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IITI/ACAD/PHD入学/2023-24 2024年2月2日，IIT Indore邀请申请来自高度积极进取和研究的学生，
国际申请人硕士学位的最低教育资格（MEQ）和合格考试（QE）（M.Tech。或M.E.或MS）在冶金/材料科学与工程/机械/制造/生产工程/纳米技术/工程科学/工程学/工程物理/陶瓷工程/电子工程/化学工程/能源科学与工程（由奖励研究所/大学定义的第一部门）或B.E./ B.E./ B.Tech。冶金/材料科学与工程学/机械/制造/生产工程/纳米技术/工程科学/工程/工程物理/陶瓷工程/电子/化学/化学工程/能源科学和工程（由奖励研究所/大学定义的第一分区或Masters（M.Sc.）化学/物理/材料科学/电子/纳米科学/技术/法医学（由奖励研究所/大学定义的第一分区） div>
新闻稿：印度政府专利局已授予印度理工学院印多尔分校一项内存设计专利。
印度专利局已授予印多尔理工学院“PN 调谐差分 8T 静态随机存取存储器 (SRAM) 单元”专利。本发明一般涉及集成电路，更具体地说涉及超低功耗 SRAM。为了降低存储器单元阵列的功耗，电源电压缩放是最优选的方式。电源电压缩放使操作能够在亚阈值范围内进行，其中电路的功耗最小。这是通过选择低于所用金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 器件的阈值电压的电源电压来实现的。通过 VLSI 设计进行电源电压缩放会受到诸如静态噪声容限 (SNM) 的明显损失、电流波动、限制可能连接到单个位线的单元数量等限制。本发明减少了读取干扰并提高了 SRAM 单元的写入能力，从而在超低功耗操作中更有效地操作 SRAM 单元。本发明还增强了 SRAM 单元在亚阈值区域内对工艺电压温度变化的免疫力。这是通过切断反馈并限制通过真实存储节点到地的电流来实现的，从而提高了 8T SRAM 单元的写入能力和写入速度，允许设置公共写入脉冲宽度，从而提高写入速度。读取操作期间对真实存储节点没有直接干扰，从而降低了芯片间或芯片内变化导致的故障概率。这种新型 SRAM 单元将使设计人员能够构建强大的内存阵列。
2014 年度报告 - 印度理工学院印多尔分校
Gourinath Banda 博士（博士：丹麦罗斯基勒大学；硕士：丹麦南丹麦大学；首席工程师：印度诺伊达三星软件工程实验室；科学家研究员：印度班加罗尔国家航空航天实验室）致力于：（i）形式验证技术，如模型检查、抽象解释和静态分析；（ii）实时系统（如内核、RTOS、应用程序、航空电子设备等）设计及其形式分析；（iii）增强设备的用户体验；（iv）用于减少电力浪费的嵌入式干预措施和（v）节能计算技术。研究兴趣：安全关键系统的形式分析；实时系统设计和分析；网络物理系统、嵌入式系统、机电一体化系统和绿色设备与技术的软件工程和严格分析技术。