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生长 InAs/AlSb 多量子阱
通过调整它们的不对称性[12–14]、成分[6,15]和宽度[16]，已经产生了在红外波长下实用的可调结构。[12,14] Gurnick 和 De Temple [17] 首次通过在 Al x Ga 1 − x As 层中生长不对称 Al 成分梯度来破坏中心对称性，在多层结构中观察到了设计的二阶光学非线性。后续实验在 III-V 半导体 QW 中设计了光学非线性，例如可调谐发射器 [2,15,18] 和光开关设备。[6] 然而，它们的二阶非线性磁化率 MQW (2) χ 的实验值尚未见报道。最近人们对在复杂 QW 系统中设计大型光学二阶非线性的兴趣 [19–21] 促使及时系统地研究量化 χ (2)。工程设计中的挑战之一
双 InGaAs/InAs 通道对直流和射频性能的影响
图 2 (a) 显示了 V GS =0 V 下三种不同通道结构的能带图。图 2 (b) 显示了通道区域中的导带。垂直切割是在栅极电极中心进行的。如图 2 所示，能带可以通过不同的通道结构进行调制。研究发现，CC 通道和 DC 通道可以有效增加导带。与 SC 结构相比，CC 和 DC 结构的势阱深度分别增加了 0.37 eV 和 0.39 eV。这意味着 CC 和 DC 结构增强了通道区域中电子的限制。此外，DC 通道形成了双电子势阱。第二个势阱将减少扩散到 InAlAs 缓冲层中的电子数量。因此，DC 通道结构在电子限制方面比 SC 和 CC 通道结构更有效。
InAs 基底上 Ni3InAs 薄膜的结构和化学研究
HAL 是一个多学科开放存取档案库，用于存放和传播科学研究文献，无论这些文献是否已出版。这些文献可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
INAS - AL混合设备中的干涉测量学单拍测量
非阿布莱安人的融合是仅测量拓扑量子计算中的基本操作1。在一维拓扑超导体（1DTSS）2–4中，融合量相当于确定Majorana零模式（MZMS）的共享费米亚奇偶校验。在这里，我们介绍了与Fusion规则未来测试兼容的设备体系结构5。我们在砷氧化胺 - 铝 - 铝异源结构中实施了单次干涉测量，并具有栅极定义的超导纳米线12-14。干涉仪是通过将邻近的纳米线与量子点耦合形成的。纳米线导致这些量子点的量子电容的状态依赖性转移高达1 ff。我们的量子电气测量值显示了通量H /2 e - 周期性双峰性，其信噪比（SNR）在最佳通量值下为1.6μm。从量子电气压测量的时间迹线开始，我们在两个相关状态中提取了一个相关状态的停留时间，在大约2 t的平面磁场时长度超过1 ms。我们讨论了根据拓扑上的微不足道和非本质起源的测量的解释。较大的电容偏移和较长的中毒时间可实现奇偶校验测量，分配误差概率为1％。
具有增强键合强度的白色粘合剂
这项工作介绍了优化的模型和数值模拟的结果以及基于CNT的GAAS/INAS多个量子井（从5到70 QWS）GAAS太阳能电池的分析。这些QW被发现将吸收边缘延伸到GAA带隙的范围之外。此外，随着模型中引入宽带插入式凹陷后面场（BSF）层，由于从设备底部反射了未吸附的光子，因此提高了效率，从而提高了效率。所提出的模型使用异质的CNT层作为顶部半透明电极。可以观察到，这种具有较低板电阻和更好光线的CNT顶层可以显着提高整体效率。我们的优化单元格具有35 number 25nm量子井结构，具有100 nm CNT顶层，板电阻为128Ω/□可将效率提高到32.46％（没有CNT顶层）。EQE接近90％。为了显示我们发现的准确性，显示了数值建模的关键阶段，并使用标准实验数据检查了基本仿真数据。在创建商业上可行的QWSCS迈出的重要一步是建议基于CNT的QWSC模型在现代TCAD工具环境（Silvaco Atlas）中的有效应用。keyowrds：碳纳诺管（CNT），INAS/GAAS，SILVACO TCAD，量子井太阳能电池（QWSC）
绝缘子：一个新的低温混合超导电子
基于Hybrid Inas Josephson连接（JJS）的超导电路在快速和超低功率消耗固态量子电子设备和探索新型物理现象的设计中起着主角的作用。常规上，使用INA制成的3D基材，2D量子井（QW）和1D纳米线（NWS）用于与混合JJS创建超导电路。每个平台都有其优点和缺点。在这里，提议将Inas-ins-on-insun-unsulator（Inasoi）作为开发超导电子产品的开创性平台。具有不同电子密度的半导体INA的表层呈现到Inalas变质的bu效中，有效地用作低温绝缘子，以将相邻的设备电气解除。JJ是使用Al作为超导体和具有不同电子密度的INA的。的开关电流密度为7.3μm-m-1，临界电压为50至80μV，临界温度与所使用的超导体的临界温度相当。对于所有JJS，开关电流都遵循带有平面外磁场的Fraunhofer样图案。这些成就使使用Inasoi可以使用高临界电流密度和出色的门控性能设计和制造表面暴露的Josephson场效果。
带有INAS/INGAAS Quantum Dot
1。简介。近几十年来，随着量子数据处理技术的促进，人们对能够在特定频率下以高量子效率发射的非古典光源越来越感兴趣[1]。实施此类来源的最有希望的方法之一是使用单个半导体量子点（QDS）[1-4]。材料系统的一系列允许基于QD的单光子源（SP）在宽广泛的范围内创建单光子源（SPS），从紫外线附近到电信C波段[5-9]。对于基于费用的量子加密应用，在电信C波段接近1.55μm中运行的SPS特别感兴趣，这是由于纤维中的光学损失最小而引起的[3，10]。当前，基于微孔子中的QD，在该光谱范围内获得单光子发射的主要方法。第一种方法涉及在INP屏障中生长INAS QD [5，11-13]，而第二种方法涉及直接在GAAS子仪上直接在INGAAS METAAS METAAS METAS-METAS-METAS-METAS-METAS-METAS-METAS-METAS-METAS QD上生长INAS QD [14-16]。然而，在INP
InP（001）衬底上的长波长 InAs/InAlGaAs 量子点微盘激光器
在本信中，我们介绍了基于五叠自组装 InAs/InAlGaAs 量子点作为活性介质的长波长微盘激光器，这些量子点通过固体源分子束外延在 InP（001）衬底上生长。直径为 8.4 lm 的量子点微盘激光器在脉冲光泵浦条件下在室温下工作。实现了 1.6 lm 的多波长激光发射，低激光阈值为 30 lm W，品质因数为 1336。通过收集到的近场强度分布的“S”形 L-L 曲线、线宽变窄效应和强散斑图案验证了激光行为。所展示的具有低阈值和超紧凑占地面积的长波长激光器可以在集成气体检测和高度局部化的无标记生物和生化传感中找到潜在的应用。
不同类型的掺杂剂在1.3 µm INAS/GAAS量子点激光器中的作用
组件[3，4]，但是SI光源的发展远远落后于其他组件[5-8]。组IV材料的间接带隙性质使它们效率低下，因为它们是泵送的发光来源[9]，而III – V QD激光器在直接在SI底物上生长的III – V QD激光器对实现高效率和低成本显示出希望。由于自组装QD的三维量子限制，INAS/GAAS QD激光器，这些激光器以低阈值电流密度[4、10-12]呈现出较高的性能[4、10-12]，并且对基于SI的PICS的温度和缺陷高度耐受性[13]受到了极大的关注[14-20]。然而，由于载体对较高状态和/或屏障状态的热激发，QD激光器的性能不足理论理想[21-24]。尽管电荷中立性可能
InAs 胶体量子点固体中的顺序共钝化可实现高效的近红外光电探测器
III-V 族胶体量子点 (CQDs) 是用于光电应用的有前途的材料，因为它们避免了重金属，同时实现了从可见光到红外 (IR) 的吸收。然而，III-V CQDs 的共价性质要求开发新的钝化策略来制造用于光电器件的导电 CQD 固体：这项工作表明，先前在 II-VI 和 IV-VI 量子点中开发的使用单个配体的配体交换不能完全钝化 CQD，并且这会降低设备效率。在密度泛函理论 (DFT) 模拟的指导下，这项工作开发了一种共钝化策略来制造砷化铟 CQD 光电探测器，该方法采用 X 型甲基乙酸铵 (MaAc) 和 Z 型配体 InBr 3 的组合。这种方法可保持电荷载流子迁移率并改善钝化效果，斯托克斯位移减少 25%，第一激子吸收线宽随时间推移的增宽率降低四倍，并使光致发光 (PL) 寿命增加一倍。所得器件在 950 nm 处显示 37% 的外部量子效率 (EQE)，这是 InAs CQD 光电探测器报告的最高值。