我们讨论了超导体-绝缘体-超导体 (SIS) 结的材料加工极限,这些结的能隙足够高,可以实现 THz 异差混频器检测。这项工作的重点是器件结构,该结构具有 Nb 作为基层、由薄 Al 邻近层的等离子体氮化形成的隧道势垒以及 NbTiN 作为对电极材料。这些 SIS 结通常表现出 3.5 mV 的总间隙电压,对于电阻 - 面积乘积 RNA = 20 pm',亚间隙与正常状态电阻比 Rsg / RN = 15。开发该工艺的目的是将结集成到混频器天线结构中,该结构将 NbTili 用作接地平面和线路层。针对 Al 层等离子体氮化期间应用的条件,解决了 RNA 产品的运行间可重复性和控制。通过控制直流浮动电位、N 2 压力和曝光时间来研究铝的射频等离子体氮化。处理在接近室温下进行,以减少变量数量。金属膜层中的应力保持在低压缩范围内。最近的接收器结果将在本次研讨会上发表的另一项工作中讨论。[1]