• 基本 FEOL 可靠性:栅极电介质中缺陷的产生会导致电介质击穿和器件性能下降 - Kenji Okada,TowerJazz 松下半导体 • 复合半导体可靠性 101 - Bill Roesch,Qorvo • 互连可靠性基础知识 - Zsolt Tokei,IMEC • VLSI 设计方法和可靠性设计验证 - Michael Zaslavsky 和 Tim Turner,可靠性模拟组 • 电迁移 101 - Cathy Christiansen,Global Foundries • NAND 闪存可靠性 - Hanmant Belgal 和 Ivan Kalastirsky,英特尔 • 芯片封装相互作用 (CPI) 及其对可靠性的影响 - CS Premachandran,Global Foundries • 故障分析的挑战 - 汽车和超越摩尔定律 - Ulrike Ganesh,博世 • 1.NBTI 在半导体领域的最新进展HKMG p-MOSFET 和 2。现代 FINFET、ETSOI 和全栅极 III-V 晶体管中自热的新兴挑战:从晶体管到平板电脑的视角 - Souvik Mahapatra(孟买印度理工学院)和 Muhammad Ashraf Alam(普渡大学) • 汽车转型 - 从应用到半导体技术的成本、上市时间、可靠性和安全性驱动的设计优化 - Andreas Aal,大众汽车公司 • AlGaN /GaN 功率器件可靠性 - Peter Moens,安森美半导体 • 可靠性工程的系统遥测 - Rob Kwasnick,英特尔 • 高级 MOL 和 BEOL 可靠性 - Shou Chung Lee,台积电 • 汽车功能安全简介 - 历史、趋势和与可靠性的关系 - Karl Greb,NVIDIA • 相变存储器:从基础技术到系统方面和新应用 - Haris Pozidis,IBM • 系统可靠性 - Geny Gao,博士 • 先进封装和 3D 可靠性 - C. Raman Kothandaraman,IBM • 兼顾基于知识和基于标准的资格 - Bob Knoell,汽车电子委员会和 NXP • 自旋转矩 MRAM - Daniel C. Worledge,IBM • 现场容错、自我修复、检测和恢复技术的考虑因素 - Arijit Biswas,英特尔
Xue Liu 1 , Jiajie Pei 1, 2 , Zehua Hu 1 , Weijie Zhao 1 , Sheng Liu 1 , Mohamed-Raouf Amara 1 , Kenji Watanabe 3 , Takashi Taniguchi 4 , Han Zhang 2 , Qihua Xiong 1, 5 * 1 Division of Physics and Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological大学,新加坡637371,新加坡。2 2, 伊巴拉基305-0044,日本5低维量子物理学的国家主要实验室和北京北京大学的物理系,中国摘要:二维(2D)van der waals异质结构因其出现的电气和光学性质而引起了巨大的研究兴趣。 此类设备中对层间耦合的全面理解和有效的控制对于实现其功能以及提高其性能至关重要。 在这里,我们通过改变由石墨烯,六边形硝化硼和二硫化钨的不同堆叠层改变了2D材料之间的层间电荷转移。 在可见光的兴奋下,尽管被氮化硼隔开了,但二硫化石和钨二硫化物表现出清晰的掺杂水平的调制,即,石墨烯中费米水平的变化是120 MEV,以及WS 2中的净电子积累。2, 伊巴拉基305-0044,日本5低维量子物理学的国家主要实验室和北京北京大学的物理系,中国摘要:二维(2D)van der waals异质结构因其出现的电气和光学性质而引起了巨大的研究兴趣。 此类设备中对层间耦合的全面理解和有效的控制对于实现其功能以及提高其性能至关重要。 在这里,我们通过改变由石墨烯,六边形硝化硼和二硫化钨的不同堆叠层改变了2D材料之间的层间电荷转移。 在可见光的兴奋下,尽管被氮化硼隔开了,但二硫化石和钨二硫化物表现出清晰的掺杂水平的调制,即,石墨烯中费米水平的变化是120 MEV,以及WS 2中的净电子积累。伊巴拉基305-0044,日本5低维量子物理学的国家主要实验室和北京北京大学的物理系,中国摘要:二维(2D)van der waals异质结构因其出现的电气和光学性质而引起了巨大的研究兴趣。 此类设备中对层间耦合的全面理解和有效的控制对于实现其功能以及提高其性能至关重要。 在这里,我们通过改变由石墨烯,六边形硝化硼和二硫化钨的不同堆叠层改变了2D材料之间的层间电荷转移。 在可见光的兴奋下,尽管被氮化硼隔开了,但二硫化石和钨二硫化物表现出清晰的掺杂水平的调制,即,石墨烯中费米水平的变化是120 MEV,以及WS 2中的净电子积累。伊巴拉基305-0044,日本5低维量子物理学的国家主要实验室和北京北京大学的物理系,中国摘要:二维(2D)van der waals异质结构因其出现的电气和光学性质而引起了巨大的研究兴趣。此类设备中对层间耦合的全面理解和有效的控制对于实现其功能以及提高其性能至关重要。在这里,我们通过改变由石墨烯,六边形硝化硼和二硫化钨的不同堆叠层改变了2D材料之间的层间电荷转移。在可见光的兴奋下,尽管被氮化硼隔开了,但二硫化石和钨二硫化物表现出清晰的掺杂水平的调制,即,石墨烯中费米水平的变化是120 MEV,以及WS 2中的净电子积累。通过使用微拉曼和光致发光光谱的组合,我们证明了调制起源于同时操纵电荷和/或在每个两个相邻层之间的能量转移。关键字:2D材料,范德华异质结构,拉曼和光致发光光谱,层间电荷和能量传递,带工程
代码 400 – 飞行项目理事会 Sharon Straka 代码 407 – 地球,科学技术办公室 Jacqueline Le Moigne-Stewart 代码 420 – 地球科学项目部 Obadiah Kegege 代码 460 – 探险者和太阳物理项目部 (EHPD) Irving Burt 代码 540 – 机械系统部 Vivek Dwivedi 代码 541 – 材料工程分部 Justin Jones Antonio Moreno 代码 542 – 机械系统分析和模拟分部 Daniel McGuinness Ryan Simmons 代码 546 – 污染和涂层工程分部 Mark Hasegawa Alfred Wong 代码 547 – 先进制造分部 Todd Purser 代码 552 – 低温和流体分部 Matthew Francom Shouvanik Mustafi 代码 553 – 探测器系统分部 John Kolasinski Kevin Denis 代码 554 – 激光与电子光学分部 Anthony Yu Kenji Numata 代码 555 – 微波仪器技术分部Berhanu Bulcha Manohar Deshpande 代码 561 – 飞行数据系统和辐射效应 Kenneth O'Connor 代码 564 – 仪器电子开发分部 Kyle Gregory Gerard Quilligan 代码 592 – 系统工程服务和先进概念分部 Xiaoyi Li 代码 596 – 组件硬件系统分部 Munther Hassouneh Kenneth McCaughey Samuel Price Luke Thomas Luke Winternitz 代码 599 – 任务系统工程分部 Lloyd Purves 代码 665 – 观测天体物理实验室 Edward Wollack Matthew Greenhouse Karwan Rostem 代码 690 – 太阳系探索部 Daniel Glavin 代码 691 – 天体化学实验室 Perry Gerakines 代码 693 – 行星系统实验室 Shahid Aslam 代码 699 – 行星环境实验室 Mahmooda Sultana
• 基本 FEOL 可靠性:栅极电介质中缺陷的产生会导致电介质击穿和器件性能下降 - Kenji Okada,TowerJazz 松下半导体 • 复合半导体可靠性 101 - Bill Roesch,Qorvo • 互连可靠性基础知识 - Zsolt Tokei,IMEC • VLSI 设计方法和可靠性设计验证 - Michael Zaslavsky 和 Tim Turner,可靠性模拟组 • 电迁移 101 - Cathy Christiansen,Global Foundries • NAND 闪存可靠性 - Hanmant Belgal 和 Ivan Kalastirsky,英特尔 • 芯片封装相互作用 (CPI) 及其对可靠性的影响 - CS Premachandran,Global Foundries • 故障分析的挑战 - 汽车和超越摩尔定律 - Ulrike Ganesh,博世 • 1. HKMG p-MOSFET 中 NBTI 的最新进展以及 2.现代 FINFET、ETSOI 和全栅极环绕 III-V 晶体管中自热的新挑战:从晶体管到平板电脑的视角 - Souvik Mahapatra(印度理工学院,孟买)和 Muhammad Ashraf Alam(普渡大学)• 汽车转型 - 从应用到半导体技术的成本、上市时间、可靠性和安全性驱动的设计优化 - Andreas Aal,大众汽车集团 • AlGaN/GaN 功率器件可靠性 - Peter Moens,安森美半导体 • 可靠性工程的系统遥测 - Rob Kwasnick,英特尔 • 高级 MOL 和 BEOL 可靠性 - Shou Chung Lee,台积电 • 汽车功能安全简介 - 历史、趋势和与可靠性的关系 - Karl Greb,NVIDIA • 相变存储器:从基础技术到系统方面和新应用 - Haris Pozidis,IBM • 系统可靠性 - Geny Gao,博士 • 先进封装和 3D 可靠性 - C. Raman Kothandaraman,IBM • 兼顾基于知识和基于标准的资格 - Bob Knoell,汽车电子委员会和 NXP • 自旋转矩 MRAM - Daniel C. Worledge,IBM • 现场容错、自我修复、检测和恢复技术的考虑因素 - Arijit Biswas,英特尔
▪ Seok-Kyun Son, Makars Šiškins, Ciaran Mullan, Jun Yin, Vasyl G Kravets, Aleksey Kozikov, Servet Ozdemir, Manal Alhazmi, Matthew Holwill, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Davit Ghazaryan, Kostya S Novoselov, Vladimir I Fal'ko & Artem Mishchenko,石墨烯热电子灯泡:空气中HBN封装的石墨烯的白炽灯。2D材料2017,5(1)。 ▪YU。 N. Khanin, E. E. Vdovin, M. V. Grigor'ev, O. Makarovsky, Manal Alhazmi, S. V. Morozov, A. Mishchenko & K. S. Novoselov,Tunneling in Graphene/h-BN/Graphene Heterostructures through Zero-Dimensional Levels of Defects in h-BN and Their Use as Probes to Measure the Density of States of Graphene. JETP Letters 2019,109(7):482-489。 ▪M Alhazmi,Om Ramahi,M Irannejad,A Brzezinski,M Yavuz等人,“ NSTOA-13-RA-108金属绝绝diodes中金属电极在金属 - 金属金属二极管中变化的影响的比较与多介质层与多介质层与多介质层的效果” ,卷。 2,不。 2,pp。 1014,2014。 ▪f Aydinoglu,M Alhazmi,B Cui,O Ramahi,M Irannejad等人,“使用多个绝缘体层的高性能金属 - 绝缘子金属二极管”,Austin J Nanomed Nanotechnol。 1,卷。 3,不。 2014年。 ▪M。Alhazmi,M。Yavuz和B. Cui,使用多层聚苯乙烯电子束抵抗,第57届电子,离子和光子光束技术和纳米制作(EIPBN)的对比曲线工程,2013年5月。 ▪C。Con,M。Alhazmi,M。Yavuz和B. Cui,冻结冻干,以减少电子束抵抗倒塌,2013年9月在伦敦举行的MNE会议,2013年9月。。2D材料2017,5(1)。▪YU。N. Khanin, E. E. Vdovin, M. V. Grigor'ev, O. Makarovsky, Manal Alhazmi, S. V. Morozov, A. Mishchenko & K. S. Novoselov,Tunneling in Graphene/h-BN/Graphene Heterostructures through Zero-Dimensional Levels of Defects in h-BN and Their Use as Probes to Measure the Density of States of Graphene.JETP Letters 2019,109(7):482-489。▪M Alhazmi,Om Ramahi,M Irannejad,A Brzezinski,M Yavuz等人,“ NSTOA-13-RA-108金属绝绝diodes中金属电极在金属 - 金属金属二极管中变化的影响的比较与多介质层与多介质层与多介质层的效果”,卷。2,不。2,pp。1014,2014。▪f Aydinoglu,M Alhazmi,B Cui,O Ramahi,M Irannejad等人,“使用多个绝缘体层的高性能金属 - 绝缘子金属二极管”,Austin J Nanomed Nanotechnol。1,卷。3,不。2014年。▪M。Alhazmi,M。Yavuz和B. Cui,使用多层聚苯乙烯电子束抵抗,第57届电子,离子和光子光束技术和纳米制作(EIPBN)的对比曲线工程,2013年5月。▪C。Con,M。Alhazmi,M。Yavuz和B. Cui,冻结冻干,以减少电子束抵抗倒塌,2013年9月在伦敦举行的MNE会议,2013年9月。▪ F. Aydinoglu, M. Alhazmi, S. Alqarni, B. Cui, O. M. Ramahi and M. Yavuz, “Design and Fabrication of Pt-Al2o3-Al Metal- Insulator-Metal Diode,” accepted for publication in the 24th Canadian Congress of Applied Mechanics (CANCAM 2013), Saskatoon, Saskatchewan, Canada, June 2-6,2013。
本手册由世卫组织领导的专家组编写,其中包括 Carla AbouZahr(世卫组织)、Rajiv Bahl(世卫组织)、Linda Bartlett(联合国儿童基金会)、Zulfiqar Bhutta(阿迦汗大学)、Sidu Biai(班迪姆卫生项目)、Ties Boerma(世卫组织)、Peter Byass(于默奥大学)、Daniel Chandramohan(伦敦卫生和热带医学院)、Somnath Chatterji(世卫组织)、Richard Cibulskis(世卫组织)、Valerie Crowell(世卫组织)、Greet Dieltiens(热带医学研究所)、Rajesh Dikshit(国际癌症研究机构)、Cyril Engmann(北卡罗来纳大学教堂山分校)、吴凡(中国疾病预防控制中心)、Vincent Fauveau(联合国人口基金)、Olivier Fontaine(世卫组织)、Edward Fottrell(于默奥大学)、Vendhan Gajalakshmi(钦奈流行病学研究中心)、 Laragh Gollogly (世卫组织)、Yusuf Hemed (测量评估、北卡罗来纳大学和坦桑尼亚卫生部)、Abraham Hodgson (Navrongo 健康研究中心)、Mie Inoue (世卫组织)、Robert Jakob (世卫组织)、Prabhat Jha (多伦多大学)、Kathleen Kahn (阿金库尔卫生和人口计划)、Henry Kalter (约翰霍普金斯大学)、Paul Kowal (世卫组织)、 Osamu Kunii (联合国儿童基金会)、André L’Hours (世卫组织)、Doris Ma Fat (世卫组织)、Wahyu Retno Mahanani (健康指标网络)、Christopher Murray (西雅图华盛顿大学)、Bernard Nahlen (美国国际开发署总统疟疾倡议)、Rosalind Parkes (MRC 乌干达)、Agnes Prudhomme (世卫组织)、Shamim Qazi (世卫组织)、Chalapati Rao (华盛顿大学)昆士兰州)、Lale Say(世界卫生组织)、Ian Scott(世界卫生组织)、菲利普·塞特尔(测量 Ev
Motoyasu Adachi 1 , Kenichi Asano 2 , Thomas Busch 3 , Tianben Ding 4 , Evan Economo 3 , Hidenori Endo 5 , Ryosuke Enoki 6 ,7 , Ritsuko Fujii 8 , 9 , Katsumasa Fujita 10 , 11 , 12 , Kyoko Fujita 13 , Naoya Fujita 14 , Takasuke Fukuhara 15,Josephine Galipon 16,17,18,Hiroshi Harada 19,Yoshie Harada 20,21,22,Takeshi Hayakawa 23,Shinjiro Hino 24,Eishu Hirata 25,26,Tasuku Honjo 27 ,33,Yuichi Iino 34,Hiroshi Ikeda 35,Koji Ikeda 36,Yuji Ikegaya 37、38、39,Daichi Inoue 40,Tsuyoshi Inoue 41,Masaru Ishii Ishii 42、42、43、43、43、44,Shoji Ishizaka 45 45,45,izakakiizakiizakiizakiizakiizakiizakiizakiiza 45,45,akihito 45 Kimitsune Ishizaki 48,Terumasa Ito 49,Kenji Kabashima 50,Takaaki Kajita 51,52,53,Azusa Kamikouchi 54,Hiroshi Kanno 4,55,Hitoshi Kasai 56,Satoshi Kasai 57 Kikuchi 60,Yasutaka Kitahama 4,Koichi Kobayashi 61,Satoshi Kodera 62,Tamiki Komatsuzaki 63,64,65,Hidetoshi Kono 1,66,Hidetoshi Kono 1,66,Tsuyoshi Konuma 67,Yassei Konuma 67,Yassei Kudo 68,daiSuke Kumike Kumike Kumuke 69, Shoen Kume 70, Erina Kuranaga 71,72, Fabio Lisi 4, Kiminori Maeda 73, Kazuhiro Maeshima 74,75, Kanetaka M. Maki 76, Hiroyuki Matsumura 4, Takeo Minamikawa 77, Emi Minamitani 47,78, Yoshiko Miura 79, Kyoko Miura 80, Norikazu Mizuochi 81,82,83, Masayoshi Mizutani 84, Hiroki Nagashima 73, Ryoichi Nagatomi 85,86, Kuniyasu Niizuma 55,87,88, Masako Nishikawa 89, Emi Nishimura 90,91, Norihiko Nishizawa 92, Hiroaki Norimoto 54,61, Osamu Nureki 34, Fumiaki Obata 19,93, Shizue Ohsawa 54, Misato Ohtani 94, Yoshikazu Ohya 94, Kimihiko Oishi 95, Mariko Okada 20, Taku Okazaki 96, Satoshi Omura 97, Yuriko Osakabe 70, Tsuyoshi Osawa 98,Yukitoshi Otani 99,Walker Peterson 4,
第 28 届年度计算神经科学会议 CNS ∗ 2019 于 2019 年 7 月 13 日至 17 日在巴塞罗那举行。会议涵盖了各种各样的研究主题,欢迎来自世界各地的参与者,主题演讲包括 Ed Bullmore 教授的“大脑网络、青少年和精神分裂症”,Kenji Doya 教授的“心理模拟的神经回路”,Maria Sanchez-Vives 教授的“一个网络,多种状态:改变大脑皮层的兴奋性”,以及 Ila Fiete 教授的“灵活记忆和导航的神经回路”。本研究主题“计算神经科学进展”包含会议上介绍和讨论的一些前沿计算神经科学研究。与 CNS ∗ 2019 一样,本研究主题中的文章反映了计算神经科学研究的多样性和丰富性,从亚细胞尺度扩展到网络、从生物细节扩展到计算机技术、从计算方法扩展到大脑理论。在亚神经元层面,在“ROOTS:一种生成生物学上真实的皮质轴突的算法及其在电化学建模中的应用”中,Bingham 等人开发了用于构建更精确计算模型的计算方法,扩展了生成方法生成高度分支的皮质轴突末端树突的神经元形态的能力。在类似的领域,在“血清素轴突作为分数布朗运动路径:对区域密度自组织的洞察”中,Janušonis 等人描述了基于反射分数布朗运动的计算模型如何生成稳态分布,以近似于实验观察到的物理脑切片中的血清素纤维分布。 Gontier 和 Pfister 在《二项式突触的可识别性》一文中扩展了模型原理,引入了统计模型在实际中可识别的定义,并将这一概念应用于突触模型。Felton 等人在《评估 Ih 电导对模型锥体神经元中跨频耦合的影响》一文中分析了超极化激活混合阳离子电流 (Ih) 在跨频耦合动态现象中的作用。同样,Mergenthal 等人在《胆碱能调节 CA1 锥体细胞活动的计算模型》中提出了一种锥体细胞计算模型,其中包含前所未有的细节
Gabriel Girard a , b , c , 1 , ∗ , Jonathan Rafael-Patiño b , c , 1 , Raphaël Truffet d , Dogu Baran Aydogan e , f , g , Nagesh Adluru h , i , Veena A. Nair i , Vivek Baraka and Prabhabra , Alexander Jr . , k , l , Sara Bosticardo m , n , Ilaria Gabusi m , o , Mario Ocampo-Pineda m , Matteo Battocchio m , p , Zuzana Piskorova m , q , Pietro Bontempi m , Simona Schiavi r , Alessandro Daducci m , fi Sandra Bostika , Stabi , Cisco Tomasz Pieciak s , u , Matteo Frigo v , Sara Sedlar v , Samuel Deslauriers-Gauthier v , Ivana Koj chi ć v , Mauro Zucchelli v , Hiba Laghrissi v , ao , Yang Ji v , Rachid Deriche v , Kurt G Schilling w , Bennett w , Axman , Caccio and Cacci am , Gianpaolo Antonio Basile y , Salvatore Bertino y , Nancy Newlin x , Praitayini Kanakaraj x , Francois Rheault x , Patryk Filipiak z , Timothy M. Shepherd z , Ying-Chia Lin z , Dimitris G. Placantonakis aa , Ferna Ená . errez p , Alonso Ramírez-Manzanares ac , Ricardo Coronado-Leija z , Pablo Stack-Sánchez ac , Luis Concha ad , Maxime Descoteaux p , Sina Mansour L. ae , af , Caio Seguin af , ag , ah , Andrew Zalesky ae , af , c. Ye Wu aj , ak , Sahar Ahmad aj , Pew-Thian Yap aj , Antoine Théberge p , Florence Gagnon p , Frédéric Massi p , Rémy Fischi-Gomez a , b , c , Rémy Gardier c , Juan Luis Villarreal Haro c , Marco Piz c , Emma d'El Caru , Jellian ppe Thiran a , b , c
