw/mm 2中充分发挥作用。，它以4.1噪声效率因子（NEF）伪抗抑制作用的放大器，芯片神经特征提取器和单个的Mote-Mote级增益控制，在38℃时达到了0.57 µW的最佳能力消耗。应用猴子的20通道预录的神经信号，IC可以预测用