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引用: 张 HC、马 XY、蒋 CP、尹 JL、吕 S、鲁 SY、商 XT、曼 BW、张 C、李 DD、李 SH、陈 WJ、刘 HX、王 GF、曹 KH、ZH
磁性随机存取存储器 (MRAM) 作为一种新兴的非挥发性存储器，具有读写速度快、耐久性高、存储时间长、功耗低等特点，几年前就引起了台积电、三星、格罗方德等大型半导体代工厂的极大兴趣 [1−5]。一方面，MRAM 的高性能特性使其成为 28nm CMOS 技术节点以下嵌入式闪存 (e-flash) 的重要替代解决方案，而 e-flash 存在严重的经济障碍，阻碍了其进一步微缩 [6]。另一方面，MRAM 的目标是成为静态随机存取存储器 (SRAM) 等工作存储器的替代品，以解决先进 CMOS 节点中可能出现的严重漏电问题 [7,8]。然而，由于速度限制和耐久性问题，很难取代L1或L2缓存SRAM，尤其是对于两端自旋转移矩（STT）MRAM [ 9 − 11 ] 。因此，需要进一步探索下一代MRAM器件。
引用: 张 HC、马 XY、蒋 CP、尹 JL、吕 S、鲁 SY、商 XT、曼 BW、张 C、李 DD、李 SH、陈 WJ、刘 HX、王 GF、曹 KH、ZH
磁性随机存取存储器 (MRAM) 作为一种新兴的非挥发性存储器，具有读写速度快、耐久性高、存储时间长、功耗低等特点，几年前就引起了台积电、三星、格罗方德等大型半导体代工厂的极大兴趣 [1−5]。一方面，MRAM 的高性能特性使其成为 28nm CMOS 技术节点以下嵌入式闪存 (e-flash) 的重要替代解决方案，而 e-flash 存在严重的经济障碍，阻碍了其进一步微缩 [6]。另一方面，MRAM 的目标是成为静态随机存取存储器 (SRAM) 等工作存储器的替代品，以解决先进 CMOS 节点中可能出现的严重漏电问题 [7,8]。然而，由于速度限制和耐久性问题，很难取代L1或L2缓存SRAM，尤其是对于两端自旋转移矩（STT）MRAM [ 9 − 11 ] 。因此，需要进一步探索下一代MRAM器件。
“统一效率量子转导的广义匹配条件”的补充信息Chiao-hsuan Wang，Mengzhen Zhang和Liang Jian
其中κa（b）ex是与外部通道的耦合速率，其输入信号量ˆ a†（ˆ b†）中，ex [ω]，κa（b）i是模式的内在损耗量ˆ a†（ˆ b†）的内在损耗率，由于与环境相结合而导致的噪声（。是由于[ω]中的输入噪声ˆ J的耦合，是中间模式M†J的内在损耗率。最终模式ˆ A†（ˆ B†）[ω]受总耗散率κa（b）=κa（b），ex +κa（b），i和χj的约束，是将其定义为χ -1 j j i（ω + um +κj） +κj / j j j y（ω +κj j）的模式敏感性定义为为了简单，我们将从现在开始为所有频域模式运算符的[ω]符号删除。根据输入输出关系，输入和输出场连接到稳定性链的链条模式
Zhendong Hu, Xueqing Liu, Tianli Ren, Haroon A. M. Saeed, Quan Wang, Xin Cui, Kai Huai, Shuohan Huang, Yuming Xia, Kun(Kelvin) Fu, Jianming Zhang and
式中，T d 表示信号延迟，K为系数，DK表示介质材料的介电常数。可以看出，材料的介电常数越低，信号延迟越低，信号保真度越高。因此，在第五代通信技术深入发展的背景下，使用低k材料成为降低信号滞后时间的有效途径。一般在微电子领域常用的介质材料都是介电常数相对较低的材料。低介电材料是指介电常数高于空气（1）而低于二氧化硅（3.9）的材料，其值范围在1~3.9之间。低介电聚合物材料因具有易加工、热稳定性、电绝缘性等优点，被广泛应用于电子电工、电子集成、印刷电路板、通讯材料等领域。目前已知聚四氟乙烯（PTFE）[6, 7]、液晶聚合物（LCP）[8 – 10]、聚酰亚胺（PI）[11 – 14]等已广泛应用于电路板基材，环氧树脂、氰酸酯树脂等也作为优良的胶粘剂广泛用于电子设备的封装材料[15 – 17]。图1为环氧树脂、氰酸酯树脂和聚四氟乙烯的介电性能。
F02系列2A双向可控硅 江苏吉莱微电子有限公司
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两部中国卫星系列《实践》和《……》的初步分析
SJ 和 Shi Yan 的代号似乎将卫星分为不同的功能。根据公开信息，中国历来使用 SJ 系列为已采用的系统或技术建立最佳操作实践和程序。例如，中国曾多次使用这些卫星来优化首次在其他中国系统上使用的技术。Shi Yan 卫星似乎在太空系统开发过程中发挥了更早的作用。中国已使用该系列在一个卫星平台上试运行多种新技术，专门用于开发高效有效载荷集成平台，并确定有效载荷的适用性。根据 SJ 和 Shi Yan 在技术开发过程中的不同作用来区分它们，也与对它们名称中使用的普通话单词进行更细致的解释相一致。“Shi Jian”确实是“实践”的意思，但作为名词，例如“最佳实践”，或“付诸实践”。一些中国语言学家反对将“Shi Yan”翻译为“实验”，因此“试点”或“试验”更适用。有关更多详细信息，请参阅上一节中的图 1 和图 2。
An on-chip TVS design to meet system level ESD protection for RS485 transceiver Zijie Zhou*, Wenjie Zhang* , Huihui Yuan* , Qi Jiang* , Yang Wang*, X
RS485接口广泛应用于工业控制、远程抄表等领域，而这些领域经常受到严重的静电损害。本文提出了一种无需额外工艺改造的片上TVS（OCT）结构和一种用于RS485收发器IC的新型静电放电方法。它由一系列齐纳二极管组成，采用5V/18V/24V 0.5μm CDMOS工艺制作。对提出的OCT进行了100ns脉冲宽度的传输线脉冲（TLP）测试。驱动电路本身也可用作ESD器件。OCT触发电压与RS485标准的信号电平兼容。OCT器件的人体模型（HBM）防护等级高达16.34kV。对集成OCT的RS485收发器也进行了测试，以验证其可靠性。结果表明，它能够通过 IEC61000-4-2 接触 ±10kV 应力和 IEC 61000−4−4 电快速瞬变 (EFT) ±2.2kV，不会出现任何硬损坏和闩锁问题。集成 OCT 的 RS485 收发器可实现高达 500 kbps 的无错误数据传输速率。该芯片占用 2.4 × 1.17mm 2 的硅片面积。关键词：片上 TVS (OCT)；传输线脉冲 (TLP)；RS485 齐纳二极管。
引用：Guo J, Lv W, Jiang S, et al. 妊娠史妇女血压升高的生物和社会文化决定因素a
摘要 目的 妊娠期糖尿病 (GDM) 会增加母亲晚年患高血压和心血管事件的风险。中国农村的医疗专业人员尚未充分认识到这一风险。我们的目标是 (1) 描述血压升高和有 GDM 病史的农村女性的比例；(2) 探讨与血压升高相关的生物和社会文化因素。设计 使用横断面调查数据的回顾性队列研究。设置 2017 年 11 月至 2018 年 6 月期间在中国中南部的两家县级医院收集数据。参与者 年龄 >18 岁且有 GDM 病史的产后女性（N=397）。方法 研究了生物和社会文化变量。我们使用双变量分析来检验分娩后时间与产后 2 小时血糖之间的关联，并使用逻辑回归来确定与产后血压升高相关的生物和社会文化因素。结果 大约 20%（n=78）的女性血压升高，定义为收缩压≥130 mm Hg 和/或舒张压≥85 mm Hg。高龄、高血压家族史和产后 2 小时血糖水平异常等生物学因素与血压升高呈正相关（p<0.05）。一般自我效能是唯一与血压升高呈负相关的社会文化因素（p<0.05）。结论 中国农村有 GDM 病史的产后女性中，有五分之一患有血压升高。生物和社会文化因素与产后血压升高有关；一般自我效能较低的女性更容易出现血压升高。有必要向中国农村有过 GDM 病史的女性传播有关血压升高高风险的知识。糖尿病预防项目可以考虑在这一人群中增加一般自我效能促进策略。
推荐引用 推荐引用 唐建安，“深度学习引导的材料微观结构预测及其在先进制造中的应用”
1.1 工艺-微观结构关系 ...................................................................... 1 1.2 基于物理的建模 ...................................................................... 4 1.3 微观结构预测中的机器学习 ...................................................... 6 1.4 生成对抗网络 ...................................................................... 8 1.5 激光烧结 ...................................................................................... 9 1.6 基于激光的先进制造中的现场监测
Citation: K. Shi, W. Cai, S. Jiang, D. Zhu, K. Cao, Z. Guo, J. Wei, A. Du, Z. Li, Y. Huang, J. Yin, J. Åkerman, and W. Zhao, Observation of magnetic d
扭矩，其进动频率接近铁磁共振频率。这主要是由于磁滴模式的进动角较大[7,18,19]。然而，到目前为止，对磁滴的所有实验工作都集中在自旋阀（SV）结构[18,19,21-23]和自旋霍尔纳米振荡器（SHNO）[24,25]上。SV和SHNO中非常低的磁阻（MR）（约1％）限制了功率发射和基于STNO的任何进一步应用。相比之下，具有强PMA的磁隧道结 (pMTJ) 表现出较高的隧道磁阻 (TMR)，达到 249%，尤其是双 CoFeB 自由层 (DFL) pMTJ，它已成为基于 MTJ 的 MRAM 的主要结构 [26]。因此，人们可以期望在基于 pMTJ 的 NC-STNO 中观察到磁性液滴。然而，我们之前的实验表明，在单自由层 (SFL) MTJ 中很难形成稳定的液滴 [27]。这可能是由于均匀电流密度与空间变化磁化相互作用产生的较大张-力矩所致。相反，预计 DFL pMTJ 可以抑制这种大的张-力矩并有利于形成稳定的磁性液滴。在这里，我们通过实验观察和研究了 DFL pMTJ 中的稳定磁性液滴，同时伴随着同一器件中相对于类 FMR 模式进动的功率增强。此外，通过微磁模拟，我们认为磁隧道结中的磁性液滴之所以稳定，主要是因为低的Zhang-Li力矩和DFL中强的钉扎场共同作用的结果[28]。我们的研究结果为磁隧道结中磁性液滴的成核提供了全面的认识，为进一步优化磁隧道结中磁性液滴的使用奠定了基础。