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LED 聚光灯 100 IC / LED 聚光灯 100 HP IC LED 聚光灯 200 HP IC 和 LED powerdrive IC
• 由于光分布均匀，因此可以对基材进行均匀照射，从而获得完美的固化效果 • 由于 LED 故障识别和全面的监控功能，可以确保工艺可靠性 • 在自动化生产线中实现最大生产率以及安全和可重复的质量 • 使用灵活性：通过将多个 LED 点模块化连接在一起，可以对不同几何形状进行照射，从而实现均匀照射 • 由于波长不同，因此适用于任何基材
全球可再生能源地图集：制作中的十年
全球太阳能数据是由Vortex开发的，用于Irena Global Atlas的可再生能源。它们代表了20年内太阳辐照估算的长期和每月平均值。使用来自各种来源的卫星数据（例如，诸如Goddard Goddard Space Flight Center，Weather Cheaper Research and wereec and werfff fromice conterec and werfff the Weatherecress and werffff fromice Chopely and werff），使用来自各种来源的卫星数据，例如地静止的操作环境卫星（GOOS），多功能运输卫星（MTSAT）和HIMAWARI进行了补充。参数化包括吸收，云颗粒和气溶胶。数据集包括全局水平照射，最佳角度的全局倾斜照射，直接的正常照射和弥漫性水平照射。
利用双温分子动力学模拟固体中的辐射效应
伦敦学院，高尔街，伦敦，WC1E 6BT，英国# 通讯作者：d.duffy@ucl.ac.uk 摘要 预测材料在各种辐照场景下结构变化的能力将对许多科学和技术领域产生积极影响。现有的大型原子系统建模技术（如经典分子动力学）因忽略电子自由度而受到限制，这限制了它们的应用范围，即主要与原子核相互作用的辐照事件。另一方面，从头算方法包括电子自由度，但所需的计算成本限制了它们在相对较小的系统中的应用。旨在克服其中一些限制的最新方法发展基于将原子模型与电子能量连续模型相结合的方法，其中能量通过电子停止和电子-声子耦合机制在原子核和电子之间交换。这种双温度分子动力学模型使得模拟电子激发对具有数百万甚至数亿个原子的系统的影响成为可能。它们已被用于研究金属薄膜的激光辐照、金属和半导体的快速重离子辐照以及金属的中高离子辐照。在这篇综述中，我们描述了双温度分子动力学方法及其实施所需的各种实际考虑。我们提供了该模型在适应电子激发的多种辐照场景中的应用示例。我们还描述了在模拟中包括由于电子激发而引起的原子间相互作用的改变的影响所面临的挑战以及如何克服这些挑战。关键词辐射损伤；双温度模型；分子动力学；电子效应；激光辐照；快速重离子
三重科学 - 生物学
降低温度，降低水含量，辐射，还原氧。辐照物体暴露于辐射的过程。辐照被起诉杀死分解器。堆肥腐烂的植物和蔬菜废物的混合物，这些植物和蔬菜废物被添加到土壤中以帮助植物生长。土壤生育能够维持农业植物生长的能力，即提供植物栖息地，并产生持续和一致的高质量产量。通过细菌，真菌或其他生物的作用衰减有机物的分解或腐烂。分解速率
输血医学客户资源的更新
•添加辐照等效信息。•删除定向捐赠措辞。•去除冷冻沉淀措辞。•澄清具有先前IUT的胎儿和新生儿的建议持续时间。•根据新的NAC建议，更新了建议的持续时间和其他信息，包括停止辐射要求的标准。
热和离子处理对纳米级薄膜的影响...
本研究采用渐进式划痕试验研究了采用直流磁控溅射制备的 Ni(25 nm)/Cu(25 nm)/Cr(25 nm) 三层薄膜的微摩擦学特性。研究并比较了四种不同类型的薄膜：沉积态薄膜、低能 Ar + 离子辐照后的薄膜、在真空中 450 °С 退火 15 分钟的薄膜以及离子辐照后真空退火的薄膜。划痕试验辅以结构 (XRD) 和化学 (AES) 实验研究。结果表明，在所有研究的薄膜中，离子辐照后退火的样品表现出最好的微摩擦学和耐磨特性。辐照后退火的样品表现出最高的抗划痕性、光滑的划痕形状、最低的峰值切向力值以及没有侧裂纹和薄膜分层。本文讨论了这种行为的可能原因。
职称：薄膜生长过程中的基本（原子）机制和微观结构演变；耐辐射材料的纳米工程
上下文。薄膜和涂层广泛应用于各种技术应用，如微电子、封装或光学。它们在沉积过程中通常会产生高残余应力，有时压缩应力约为几 GPa。如此大的压缩应力可能导致屈曲结构的成核和生长，这通常会导致最初赋予此类薄膜/基材复合材料的功能特性的丧失。因此，我们研究的目的是通过确定相关参数来防止、限制或控制屈曲现象的发生，从而更好地理解屈曲现象。过去，我们的研究主要集中于基材的弹性和塑性的影响、特定起泡结构作为所考虑薄膜机械性能的函数的观察、施加在起泡结构上的外部压力问题、弹性理论框架在观察到塑性褶皱时理解屈曲的局限性、二维材料（如石墨烯）的起泡结构由于其最终厚度而存在争议等。我们现在想将注意力集中在薄膜/基材的粘附性能上，这控制着界面裂纹的扩展，并最终控制起泡结构的生长。最近的实验观察突出了在固定机械应力/载荷下起泡的增长，表明粘附性随时间发生显著变化。例如，图 1 显示了一个圆形水泡（Si 晶片上厚度为 60 nm 的 Au），其中有无数连续的塑性褶皱，这是其生长动力学的标志。
肖特基轻掺杂 P-中的捕获效应研究……
本文研究了用于低功耗应用的肖特基轻 Mg 掺杂 p-GaN 栅极堆栈的捕获效应，并进一步分析了 c 射线辐照下 AlGaN/GaN 界面陷阱。当 c 射线辐照剂量高达 800 krad 时，平带电压的变化可以忽略不计，这表明 p-GaN 栅极结构具有出色的辐射耐受性。在 500 kHz 以下和以上的测量频率下观察到电容弥散之间的差异，这归因于不同位置随栅极电压变化的捕获效应。此外，提出了频率相关电导法来评估不同剂量的 c 射线辐照对 AlGaN/GaN 界面陷阱的影响。基于该方法，除了传统常开型高电子迁移率晶体管（HEMT）中发现的浅陷阱态[陷阱激活能（ET）约为0.334–0.338 eV]之外，在AlGaN/GaN界面处还检测到了另一类更深的陷阱态（ET约为0.467–0.485 eV）。观察到随着辐照剂量的增加，浅陷阱态的ET分布在更深和更宽的范围内。此外，深和浅ET在600 krad剂量辐照后都降低，但在800 krad剂量辐照后都增加。透射电子显微镜和原子力显微镜用于展示光滑的AlGaN/GaN界面形貌，该形貌在800 krad剂量的c射线辐照后不会受到太大的损坏。这项工作可以为进一步了解低压应用的p-GaN栅极HEMT的辐射耐受性和捕获效应提供帮助。
110、72 和 63 nm SDRAM 中卡住位和单粒子翻转的技术依赖性
在质子辐照下，使用扫描电子显微镜 (SEM) 研究了来自同一制造商的三种 SDRAM，其技术节点尺寸分别为 110、72 和 63 nm。表征了辐射引起的故障，并比较了不同部件类型之间的故障。被测设备 (DUT) 经过质子辐照，并以卡住位和单比特翻转 (SBU) 的形式经历了单粒子效应 (SEE)。对具有 SBU 并在辐照期间卡住的比特的数据保留时间进行分析，结果显示保留时间退化模式相似，这表明这三种部件类型中的 SBU 和卡住位可能是由相同机制引起的。还在辐照前后进行了详细的数据保留时间分析，以研究辐照后和退火一段时间后数据保留时间的变化。发现最大的辐射引起的保留时间损失发生在退火过程中，但辐照后直接受影响最小的比特的数据保留时间随着退火时间而减少。 SEM 成像显示，不同测试部件类型之间的存储单元结构存在差异。节点尺寸最大的器件对辐射最敏感，无论是 SEE 还是累积辐射效应。
核融合应用中辐射效应的有限元模型
抽象的氘融合反应以14.1 MeV中子的形式产生能量，因此，融合反应器成分将暴露于高能量中子辐照的情况下，同时也受到热，机械和磁负荷的影响。暴露于中子辐射会带来许多后果，包括肿胀和尺寸变化，与等离子成分中发生的峰值瞬态热变形相当。辐照还以强烈的非线性方式动态改变了各种热机械特性，温度，应力和肿胀。有关跨越设计参数空间的中子暴露影响的实验数据非常稀疏，这突出了计算机模拟的相关性。在这项研究中，我们探讨了体力/表面牵引方法与特征性形式主义之间的等效性，用于治疗各向异性辐射引起的肿胀。我们发现，用于有限元方法（FEM）模拟的商业和大规模并行的开源软件都适合评估中子暴露对机械载荷反应器组件的影响。我们证明了辐射，辐射肿胀和导热率的降解的两个主要影响如何影响ITER TOKAMAK分流中应力和温度的分布。表征肿胀幅度和治疗模型的明显不确定性表明，基于目前可用的数据，只能给出反应堆成分中最受辐射的反应堆组件中发生的压力估算。