XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemInductance
物理科学，生命科学与社会科学
•测量•沿直线运动•向量•运动•二维运动•力和运动 - i•力和运动 - •II•动力和工作•能量和工作•能量和能量的能量•质量和线性动量中心•旋转•旋转，扭矩，扭矩和角度，和角动量•平衡和弹性•稳定性•稳定性•旋转•旋转•挥发性•浪潮 - 浪潮 - 浪潮 - 浪潮，潮流，潮汐，潮流，浪潮，潮流，潮流，浪潮，热力学•气体动力学理论•熵和热力学的第二定律•库仑定律•电场•电场•电场•高斯•高斯定律•电势•电势•电容•电流和电阻•电流•电路•电路•磁场•由于磁场•磁场•电流和电感•电磁场•电子磁振荡和交替的当前电流•Maxwell•Maxwell•Maxwell•Maxwell•Maxwell的等式；物质的磁性•电磁波•图像•干扰•相对性•光子和物质波•更多关于物质波•关于原子的全部•关于原子的全部•固体中的电力•核物理•核物理•来自核的能量•夸克，leptons和大爆炸97893574460835 | `1149
![arXiv:2110.05787v2 [physics.optics] 2022 年 8 月 15 日](/simg/g:\will\search\icon\source\b\b23d93ed1d9182812dd4654b4d536e1340376d0b.webp)
arXiv:2110.05787v2 [physics.optics] 2022 年 8 月 15 日
摘要 光学微波动能电感探测器 (MKID) 的典型材料是金属，在可见光和近红外光中的自然吸收率约为 30-50%。为了达到高吸收效率 (90-100%)，必须将 KID 嵌入光学堆栈中。我们展示了一种针对 60 nm TiN 薄膜的光学堆栈设计。光学堆栈被建模为传输线的各段，其中每个段的参数与各层的光学特性有关。我们从光谱椭圆偏振测量中推导出 TiN 薄膜的复介电常数。设计的光学堆栈针对宽带吸收进行了优化，从顶部（照明侧）到底部由以下组成：85 nm SiO 2、60 nm TiN、23 nm SiO 2 和 100 nm 厚的 Al 镜。我们展示了该堆栈的模型吸收和反射，其在 400 nm 至 1550 nm 范围内的吸收率 > 80%，在 500 nm 至 800 nm 范围内的吸收率接近 1%。我们使用商用分光光度计测量了该堆栈的透射和反射。结果与模型非常吻合。
C14E 双轴云台
产品规格 美国国际单位制 机械质量 3.8 lbm 1.72 Kg 输出步长 0.0625 度 空载时的转换率 >9 度/秒 环境温度下 4 度/秒时的输出扭矩 125 in-lb 14 Nm 无动力保持扭矩（最小值） 8 in-lbf 0.90 Nm 扭转刚度 20,000 in-lbf/rad 2,260 Nm/rad 电气 绕组电阻（标称值） 57 Ω 绕组电感（典型值） 30 mH 输入电压范围 24-32 Vdc 位置传感器 电位器 执行器 独立负载额定值（有关组合负载，请咨询 Sierra Space Engineering） 轴向 725 lbs 3.2 kN 径向 725 lbs 3.2 kN 力矩 350 lb-in 39.5 Nm 热工作温度 -22 °F 至 +149 °F -30 °C 至 +65 °C 非工作温度 -40 °F 至 +167 °F -40 °C 至 +75 °C 注意：此数据仅供参考，可能会更改。请联系 Sierra Space 获取设计数据。
基于指令交换规则和持续时间的量子电路串扰抑制
摘要：串扰是量子计算设备的主要噪声源。量子计算中多条指令的并行执行会产生串扰，串扰会引起信号线间的耦合以及信号线间的互感、互容，破坏量子态，导致程序无法正确执行。克服串扰是量子纠错和大规模容错量子计算的关键前提。本文提出了一种基于多指令交换规则和持续时间的量子计算机串扰抑制方法。首先，针对量子计算设备上可执行的大多数量子门，提出一种多指令交换规则。多指令交换规则对量子电路中的量子门进行重新排序，将量子电路中串扰较大的双量子门分离。然后，根据不同量子门的持续时间插入时间赌注，在量子计算设备执行量子电路的过程中小心地分离串扰较大的量子门，以降低串扰对电路保真度的影响。多个基准实验验证了所提方法的有效性。与以前的技术相比，所提出的方法平均提高了15.97％的保真度。
AP1313 - 芯朋科技
AP1313 需要适当的输入电容来在阶跃负载瞬变期间提供电流浪涌，以防止输入电压轨下降。因为从电压源或其他大容量电容到 VIN 引脚的寄生电感限制了浪涌电流的斜率，所以寄生电感越大，输入电容就越大。超低 ESR 电容（如陶瓷芯片电容）和低 ESR 大容量电容（如固体钽电容、POSCap 和铝电解电容）都可以用作 VIN 的输入电容。对于大多数应用，建议的 VIN 输入电容至少为 10µF。但是，如果不关心输入电压的下降，输入电容可以小于 10µF。输出电容 AP1313 专门设计用于与低 ESR 陶瓷输出电容配合使用，以节省空间。建议使用电容至少为 4.7µF 且 ESR 大于 1mΩ 的陶瓷电容。大输出电容可以降低噪音并改善负载瞬态响应。图 2 显示了允许的 ESR 范围与负载电流和输出电容的关系。
印刷电路板嵌入式功率半导体
与传统封装技术相比，将功率半导体器件嵌入印刷电路板 (PCB) 有几个好处。将半导体芯片集成到电路板中可减小转换器尺寸。这会使电流环路变短，从而降低互连电阻和寄生电感。由于传导和开关损耗降低，这两者都有助于提高系统级效率。此外，由于热阻低，使用厚铜基板可以有效散热。因此，十多年来，PCB 嵌入在电力电子界受到了广泛关注。本文旨在全面回顾该主题的科学文献，从基本制造技术到用于电气和热测试的模块或系统级演示器，再到可靠性研究。性能指标，例如换向环路电感 L σ、与芯片面积无关的热阻 R th × A chip ，可以比较不同的方法并与传统功率模块进行基准测试。一些出版物报告称，杂散电感低于 1 nH，并且与芯片面积无关的热阻在 20 ... 30 mm 2 K/W 范围内。
适用于单脉冲雷达和生物医学传感器应用的集成混合耦合器
180 度混合耦合器设计为在 5 至 10 GHz 频率范围内小型化，求和端口相移为 0 度，差分端口相移为 180 度。小型化可以最大限度地降低功耗，而无源元件可以解决微带线基板材料复杂的可达性问题！将在 Cadence 中选择和设计电感器的金属层，并确定金属的磁导率和介电常数。设计过程从先进设计系统 (ADS) 中的环形混合耦合器微带线开始，到集总无源元件，再到 Cadence 中的有源 65nm CMOS 实现。仿真结果显示，通过中心抽头电感的材料在 EMX 仿真后产生了寄生电感，使感兴趣的频率带宽向左移动 1GHz。无源电路的正向增益为-10dB，回波损耗约为-6dB。已进行文献研究以缩小混合耦合器的体积并分析其性能参数。最终结果表明，仅使用了四个无源元件，覆盖了感兴趣的频带5GHz。
使用 Tegam 型号 252 LCR 电表验证 Fenwal ...
该化合物被密封在外管内。这些传感器具有固定的温度报警点，范围从 180°F (82°C) 到 900˚F (482˚C)。共晶盐化合物的“熔点”决定了每个传感器的报警点。一旦元件暴露在超过报警点的温度下，它就会导电，在中心导体和外管之间产生电流。控制单元可以感应到这种增加的电流，并发出异常温度情况的信号。252 型 LCR 表 252 型最初由 Electro Scientific Industries, ESI 设计，是一种耐用、易于使用的 LCR 表，供生产或现场工作的技术人员使用。该表能够精确测量电阻、电感、电容、耗散因数或电导。它可用作标准 120/240 VAC @50/60Hz 供电设备，也可以与可选电池组 252/SP2596 一起购买，后者允许在飞机库等现场便携使用。252 的测量频率为 1 kHz，提供不会损坏 Fenwal 传感元件的信号幅度。
DCM 模式下集成三电平降压变换器的分析、设计和控制
三电平降压(TLB)转换器与连续导通模式(CCM)的降压转换器相比，具有电压转换效率高、电感电流纹波、输出电压纹波和开关管电压应力小等特点。将TLB转换器集成在芯片上，由于电感较小、负载变化较大，无法避免其以非连续导通模式(DCM)工作。本文介绍并讨论一种采用65nm CMOS工艺实现的DCM模式下TLB转换器的分析、设计和控制。晶体管级仿真结果表明，当TLB转换器工作在100MHz、片上电感5nH、输出电容10nF、输出电容10nF时，输入电压为2.4V，输出转换范围为0.7～1.2V，峰值效率为81.5%@120mW。当 I OUT ¼ 10 – 100 mA 时，输出负载瞬态响应为 100 mV，下冲为 101 ns，过冲为 86 mV，上冲为 110 ns。最大输出电压纹波小于 19 mV。
TIDA-010257 良好
8 74650073R Wurth Elektronik 电源元件衬套，M3，TH 电源元件衬套，M3，TH 30 J9，J11 2 61300411121 Wurth Elektronik 接头，2.54 mm，4x1，金，TH 接头，2.54mm，4x1，TH 31 J10 1 6.94106E+11 Wurth Elektronik WR-DC DC 电源插孔，R/A，TH WR-DC DC 电源插孔，R/A，TH 32 J12 1 61300211121 Wurth Elektronik 接头，2.54 mm，2x1，金，TH 接头，2.54mm，2x1，TH 33 K1，K2 2 T9AS1D12-15 TE Connectivity继电器，SPST-NO（1 型 A），30 A，15 V，TH 32.51x27.43mm 34 L1，L2 2 YXS80874T YAXIN ELECTRONICS 3 相共模扼流圈 PTH_CMC_66MM0_5 6MM0 35 L3，L6，L8，L10 4 1000 ohm 742792662 Wurth Elektronik 铁氧体磁珠，1000 ohm @ 100 MHz，0.6 A，0603 0603 36 L4，L5，L7 3 355uH YXS51020T YAXIN ELECTRONICS PFC 电感 350uH 31A PTH_IND_58MM0_70 MM0 37 L9 1 6.8uH 78438335068 Wurth Elektronik 电感器，屏蔽，铁粉，6.8 uH，1.1 A，0.287 欧姆，AEC-Q200 1 级，SMD