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聚酰亚胺薄膜工艺设备资质
关键词：非光定义聚酰亚胺、固化、C&D Track、CascadeTek 烤箱、互连和 GaAs。摘要 化合物半导体行业使用多种材料来制造用于金属互连的层间电介质薄膜。这些材料包括 BCB、聚酰亚胺和硅电介质。在本文中，我们讨论了在 BAE 系统微电子中心 (MEC) 制造工厂的新加工设备上进行的聚酰亚胺薄膜工艺鉴定。这项工作包括对用于聚酰亚胺涂层的新涂层轨道和用于固化聚酰亚胺涂层薄膜的新固化烤箱的鉴定。引言聚酰亚胺薄膜具有低介电常数、高模量和相对较高的热稳定性、化学稳定性和机械稳定性 1, 2 。这些特性使其成为众多半导体和微电子处理应用的有吸引力的候选者。这些应用包括使用聚酰亚胺薄膜作为倒装芯片封装中的钝化层、印刷电路板的基板、多芯片模块沉积电介质封装中的基板、多层金属互连中的电介质夹层等。3 本文讨论了将聚酰亚胺薄膜用于金属互连，因为其介电常数低，可以降低寄生电容。金属互连将集成电路 (IC) 的各个部分电连接起来。互连结构对于现代 IC 制造至关重要。图 1 显示了典型互连结构的横截面。互连由交替的金属层和电介质层制成。这些层经过图案化，形成连接电路 1、2、4 的各个组件的电通路。
1.1本协议规定客户生成器，以互连和运营附表NEM中定义的可再生发电设施（如果这是NEM太阳能或风力发电设施小于30 kW，请使用表格79-1151A）与PG＆e分配系统相关的电气载荷与电气负载相关，以与PG＆e的电气载荷相关，以与PG＆e的电气服务相关的电气服务，以与PG＆e的电气载荷相关联机，以与PG＆e的电气服务相关的电气服务，以与PG＆e的电气服务相关的电气服务。客户生成设施。客户生成器的生成设施主要旨在抵消部分或所有客户自身的电气要求。与加利福尼亚公共事业法规第2827条和PG＆E的电费计划NEM（NEM）第2827条的规定一致，并签订了本协议。本协议适用于以下具有指定特征和生成能力的客户生成设施，并且不允许与所描述的设施的互连或操作相互联系或操作。
L 波段超高功率
这些 L 波段隔离器和循环器专为固态功率放大器 (SSPA) 设计，用于航天器的通信、导航、雷达卫星和卫星有效载荷（GEO/MEO 和 LEO 星座），符合太空标准，在 1.57GHz 频率下可无多路复用至 1000 瓦峰值。Smiths Interconnect 的高功率隔离器和循环器采用固态 TNC 连接器，而隔离器采用内部生产的 50Ohm 终端。在内部，这些设备采用专有的多路复用抑制技术，为 SSPA 设计人员提供当前最小风险的操作，并为未来以更高功率运行提供途径。这些功能结合在一起，为最严苛的太空应用提供了高度紧凑、符合太空标准的解决方案。 L 波段设备是一系列机械变体的示例，这些变体在指定波段内运行，从 1.1 GHz（E5/L5）至 1.59 GHz（E1/L1）GNSS、1.2-1.4GHz EOS 和 2.0-2.3 GHz TT&C 波段。
基于 SRAM 的 FPGA 中的布线延迟建模
FPGA 设计的一个关键方面是其布线架构，它包括用于互连器件逻辑块的资源。在早期的 FPGA [1] 中，互连主要由跨越一个逻辑块长度或宽度的短线段组成。可以通过可编程布线开关将两个或多个短线段连接在一起来形成较长的线段。虽然这种方法可以很好地利用线段，因为没有可能浪费在短连接上的长线段，但要求长连接通过多个串联开关会严重影响速度性能。这是因为基于 SRAM 的 FPGA 通常使用传输晶体管来实现布线开关，而这种开关具有很大的串联电阻和寄生电容。为了解决这些问题，最近提出了一种用于互连的布线开关，用于将两个或多个短线段连接在一起的布线开关。
SAB评论 - 2024 Madhavan的中心行动计划...SAB评论 - 2024 Madhavan的中心行动计划...
未来（钟形视觉）：新的和变革性的逻辑，内存和互连技术，通过互连晶体管的多样性和集成的电路组件来克服不可避免的CMO的传统维度缩放缩放，从而模糊了什么是芯片和芯片的差异。
28nm 技术的 3D TSV 中介层和细间距焊料微凸块的质量和可靠性
随着互连密度不断缩小，以及制造更细间距基板的成本不断上升，使用传统有机堆积基板的倒装芯片封装在细间距布线方面面临着重大挑战。为了满足这些需求，TSV 中介层应运而生，成为一种良好的解决方案 [1-3]。TSV 中介层提供高布线密度互连，最大限度地减少 Cu/低 k 芯片与铜填充 TSV 中介层之间的热膨胀系数 (CTE) 失配，并由于芯片到基板的互连更短而提高电气性能。TSV 中介层晶圆是通过在硅晶圆上蚀刻通孔并用金属填充通孔来制造的。业界常用的两种 TSV 方法涉及“先通孔/中通孔”和“后通孔”工艺流程。本文中的工作使用“先通孔/中通孔”流程，因为它提供了互连密度的最大优势。通常，使用深反应离子蚀刻 (DRIE) 工艺蚀刻 TSV 通孔以形成高纵横比通孔。 TSV 的直径通常为 10-20 微米，深度为 50-100 微米。TSV 的壁衬有 SiO2 电介质。然后，形成扩散屏障和铜种子层。通过电化学沉积用铜填充通孔。使用化学机械抛光/平坦化 (CMP) 去除铜覆盖层。使用标准后端制造工艺在中介层顶部形成 M1 – Mx 的互连线。中介层顶部涂有钝化层并形成微凸块焊盘。
设备安装手册，GDC62 无线电高度计...
目录 修订记录 ...........................................................................................................................................2 1.简介： ........................................................................................................................................4 2.说明： ........................................................................................................................................4 3.零件编号： ......................................................................................................................................4 4.参考文档 .............................................................................................................................5 5.法规遵从性： .............................................................................................................................6 5.1.软件 ........................................................................................................................................6 5.2.硬件................................................................................................................................................6 6.提供的设备.....................................................................................................................................7 7.GDC62 规格：.............................................................................................................................8 7.1.物理：.............................................................................................................................................8 7.2.电气：.............................................................................................................................................8 7.3.DC 无线电高度输入：.............................................................................................................8 7.3.1.输入范围.............................................................................................................................8 7.3.2.比例因子.............................................................................................................................8 7.3.3.有效标志.............................................................................................................................9 7.4.配置离散......................................................................................................................9 7.5.功能测试离散：................................................................................................................................9 7.6.ARINC 429 输出：...............................................................................................................................10 7.7.可靠性：.......................................................................................................................................10 8.操作：.......................................................................................................................................11 9.安装：......................................................................................................................................12 9.1.飞机互连接线.............................................................................................................................12 9.2.安装......................................................................................................................................12 10.拆卸和更换.............................................................................................................................13 10.1.拆卸.............................................................................................................................................13 10.2.更换................................................................................................................................13 11.设备检查........................................................................................................................13 12.持续适航性：......................................................................................................................14 13.环境：.............................................................................................................................15 14.连接器引脚输出：.............................................................................................................16 15.典型互连.............................................................................................................................18 16.外形图.............................................................................................................................19
人工智能引擎加速人工智能时代
BFLOAT16 — 128 INT8 128 256 INT4 — 512 块本地数据存储器 32 KB 64 KB AIE 阵列互连 B/W 1X 1X 压缩和稀疏性 否 是 暂存器片上存储器 PL uRAM AIE 存储器（512KB/块）
量子计算的表面离子陷阱
▪最初提出的2014年提议▪使用离子传输，径向模式操作和光子互连的组合实现ND连通性▪强度：光子是可传输的，潜在的通用量子，所有原始人都证明了所有原始人，“模块化”；更快的早期缩放▪弱点：缺乏光子互连
Microsoft Word-通过模拟和Analysis_comsol-Conference-2023-Munich.docx
摘要铜互连的缩放是一种有效的方法，可以增加信号I/O线的数量和电子系统的高级细分包装中的性能。然而，随着尺寸降低，铜互连导致电气诱导的故障的风险变得越来越关键，从而降低了现代微电子的可靠性和性能。高电流密度在电迁移中起着至关重要的作用，导致互连中金属原子的迁移，导致空隙或小丘的形成以及最终的设备故障。必须通过设计优化方法有效解决，以减少失败的风险并提高整体性能，焦耳的加热和当前的拥挤，这有两个重要的因素。最初是用于介电层的热氧化物（SIO 2）。但是，热氧化物的两个主要挑战是电性能和成本。在这种情况下，基于聚合物的电介质具有降低跟踪电容并提高功率效率的能力，同时与低成本面板可估算方法兼容的能力。，但聚合物的导热率较低。通过使用较薄的聚合物，可以降低由电流流量产生的铜相互连接中较低的导热率和随之而来的焦耳加热问题。因此，它降低了局部温度升高的风险，该温度升高可能会导致热移动和电气移民造成损害。另一方面，当局部电流密度增加时，当前人拥挤发生。它会提高局部温度，因为焦耳加热与电流的平方成正比。导体的阻力，形式，厚度和宽度对当前拥挤现象有影响。这可以通过优化互连几何形状（例如具有直线和使用圆角）来管理。因此，可能会降低潜在的当前拥挤热点和随后的电气迁移风险。comsol AC/DC模块用于研究焦耳加热和当前拥挤对互连可靠性的影响。模拟包括加成实验值的边界条件，以确保准确表示电迁移。因此可以将结果与实验数据进行比较，以确定准确性和有效性。通过在comsol中构建的3D模型构建的电流和温度分布的模拟，首先迭代得出了改进的测试结构几何形状。与标准测试布局（标准ASTM-F1259M，美国国家标准技术研究所（NIST）测试结构）相对于优化结构，当前人拥挤的影响减少了约42％。以下是聚合物厚度效应的构象。因此，使用COMSOL模拟提供了一种强大的手段来研究不同设计因素对互连可靠性的影响。通过了解从这些模拟中获得的全面知识，可以优化设计并降低互连故障的风险。关键字：电气移民，焦耳加热，当前拥挤，热度，良好的音高互连可靠性，微电体系统，组装和互连技术。