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nivolumab（opdivo®）：rmp摘要
OPDIVO is also authorized for the treatment of adults with advanced melanoma, melanoma after complete resection, advanced or metastatic non-small cell lung cancer (NSCLC), renal cell carcinoma (RCC), classical Hodgkin Lymphoma (cHL), squamous cell cancer of the head and neck (SCCHN), urothelial carcinoma (UC), esophageal squamous cell carcinoma (ESCC), unresectable malignant pleural mesothelioma (MPM), mismatch repair deficient (dMMR) or microsatellite instability high (MSI-H) metastatic colorectal cancer (CRC), oesophageal cancer or gastro-oesophageal junction cancer (OC or GEJC), gastric, gastro-oesophageal junction (GEJ) or食管腺癌（OAC）肌肉侵入性尿路上皮癌（MIUC）（辅助治疗），不可切除的晚期，反复或转移性OSCC和可切除的NSCLC（NeoAdjuvant）（NeoAdjuvant）（有关全部指示，请参见SMPC）。
Max96701 14位GMSL序列化器具有高免疫
Continuous Power Dissipation, T A = +70°C TQFN (derate 27.8 mW/°C above +70°C)..............2222.2mW Operating Temperature Range...........................-40°C to +115°C Junction Temperature.......................................................+150°C Storage Temperature Range............................. -40°C to +150°C Soldering Temperature (reflow)........................................+260°C
NDP13301KC
特征符号符号额定单位VIN至GND -0.3至34 V SW至GND -0.3至VIN V FB，EN到GND -0.3至6 V CSP，CSN至GND -0.3至25 V交界处到环境热电阻105°C/W工作连接温度-40至150°C 150 c Jun conterion contient -150 can cy cy cy csn to gnd -v fb，csn to gnd v fb to gnd v fb to gnd v fb。情况θJC45°C/W从连接到环境θJA90°C/W引脚功能和描述的热电阻
4. SPICE LEVEL 1 MOSFET 模型 - dvdtang.nl
RS- 源极电阻（ Ω ） RSH- 漏极/源极扩散的薄层电阻（ Ω / ） CBD- 零偏置漏极-体结电容（F） CBS- 零偏置源极-体结电容（F） MJ- 体结渐变系数（无量纲） PB- 体结的内置电位（V） • 使用 CBD、CBS、MJ 和 PB，SPICE 可计算漏极-体和源极-体电容的电压依赖性：
![arXiv:2107.08711v1 [cond-mat.supr-con] 2021 年 7 月 19 日](/simg/g:\will\search\icon\source\8\8ba25fe8f293fb12f49d315ea2184d09e66a926f.webp)
arXiv:2107.08711v1 [cond-mat.supr-con] 2021 年 7 月 19 日
在本文中，我们简要概述了约瑟夫森结的各种选项，这些选项应可扩展到纳米范围以用于纳米级数字超导技术。这种结应具有高临界电流 I c 和正常态电阻 R n 值。另一个要求是在制造过程中晶圆上结参数的高可重复性。我们认为“可变厚度桥”几何的超导体 - 正常金属 - 超导体 (SN-N-NS) 约瑟夫森结是满足这些要求的有希望的选择。在 S 电极之间的距离与 N 材料的相干长度相当的情况下，对 SN-N-NS 结进行了理论分析。对于流过结的电流为 I c 量级的结，推导出提供 S 电极中超导存在的结几何参数的限制。分析了结加热以及可用的散热机制。所得结果表明，可以使用成熟的工艺流程，利用广泛使用的材料组合（如 Nb/Cu）制造出具有高（亚毫伏）I c R n 乘积值的 SN-N-NS 结。结面积可以缩小到在 40 纳米工艺框架内制造的半导体晶体管的面积。