该文档计划于2010年3月7日在联邦公报上发布,并在https://federalregister.gov/d/2025-03650上在线提供,并在https://govinfo.gov
创伤性脑损伤(TBI)是指由外力造成的脑损伤,典型的影响很大,通常是由于汽车事故,跌倒或运动损伤等事件造成的。在2019年全球记录了超过2700万例新的TBI病例,这种类型的伤害很常见,可能会威胁生命[1]。尽管在影响时发生了主要伤害,但TBI患者面临着次要损伤的巨大风险,在初次创伤后的几个小时甚至几天内,这种损伤可能会逐渐发展[2]。这些次要侮辱与颅内压增加(ICP)有关,这是颅库内压力的危险增加。当ICP增加时,可以限制脑血流。这种限制可能导致脑缺血,其中大脑被剥夺了氧气,这是ICP升高的主要伤害作用。紧急医疗干预需要管理和减少ICP,因为ICP的未经治疗的海拔高程会导致永久性神经系统损害,昏迷甚至死亡。预防和管理次要损伤对于对TBI患者的治疗至关重要,并且通常涉及对ICP的持续监测,稳定患者的状况以及采用干预措施,例如药物,手术减压或脑脊髓液流体,以最大程度地损害进一步的损害。迅速治疗升高的ICP可以显着提高预后,并降低长期残疾的可能性[3,4]。
摘要 本研究旨在评估高渗盐水与晶体液(生理盐水/乳酸林格氏液)在改善创伤性脑损伤 (TBI) 患者临床结果方面的效果。我们以不同的 MeSH 词搜索了 1990 年至今的电子数据库和灰色文献(未发表的文章)。关于 TBI(>18 岁)减压开颅术的随机对照试验、病例对照研究和前瞻性队列研究。临床结果指标包括格拉斯哥昏迷结果量表 (GCOS)、扩展 GCOS 和死亡率。数据被提取到 Review Manager 软件中。共检索并分析了 115 篇符合纳入标准的文章。最终,我们的荟萃分析纳入了五项研究,结果显示,使用高渗盐水的 TBI 患者在出院或 6 个月时获得良好结果的可能性与使用晶体液的患者相比无统计学意义(比值比 [OR]:0.01;95% 置信区间 (CI):0.03–0.05;P = 0.65)。出院或 6 个月时使用高渗盐水与使用晶体液的死亡相对风险 (RR) 为 RR:0.80;95% CI:0.64–0.99;P = 0.04。亚组分析显示,与晶体液组相比,使用高渗溶液的组干预次数显著减少 OR:0.53;95% CI:0.48–0.59; P < 0.00001,并且还缩短了重症监护病房的住院时间(OR:0.46;95% CI:0.21–1.01;P = 0.05)。高渗盐水减少了经济负担,但既不影响临床结果也不降低死亡率。然而,需要进一步的临床试验来证明高渗盐水与普通盐水/乳酸林格氏液相比,是否在改善 TBI 患者的临床和神经系统状况方面有任何作用。
表1比较了有或没有AKI的DKA患者的人口统计和合并症。两组之间的平均年龄分布相似,没有统计学上的显着差异(p = 0.087)。与非肥胖患者相比,肥胖患者的比例明显更高(p = 0.044)。性别分布没有显示显着差异(p = 0.63)。在合并症,CKD和CAD中,DKA患者的AKI显着相关(分别为p = 0.02和p = 0.036)。HTN,OAD和CLD在AKI和非AKI组之间没有显示统计学上的显着差异(P> 0.05)。这些发现表明,肥胖,CKD和CAD可能会导致DKA患者的AKI风险增加,从而强调了监测这些因素在临床实践中的重要性。
摘要:脊髓损伤(SCI)后轴突再生的主要障碍是由星形胶质细胞和小胶质细胞介导的神经炎症。我们先前证明,仅基于石墨烯的胶原凝胶可以减少SCI中的神经炎症。然而,他们的再生潜力知之甚少和不完整。此外,尽管存在与基于干细胞的治疗的应用有关的限制,但干细胞在脊髓再生中既表现出神经保护性和再生特性。在这项研究中,我们分析了人骨骨髓间充质干细胞(BM-MSC)负载的石墨烯连接胶原蛋白冰期(GR-COL)在SCI的胸腔(T10-T11)半部半分裂模型中的再生能力。我们的研究发现,BM-MSC负载的GR-COL可改善轴突再生,通过降低星形胶质细胞反应性来降低神经炎症,并促进M2巨噬细胞极化。与GR-COL和损伤组对照相比, BM-MSC负载的GR-COL具有增强的再生潜力。 下一代测序(NGS)分析表明,BM-MSC负载的GR-COL调节JAK2-STAT3途径,从而减少了反应性和疤痕形成的星形胶质细胞表型。 BM-MSC负载的GOR组中神经炎症的减少归因于Notch/Rock和STAT5A/B和STAT6信号的调制。 总体而言,基因集富集分析表明,通过调节PI3/AKT途径,局灶性粘附激酶和各种炎症途径,通过调节分子途径(例如PI3/AKT途径),通过调节分子途径(例如PI3/AKT途径),通过调节分子途径来促进轴突再生。BM-MSC负载的GR-COL具有增强的再生潜力。下一代测序(NGS)分析表明,BM-MSC负载的GR-COL调节JAK2-STAT3途径,从而减少了反应性和疤痕形成的星形胶质细胞表型。BM-MSC负载的GOR组中神经炎症的减少归因于Notch/Rock和STAT5A/B和STAT6信号的调制。总体而言,基因集富集分析表明,通过调节PI3/AKT途径,局灶性粘附激酶和各种炎症途径,通过调节分子途径(例如PI3/AKT途径),通过调节分子途径(例如PI3/AKT途径),通过调节分子途径来促进轴突再生。关键词:人骨髓间充质干细胞,RNA测序,石墨烯,胶原蛋白,冷冻凝胶,神经炎症
骨科是一个从再生医学提供的新想法中受益匪浅的领域。这篇评论将涉及干细胞疗法,富含血小板的血浆,生长因子,基因治疗,组织工程,干细胞衍生的细胞外囊泡以及其他再生技术的最新出版物汇集在一起。最近的研究表明,这些新疗法可以改变细胞发育,分裂和生产纤维和地面物质以重塑组织。尽管如此,临床应用仍存在几个问题,例如细胞采购和制备的标准化,细胞因子/基因递送的控制,组织的血运重建以及大型样本的要求,正面对照临床试验。必须进行更多的研究,以克服此类障碍并使实践更适用于现实生活。
1。对本文档中电路,软件和其他相关信息的描述仅供说明半导体产品和应用程序示例的操作。您对产品或系统设计中的电路,软件和信息的合并或任何其他用途完全负责。renesas电子设备对您或第三方造成的任何损失和损失均不承担任何责任,而这些损失和损失是由于使用这些电路,软件或信息而引起的。2。Renesas Electronics特此明确违反了对侵权或涉及第三方的专利,版权或其他知识产权的任何其他要求,或者是由于使用Renesas电子产品或本文档中描述的肾上腺电子产品或技术信息所产生的,包括但不限于产品,图形,图形,图表,图表,Algorith和Algorith和Algorith,以及不限于本文档中的技术或技术信息。3。在任何专利,版权或其他知识产权的权利下,没有明示,隐含或其他方式的许可证。4。您应负责确定任何第三方需要哪些许可证,并获得合法进出口,出口,制造,销售,利用,分销或其他任何产品(如果需要)的任何产品(如果需要)的任何产品。5。您不得更改,修改,复制或反向工程师,无论是全部还是部分。6。“高质量”:运输设备(汽车,火车,船舶等。7。renesas电子设备对您或第三方造成的任何损失或损害赔偿均不承担任何责任,这些损失或损失是由于这种更改,修改,复制或反向工程而引起的。Renesas电子产品根据以下两个质量等级进行分类:“标准”和“高质量”。每种Renesas电子产品的预期应用都取决于产品的质量等级,如下所示。“标准”:计算机;办公设备;通信设备;测试和测量设备;音频和视觉设备;家用电子电器;机床;个人电子设备;工业机器人;等。);交通控制(交通信号灯);大规模通信设备;关键财务终端系统;安全控制设备;等。除非在Renesas电子数据表或其他Renesas电子文档中明确指定为高可靠性产品或用于恶劣环境的产品,否则Renesas电子产品不打算或授权用于可能对人类生活或人身伤害构成直接威胁的产品或系统(人为生命或人工生命支持设备或系统; ),或可能造成严重的财产破坏(太空系统;海底中继器;核电控制系统;飞机控制系统;关键工厂系统;军事设备;等)。 renesas电子设备对您或任何第三方造成的任何损害或损失均不承担任何责任,这些损失或损失与使用任何Renesas电子数据表,用户手册或其他Renesas Electronics Electronics文档相抵触的任何Renesas Electronics产品产生的任何损失。 8。 9。 10。),或可能造成严重的财产破坏(太空系统;海底中继器;核电控制系统;飞机控制系统;关键工厂系统;军事设备;等)。renesas电子设备对您或任何第三方造成的任何损害或损失均不承担任何责任,这些损失或损失与使用任何Renesas电子数据表,用户手册或其他Renesas Electronics Electronics文档相抵触的任何Renesas Electronics产品产生的任何损失。8。9。10。没有绝对安全的半导体产品。尽管有任何安全措施或功能在Renesas电子硬件或软件产品中可能实现,但Renesas Electronics绝对不承担任何责任或安全漏洞的责任,包括但不限于对使用Renesas电子产品或使用Renesas电子产品的任何未经授权访问或使用任何未经授权的访问或使用。Renesas电子产品不保证或保证Renesas电子产品或使用Renesas电子产品创建的任何系统都将是无敌的,或者不受腐败,攻击,病毒,干扰,黑客攻击,数据丢失或盗窃或其他安全入侵(“脆弱性问题”)。renesas电子设备不承担与任何漏洞问题有关或相关的所有责任或责任。此外,在适用法律允许的范围内,Renesas Electronics在本文档以及任何相关或随附的软件或硬件(包括但不限于对特定目的的承包商或适合性的隐含保证)方面违反任何明示或暗示的保证。使用Renesas Electronics产品时,请参阅最新产品信息(数据表,用户手册,应用程序注释,“可靠性手册中的处理和使用半导体设备的一般说明”,等等。),并确保使用条件在Renesas电子设备指定的范围内,相对于最高评级,操作电源电源电压范围,散热特性,安装等。11。12。13。14。renesas电子设备因使用此类指定范围以外的Renesas电子产品而引起的任何故障,失败或事故均不承担任何责任。尽管Renesas Electronics努力提高了Renesas电子产品的质量和可靠性,但半导体产品具有特定的特征,例如以一定速率发生故障和在特定使用条件下发生故障。除非指定为高可靠性产品或Renesas电子数据表或其他Renesas电子文档中恶劣环境的产品,否则Renesas Electronics产品不会受到辐射抗性设计。,您有责任采取安全措施,以防止火灾受到人身伤害,伤害或损害以及/或在雷纳斯电子产品失败或故障的情况下对公众造成的危险,例如硬件和软件的安全设计,包括但不限于预防裁员,防火和不适用任何其他适当的治疗方法,包括但不限于裁员预防或其他任何适当的脱发度量。由于仅对微型计算机软件的评估非常困难和不切实际,因此您负责评估最终产品或系统的安全性。请联系Renesas电子销售办公室,了解有关环境问题的详细信息,例如每种Renesas电子产品的环境兼容性。renesas电子设备因不遵守适用法律和法规而导致的任何损害或损失承担任何责任。您有责任仔细,充分调查适用的法律和法规,这些法律和法规,这些法规和使用受控物质(包括不限于欧盟ROHS指令),并根据所有这些适用的法律和法规使用Renesas Electronics指令。Renesas电子产品和技术不得用于或纳入任何适用于国内或外国法律或法规的产品或系统中的任何产品或系统。您应遵守任何由任何国家的政府颁布和管理的任何适用的出口控制法律法规,主张对当事方或交易的管辖权。是Renesas电子产品的买方或分销商的责任,或任何其他分发,处置或以其他方式将产品分发,处置或以其他方式将产品转交给第三方的当事方,在本文档中规定的内容和条件之前通知该第三方。未经Renesas Electronics事先书面同意,不得以任何形式重印,复制或重复任何形式。如果您对本文档中包含的信息或Renesas电子产品有任何疑问,请联系Renesas电子销售办公室。
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