4- 6 , Mark S Gold 7 , Eliot L Gardner 8 , Igor Elman 1,9 , Merlene Oscar Berman 10 , Jean Lud Cadet 11 , Alireza Sharafshah 12 , Catherine A Dennen 13 , Abdalla Bowirrat 1 , Albert Pinhasov 1 , David Baron , Marrie Gondre , 13 , Marrie Lewis 15 , Rajendra D Badgaiyan 16 , Jag Khalsa 17 , Keerthy Sunder 18,19 , Kevin T Murphy 20 , Milan T Makale 21 , Edward J Modestino 22 , Nicole Jafari 23,24 , Foojan Zeine 25 , 26 , Alexander Mander 27 3 , Brian S Fuehrlein 28 和 Panayotis K Thanos 1,29
• Indeed 的技能分类法涵盖 48 个技能系列,涵盖 2,600 多种技能,这些技能出现在 2022 年 7 月至 2023 年 8 月期间在美国发布的 5500 多万个 Indeed 职位发布中,占美国一段时间内职位发布总数的绝大多数。
随着公司的发展,这一使命从未改变,但我们实现这一目标的手段已经演变为包括利用机器学习、算法和其他先进技术的工具。其中一些工具可以被描述为“人工智能 (AI)”,尽管值得注意的是,对于该术语的含义并没有达成共识。这些工具为我们更好地匹配求职者和雇主开辟了新的机会。我们投资产品解决方案和先进技术,帮助使用我们平台的人更轻松地生活和工作。对于使用 Indeed 寻找优秀人才、与他们的首选联系并提供工作机会的中小型企业,我们的技术投资(包括人工智能和算法)可以释放他们的时间,以便他们可以花时间和金钱来帮助他们的客户并改进他们的产品。此外,我们致力于利用我们的资源推动创新,减少许多求职者在招聘过程中面临的障碍。
摘要 - 内部内容可寻址内存(TCAM)一直是缓存,路由器等的关键组件,其中密度,速度,功率效率和可靠性是主要的设计目标。使用了非胆汁记忆(NVM)设备,具有常规的低维能力,但基于SRAM的TCAM设计,但也很密集,但较差,但可靠性较差或更高的功率TCAM设计。同时,还提出了一些使用动态记忆的TCAM设计。尽管动态设计TCAM比CMOS SRAM TCAM更密集,并且比NVM TCAM更可靠,但传统的逐行刷新操作在正常的TCAM活动的干扰瓶颈上升起。因此,本文提出了使用纳米电机力学(NEM)继电器设备的自定义低功率动态TCAM,该中继设备利用一声刷新来解决内存刷新问题。通过使用拟议的新细胞结构来利用独特的NEM继电器特性,提出的TCAM占据了仅3个晶体管的小占地面积(通过后端过程中的两个NEM继电器在顶部集成了两个NEM继电器),这显着超过了基于SRAM-SRAM-SRAM-SRAM-基于SRAM的TCAM的密度。此外,评估表明,拟议的TCAM分别超过了SRAM,RRAM和FEFET TCAM,将写入能效分别提高了2.31倍,131倍和13.5倍。 SRAM,RRAM和FEFET TCAMS分别提高了搜索能量固定产品的12.7倍,1.30倍和2.83倍。