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日本政府（MEXT）2023年的奖学金（科技学院学生（KOSEN））
日本教育，文化，体育，科学和技术部（MEXT）为希望在日本政府（MEXT）奖学金计划下的日本技术学院（KOSEN）学生学习的国际学生提供奖学金。1。定义“科技学院（KOSEN）学生”的定义是那些参加了学习课程或在技术学院（KOSEN）的高级课程的人，或者在安排在技术学院（KOSEN）之前接受日语和其他学科的准备教育。根据申请准则，MEXT呼吁申请人将在一年的预备课程中学习，然后将入学，然后在技术学院（KOSEN）（KOSEN）参加课程的第三年，并接受了三年的专业教育（在海上工程中，为期三年半。）2。研究领域的那些申请技术学院（KOSEN）学生的人必须根据以下程序选择一个学习领域，并填写申请表上的“学习领域和专业元素”。（1）选择以下（a）至（h）之间的首选研究。申请人可以输入第一，第二和第三
固定端中的快速无条件复位和泄漏减少……
Liangyu Chen 1 ∗ , Simon Pettersson Fors 1 , Zixian Yan 1 , Anaida Ali 1 , Tahereh Abad 1 , Amr Osman 1 , 2 Eleftherios Moschandreou 1 , Benjamin Lienhard 2 , 3 , Sandoko Kosen 1 , Hang-Xi Li 1 , Daryoush Shiri 1 , Tong 3 Liu 1 , Stefan Hill 1 , Abdullah-Al Amin 1 , Robert Rehammar 1 , Mamta Dahiya 1 , Andreas Nylander 1 , 4 Marcus Rommel 1 , Anita Fadavi Roudsari 1 , Marco Caputo 4 , Leif Grönberg 4 , Joonas Govenius 4 , Miroslav 5 Dobsicek 1 , Michele Faucci Giannelli 1 , Anton Frisk Kockum 1、Jonas Bylander 1、Giovanna Tancredi 1、∗ 6 1 微技术与纳米科学系，7 查尔姆斯理工大学，41296 哥德堡，瑞典。8 2 普林斯顿大学化学系，普林斯顿，新泽西州 08544，美国 9 3 普林斯顿大学电气与计算机工程系，10 普林斯顿大学，普林斯顿，新泽西州 08544，美国 11 4 芬兰 VTT 技术研究中心，FI-02044 VTT，芬兰 12（日期：2024 年 9 月 24 日）13
提高了在核反应堆中运行的机器人中安装的电子组件的辐射抗性
[1] eDditional办公室，“用于调查核事故的灾难管理机器人的开发”，《灾难研究杂志》，第3卷，第4期，第4页，305-306，2008年8月。[2] Tomoharu doi，Mitsuyoshi Shimaoka，Shigekazu Suzuki，“由技术学院或Kosen教育工作者构想的创意机器人大赛”，《机器人和机械学杂志》，第34卷，第34卷，第34页，第3页，第498-508-508-508-508-508，20222222222.[3] Kenjiro Obara，Satoshi Kakudate，Kiyoshi Oka，Akira Ito，Toshiaki Yagi和Morita Yosuke，“ iTer远程维护的辐射硬度组件的开发”，《机器人和机械学杂志》，《杂志[4] Andrew West，Jordan Knapp，Barry Lennox，Steve Walters，Stephen Watts，“一台小COTS单板计算机用于移动机器人的辐射公差”，核工程和技术，第54卷，第54页，第54页。2198-2203，2022年12月。[5] Zhangli Liu，Zhiyuan Hu，Zhengxuan Zhang，Hua Shao，Hua Shao，Ming Chen，Dawei Bi，Dawei Bi，Bingxu Nig，Ru Wang，Shichang Zou，Shichang Zou，“全部剂量效应在高压记忆力和方法中，核工具和方法” pp.3498-3503，2010年9月。[6] Zhangli Liu Zhiyuan Hu, Zhengxuan Zhang, Hua Shao, Ming Chen, Dawei Bi, Bingxu Ning, Shichang Zou, “Comparison of TID response in core, input/output and high voltage transistors for flash memory,” Microelectronics Reliability, Vol.51, pp.1148-1151, March 2011.[7] Bingxu ning，Zhengxuan Zhang，Zhangli Liu，Zhiyuan Hu，Ming Chen，Ming Chen，Dawei Bi，Shichang Zou，“辐射诱导的浅沟裂缝隔离泄漏在180-NM FLSH内存技术中”[8] Sandhya Chandrashekhar，Helmut Puchner，Jun Mitani，Satoshi Shinozaki，Satoshi Shinozaki，Mohamed Sardi，David Hoffman，“辐射在16 nm浮动大门SLC SLC NAND闪光灯中诱导软沟，Microelectronics Reliaics Reliaics Reliaics”，第108卷，第11331页，第8页。