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公里尺度的地球系统模型预穆斯特密集型...
预先注册的参与者：开尔文·德罗格梅尔（伊利诺伊大学），安德烈亚斯·普雷因（NCAR，主席），弗兰克·亚历山大（Argonne National Laboratory），Dee A Bates（伊利诺伊州Urbana-Champ），Christopher S. Brethertherthertry（Christopher S. Bretherton Instute） Chipilski（佛罗里达州立大学），Peter Dueben（ECMWF），Dale Durran（华盛顿大学），Pedram Hassanzadeh（芝加哥大学），Daniel S Katz，Daniel S Katz（伊利诺伊州Urbana-Champaign）玛格德堡（Magdeburg），Ruby Leung（Pacific Northwest National Laboratory），Maria Molina（马里兰州大学公园主席），John Shalf（劳伦斯·伯克利国家实验室），Maike Sonnewald（加利福尼亚大学戴维斯大学），邓肯·戴维斯大学，邓肯·沃森·帕里斯（duncan wats of Classion of oliver watt-mey and Instement and Instem and Instem and Insterme <预先注册的参与者：开尔文·德罗格梅尔（伊利诺伊大学），安德烈亚斯·普雷因（NCAR，主席），弗兰克·亚历山大（Argonne National Laboratory），Dee A Bates（伊利诺伊州Urbana-Champ），Christopher S. Brethertherthertry（Christopher S. Bretherton Instute） Chipilski（佛罗里达州立大学），Peter Dueben（ECMWF），Dale Durran（华盛顿大学），Pedram Hassanzadeh（芝加哥大学），Daniel S Katz，Daniel S Katz（伊利诺伊州Urbana-Champaign）玛格德堡（Magdeburg），Ruby Leung（Pacific Northwest National Laboratory），Maria Molina（马里兰州大学公园主席），John Shalf（劳伦斯·伯克利国家实验室），Maike Sonnewald（加利福尼亚大学戴维斯大学），邓肯·戴维斯大学，邓肯·沃森·帕里斯（duncan wats of Classion of oliver watt-mey and Instement and Instem and Instem and Insterme <
通过纠缠保持更好的时间。
晶格陷阱将ytterbium原子固定在微柯文温度下，以实现纠缠增强的光原子时钟。（p。38）两个原子水平是|g⟩和|e⟩，n两级系统在广义的bloch球上表示为有效的总自旋。BLOCH球体上的顶部中间和顶部分布分别代表独立原子和挤压旋转状态的未进入状态。最终测量的投影噪声，或等效地，Heisenberg的角动量不确定性规则，在总旋转方向上施加了不确定性。使用纠缠原子挤压的自旋状态在相位方向上具有较低的量子噪声，即实现更好的频率分辨率。（左侧第39页）实验设置。（第39页，在右上，根据[7]改编）时钟不确定性（Allan差异）与平均时间，分别使用AS输入状态比较一个时钟，分别是输入状态，分别是未进入的状态（蓝色）和挤压的旋转状态（RED）。纠缠状态优于4.4 dB的标准量子限制。信用：vuletićgroup
拓扑绝缘体中非磁性掺杂诱导的量子异常效应
量子异常霍尔效应（QAHE）已在磁掺杂的拓扑绝缘子中进行了实验观察到。然而，主要归因于吸毒者磁掺杂的超高温度（通常低于300 mk），成为潜在应用的艰巨挑战。在这里，提出了一种非磁性策略来产生铁磁性并在拓扑绝缘子中实现Qahe。我们从数值上证明，在BI 2 SE 3，BI 2 TE 3和SB 2 TE 3中，非磁性氮或碳取代可以诱导磁矩，而只有氮掺杂的SB 2 TE 3系统才能表现出远距离的铁磁性，并保存大型的散装带隙。我们进一步表明，其相应的薄膜可以在17-29开尔文的温度下携带Qahe，这比相似系统中典型实现的温度高两个数量级。我们提出的非磁性掺杂方案可能会阐明拓扑绝缘体中高温QAHE的实验性实现。
传感器和仪器仪表 - I
测量仪器的广义配置和功能描述：仪器的功能元件、测量误差：粗大误差和系统误差、绝对误差和相对误差、测量仪器和仪器系统的 I/O 配置 - 干扰和修改输入的校正方法。08 小时仪器的广义性能特征：静态特性：静态校准的含义、准确度、精密度和偏差、静态灵敏度、线性度、阈值、分辨率、滞后和死区。刻度可读性、跨度、广义静态刚度和输入阻抗、动态特性基础。06 小时电阻、电感、电容和 Q 因数的测量：惠斯通电桥、灵敏度分析、局限性、开尔文双电桥、麦克斯韦电桥、西林电桥、源和探测器、电桥屏蔽、Q 计。08 小时位移测量：位移测量原理、电阻电位器、电阻应变计、可变电感和可变磁阻拾音器、LVDT、电容拾音器、激光位移传感器。 06 小时
跨部门2014年秋季/2015年冬季
助理教授史蒂文·约翰斯顿（Steven Johnston）和他的同事发现，鉴于正确的环境，弱者超导体可以创建记录。这些努力的结果于11月13日在题为“界面模式耦合作为srtio 3中T C增强的起源的自然信中发表。”超导材料没有电势。在看似无限的应用中，当前结果的效率效率：“流动”列车，紧凑型电缆和生物磁技术的超导磁铁只是少数示例。超导性的起源方式并不完全简单，这与电子的行为方式有关。通常，电子互相排斥。然而，有些情况诱使他们配对，清除所有阻力并沿着目前的不受阻碍。这种现象有所不同：有低能（常规）超导体，其中电阻率在39 kelvin或更低的过渡温度下消失。在这里，电子配对是由声子引起的：材料类似晶格的结构中的振动（通常被描述为丛林健身房）。在1980年代中期，高温（或高t c）供应器到达，他们显示出过渡温度的增加。然而，他们如何在第一个地方成为超导，这是一个谜，因为一些思想流派排除了候选人。这是使本文字母更有趣的一部分。
电力驱动点-1.pdf
101 Monaheng部分，Katlehong East Rand Fuelarama Benoni CNR Pioneer＆East Street Benoni Foluararama Kempton Park Con Con Con Cnr Cr Cr Swart＆Kelvin Street Kempton Park Rapid Auto Serve C/O Paul Smit＆Paul Smit＆Trichardt Rd Ravenswoods rd Ravenswood Take AWays 100 Rietfontein Rd Primrose Maxis Freaser Market Cnr 4th Ave & 6th Stret Springs Oase Cafe Piet Retief 72 Warden Amber Motors 3 ampere Street Kempton Park Savemore Patensie Berg Pat Pat Pat Pat Pat Pat Pat Pat Pat Pat Pat Pat Pat Pat Pat Pat Pat Patreet Patchery 819 Ramukunupi West Katlehong B.P Craftsman 33 Miles Sharp Street旅馆276 Sikhosana区Katlehong Modise超市898 Baduza Street NHLAPO截面公园景观超市4星座街Rhodesfield One-Up Services Station 1153 Sontonga Street Katlehong Phonyohohong Phonyohile超市479 Monwameets Street Phooko Phooko
干式 3He 稀释制冷机内量子级联激光器的太赫兹频率辐射定向传输
我们提出了一种将太赫兹 (THz) 频率量子级联激光器 (QCL) 完全集成到稀释制冷机内的方案，以便将 THz 功率定向传输到样品空间。我们描述了位于制冷机脉冲管冷却器级上的 2.68 THz QCL 的成功运行，其输出通过空心金属波导和 Hysol 热隔离器耦合到位于毫开尔文样品级上的二维电子气 (2DEG) 上，实现了从 QCL 到样品的总损耗 ∼− 9 dB。热隔离器限制了热量泄漏到样品空间，实现基准温度 ∼ 210 mK。我们观察了 QCL 在 2DEG 中引起的回旋共振 (CR)，并探讨了 QCL 对制冷机所有阶段的加热影响。在低至 ∼ 430 mK 的电子温度下可以观察到由 THz QCL 引起的 CR 效应。结果表明，在稀释制冷机环境中利用 THz QCL 以及在极低温（< 0.5 K）凝聚态实验中传输 THz 功率是可行的。
介意（空气）差距 - 成功的TIM
在集成电路应用中的TIM使用的简化说明如图1所示。在系统的这种简化视图中，由高导热金属构建的集成散热器（IHS）将与周围或含量温度构建。硅死亡，当电路活跃时，会产生明显的热量。例如，在数据中心中使用的现代微处理器通常会以每平方厘米100瓦（100W/cm 2）的速度产生功率密度。挑战是将热量从硅死亡中消失，同时最大程度地减少死亡温度的升高（称为连接温度）。TIM的工作是为这种热量提供有效的管道，以逃避死亡。最小化连接温度升高的能力至关重要，因为半导体的有用寿命与其连接温度i成反比。这种现象通常被建模为热电阻，ja，它具有每瓦的开尔文单位（k/w）。当控制环境温度并已知功率耗散时，很容易计算硅连接温度：
夺取科学机会的AI -googleapis.com
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3D集成电路中Cu⠍Sn⠍Cu微焊盘电迁移失效的实验研究
垂直堆叠的三维集成电路 (3D IC) 中的芯片间电通信由芯片间微凸块实现。微凸块的电迁移可靠性对于了解基于 3D IC 的微电子系统的可靠性至关重要。本文报告了通过热压键合在两个芯片之间形成的 Cu-Sn-Cu 微凸块的电迁移可靠性的实验研究。双芯片 3D IC 组装在线键合陶瓷封装中，并在不同温度下的空气和氮气环境中进行电迁移测试。测量了微连接链和开尔文结构的故障寿命和平均故障时间 (MTTF)。结果表明，Cu-Sn 微连接的本征活化能介于 0.87 eV 和 1.02 eV 之间。基于故障分析，提出了可能的故障机制。这项研究的结果有望提高人们对 3D IC 中电迁移可靠性的根本理解，并促进基于 3D IC 的稳健可靠的微电子系统的开发。2014 Elsevier BV 保留所有权利。