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微电子可靠性 - IuE
基于 SMO 薄膜的电导式气体传感器必须加热到高达 550 ◦ C 的温度，才能在 SMO 薄膜表面启动分子吸附过程。通常使用铂作为微加热器材料。这些设备的长期可靠性主要与微机电系统 (MEMS) 结构的机械稳定性有关，该结构用于将微加热器悬浮并与其他集成组件（例如模拟和数字电路）热隔离。然而，先前的研究表明，电迁移和热迁移现象可能会加剧铂微加热器中的应力积累并导致其最终失效。在本文中，我们提出了一种方法来量化空位传输对电迁移和热迁移现象下两种新型微加热器设计中应力积累的影响。第一个设计旨在提高温度均匀性，第二个设计旨在微加热器阵列操作，利用高温度梯度同时在不同的传感器位置提供多个温度。我们的分析表明，热迁移力远高于电迁移力，这意味着这些器件中的高热梯度对空位传输的贡献远大于电子风引起的原子传输。此外，我们计算出，在典型操作条件下，我们提出的设计具有很强的抗空位迁移失效能力，平均失效时间约为 10 15 秒。
基于标准化的可信人工智能形式化模型 Eduard Manziuk a、Olexander Barmak a、Iurii Krak b,c、Olexander Mazurets a 和 Tetiana Skrypnyk a
摘要 人工智能 (AI) 系统的广泛和快速分布和应用需要开发形式化方法并构建 AI 使用领域运作的基本原则。这种需求体现在制定建议和标准，以从使用 AI 中获得最大利益并最大限度地降低可能的风险。监管框架建立在以人为本的基础上。因此，制定的标准应成为旨在使用 AI 的进一步活动的基础，并适用于创建实际解决方案的所有阶段。因此，一个重要的阶段是以实际应用的实用模板方法的形式形式化法律和道德规范的要求、原则和规定。通过这种方法，在研究中开发了标准化 AI 可信度概念的模型和本体。这使得能够识别允许形成信任立场、是可信赖 AI 概念的有意义组成部分、确定其存在必要性并对其构成威胁的主要概念。在领域本体的基础上，开发了模型并进一步分解了结构实质性概念。未来将对信任形成概念的特征进行定义。关键词1 以人为本的人工智能，伦理人工智能，本体，模型，信任，标准化人工智能。
共享内存块的基于... -IUE
快速行进方法通常用于扩展各个字段中的前面模拟，例如流体动力学，计算机图形和微电子，以恢复级别集合函数的签名距离字段属性，也称为重新启动。为了提高重新距离步骤的性能，已经开发了快速行进方法的并行算法以及对层次网格的支持；后者在局部支持模拟域的更高分辨率，同时限制了对整体计算需求的影响。在这项工作中，先前开发的多网性快速行进方法通过所谓的基于块的分解步骤扩展，以改善层次结构网格的串行和并行性能。OpenMP任务用于基于每个网格的基础粗粒平行化。开发的方法提供了改进的负载平衡，因为该算法采用了高网格分配学位，从而使网格分区与各种网格尺寸之间的平衡。对具有不同复杂性的代表性几何形状进行了各种基准和参数研究。在24核Intel Skylake Computing平台上的各种测试用例中，串行性能提高了21％，而平行速度为7.4至19.1，有效地使以前方法的并行效率增加了一倍。©2021作者。由Elsevier B.V.这是CC下的开放访问文章（http://creativecommons.org/licenses/4.0/）。
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• Member in Event Committee at the National Student Competition “Symposium of Interconnection Techniques in Electronics” TIE 2010 so far (the last 8 editions in Cluj, Bucharest, Sibiu, Brasov, Timisoara, Oradea, Iasi) • Scientific consultant of Romanian-US Fulbright Commission Bucharest 2010-2011 (2 Scientific at the international technical colloquium of railway infrastructure, conference of the Sibiu Railway Club 2014 • Member of Steering Commita al Shiitme (IEEE International Symposium for Design and Technology in Electronic Packaging) in 2011-2018 (the last 7 editions in Timisoara, Alba-Iulia, Galati, Bucharest, Oradea, Iasi) • Member of the Paper Review Board at the IEEE conference "International Seconductor Conference" CAS 2013 -2019 (last 5 editions) •IEEE会议审查委员会成员“国际电子技术春季”，2014年至2018年（最后四个版本，埃格，埃格，诺维萨德，索非亚）•组织委员会成员）•会议“电子工程的智能应用程序和技术” Satee 2010; 2012; 2014，2016，2018到目前为止（Alba Iulia的最后5个版本）•2012年“ Extenso In Extenso”组织委员会成员到目前为止，到目前为止（Alba Iulia的最后6版）• Member in Event Committee at the National Student Competition “Symposium of Interconnection Techniques in Electronics” TIE 2010 so far (the last 8 editions in Cluj, Bucharest, Sibiu, Brasov, Timisoara, Oradea, Iasi) • Scientific consultant of Romanian-US Fulbright Commission Bucharest 2010-2011 (2 Scientific at the international technical colloquium of railway infrastructure, conference of the Sibiu Railway Club 2014 • Member of Steering Commita al Shiitme (IEEE International Symposium for Design and Technology in Electronic Packaging) in 2011-2018 (the last 7 editions in Timisoara, Alba-Iulia, Galati, Bucharest, Oradea, Iasi) • Member of the Paper Review Board at the IEEE conference "International Seconductor Conference" CAS 2013 -2019 (last 5 editions) •IEEE会议审查委员会成员“国际电子技术春季”，2014年至2018年（最后四个版本，埃格，埃格，诺维萨德，索非亚）•组织委员会成员）•会议“电子工程的智能应用程序和技术” Satee 2010; 2012; 2014，2016，2018到目前为止（Alba Iulia的最后5个版本）•2012年“ Extenso In Extenso”组织委员会成员到目前为止，到目前为止（Alba Iulia的最后6版）
用于 2D 晶体管的原生高 k 氧化物 - IuE
过去 60 年，集成电路中晶体管数量的迅猛增长推动了电子技术的进步。因此，现代电子芯片包含数十亿个场效应晶体管 (FET)，而最先进的硅 FET 由薄至 7 纳米（相当于 13 个原子层 1 ）的结构构成。然而，像硅这样的三维材料在进一步减小厚度时，迁移率会急剧下降。此外，非晶态和粗糙的沟道/氧化物界面（也存在于先进的高 k 技术中，如二氧化铪，HfO 2；k，介电常数）的影响变得越来越有害。因此，仅仅依靠标准硅技术进一步缩小现代电子设备的体积正在慢慢停滞 2 。继续缩小设备体积最有希望的解决方案之一是使用具有原子级厚度的二维 (2D) 沟道 3、4 的 FET，它们本质上提供亚纳米级的沟道厚度。然而，2D 技术缺乏能像二氧化硅 (SiO 2 ) 与硅一样有效的绝缘体。理想情况下，这种绝缘体必须能够扩展到等效氧化物厚度 (EOT；与某种替代绝缘体产生相同电容的 SiO 2 厚度) 的单个纳米以下，并且质量足够高以保持低漏电流。此外，绝缘体应该与通道具有明确的界面，绝缘体缺陷数量少，并且介电稳定性高。Hailin Peng 和同事在《自然电子学》上撰文，表明高迁移率 2D 半导体 Bi 2 O 2 Se 可以共形氧化为原子级薄的天然氧化物亚硒酸铋 (Bi 2 SeO 5 )，随后可用作 FET 5 中的栅极绝缘体。目前，六方氮化硼 (hBN) 被广泛认为是二维电子器件最有前途的绝缘体，因为它是结晶的，并且具有干净的范德华界面 6 。然而，hBN 不太可能满足低漏电要求
Gruia Maria Iuliana - Europass 简历
Zimnyakov, D., Alonova, M., “结合偏振测量和光谱偏振测量技术诊断生物组织中的癌症变化”，Proc. SPIE 9258，光电子学、微电子学和纳米技术高级主题 VII，92580K doi: 10.1117/12.2068182（2015 年 2 月 20 日）；11. OP Peresunko；Ju. G. Karpenko；DN Burkovets；PV Ivashko；AV Nikorych；SB Yermolenko；I.