XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemKilby
Adrian Mihai ionescu教授-Bucharest
能够提供更高的能源效率，该效率超过了我们今天在计算机，平板电脑和智能手机中使用的数字技术的订单。它的科学活动及其主要出版物包括新的隧道效应架构，将负能力效应用作技术助推器的创新，纳米电子机械晶体管，并在可重新配置的可放射性弹药函数中应用以及在综合的biocaptors中应用。对于所有这些科学和工程的贡献，阿德里安·伊奥尼斯库（Adrian Ionescu）教授在2024年获得了最精选的国际奖项之一，即IEEE技术奖Cledo Brunetti，旨在在节能设备和技术领域的领导和贡献。首次将该奖项分配给罗马尼亚研究人员，为了了解这种区别的重要性，请注意，该奖项的前两个获奖者（1978年）是Robert N. Noyce和Jack S. Kilby，综合电子巡回赛的发明者；杰克·基尔比（Jack Kilby）
EE 116：能量和电子的半导体设备
许多诺贝尔奖……•1956年晶体管（Bardeen，Brattain，Shockley）•1985年量子大厅效应（Klitzing）•1986年扫描隧道显微镜（Binnig，Rohrer，Rohrer）•1996年，Buckyballs（Curl，Kroto，Smalley，Smalley）•1998年密度功能（KO）•2000 Heterj＆ICJ（2000 Heter）（2000 Hetery）基尔比克里默（KROEM），•2000年指挥聚合物（Heeger）•2007年巨型磁场耐药（Fert＆Grunberg）•2009年CCD和光纤（Kao，Boyle＆Smith）•2000年QHE（laughlin，laughlin，Stormer，Tsui，tsui，tsui，tsui）•2010年geim＆nevoselof（geim＆nogoselof）•
IC 五十岁
从 5 月 2 日开始，计算机历史博物馆将与化学遗产基金会、IEEE 圣克拉拉谷分会和国家发明家名人堂合作，举办为期一周的庆祝活动，纪念现代集成电路诞生 50 周年。20 世纪 50 年代末和 60 年代初是半导体电子学发展的非凡时期。20 世纪 50 年代后半期，军方对基于晶体管的系统小型化的各种方法的兴趣和半导体行业对各种方法的追求开始兴起。1959 年，整个行业掀起了一场智力活动的浪潮，旨在改进微电路的方法。德州仪器的 Jack Kilby、仙童半导体公司的 Jean Hoerni 和 Robert Noyce 等人提交了专利申请，这些专利申请是单片集成电路开发的关键。仙童公司的 Jay Last 团队也于 1959 年开始努力，他们创造了第一个平面集成电路。
VLSI设计（单元1）
1947 Bipolar Transistor invented by Bardeen, Brattain and Shockley at Bell Laboratories 1958 Simultaneous Development of Integrated Circuit by Kilby at Texas Instruments & Noyce and Moore at Fairchild Semiconductor 1961 First commercial digital IC available from Fairchild Semiconductor 1967 First Semiconductor RAM (64bits) discussed at the IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) 1968 Introduction of the first commercial IC operational amplifier the µA709 by Fairchild Semiconductor 1970 1-transistor dynamic memory cell invented by Dennard at IBM 1971 Introduction of the 4004 microprocessor by intel 1972 First 8-bit Microprocessor The Intel 8008 1974 First 1kBit memory chip, 8080 microprocessor 1978 First 16-bit Microprocessor 1984 1MBit Memory芯片
欧盟芯片法案 - 欧洲议会
微电子技术的早期发展因以下奖项而受到赞誉：1956 年，肖克利、巴丁和布拉顿因他们在半导体方面的研究以及他们在 1947 年发现晶体管效应而获得诺贝尔物理学奖（如今，任何尖端芯片中都有数十亿个晶体管）；2000 年，基尔比因在 1958 年发明集成电路（或芯片）中所发挥的作用而获得诺贝尔物理学奖。集成电路是“计算机和其他电子设备的重要组成部分”。半导体也被称为“集成电路”或“芯片”。与蒸汽机一样，芯片是少数“通用技术”之一，即开启了整个技术进步和经济增长时代的突破性创新。芯片已无处不在，被广泛应用于从计算机到医疗设备、5G 和人工智能系统以及安全和防御设备等一系列产品中。芯片是数字化转型的引擎。
欧盟芯片法案 - 欧洲议会
微电子技术的早期发展因以下奖项而受到赞誉：1956 年，肖克利、巴丁和布拉顿因他们在半导体方面的研究以及他们在 1947 年发现晶体管效应而获得诺贝尔物理学奖（如今，任何尖端芯片中都有数十亿个晶体管）；2000 年，基尔比因在 1958 年发明集成电路（或芯片）中所发挥的作用而获得诺贝尔物理学奖。集成电路是“计算机和其他电子设备的重要组成部分”。半导体也被称为“集成电路”或“芯片”。与蒸汽机一样，芯片是少数“通用技术”之一，即开启了整个技术进步和经济增长时代的突破性创新。芯片已无处不在，被广泛应用于从计算机到医疗设备、5G 和人工智能系统以及安全和防御设备等一系列产品中。芯片是数字化转型的引擎。
2023-2024 年捐赠报告
Dorothy J. Armstrong Bruce Blandford 和 Ron Atkinson Braydon Scully 和 Dawn Ayer Janet Veniot Ayer A. Victor Badian Janet C. Bain Gabrielle R. Becker Laurel Boone M. Lynn Boothroyd Donald Boudreau Peter White 和 Ross Borden Randall 和 Diane Brooks Rebecca C. Brown Ian F. Cameron Garland P. Brooks 和 Angus Campbell Keltie Campbell Joan Carlisle-Irving Carol Anne Carlyle Sandra Carrigan Daniel B. Chadwick Steve Clark Marion E. Clarke Ann Clipstone Sheila Cole-MacDonald Louise Cooke David Cuthbertson Kilby Delaney Judi Denison Robert DeWolfe Linda Duncan Stan Dunfield Gary Foshay Lorne M. Fox Catherine 和 Doug Fraser John French Richard Fulford Harvey 和 Judy Gilmour David Greenwood
英格兰和威尔士对天主教儿童性虐待的天主教徒的态度
本报告基于由Marcus Pound博士领导的研究，作为达勒姆大学边界破坏项目的一部分。边界破坏团队由马库斯·庞德（Marcus Pound）博士，凯瑟琳·塞克斯顿（Catherine Sexton）博士和帕特·琼斯（Pat Jones）博士组成，并与保罗·D·默里（Paul D.Giuseppe Bollota博士在第一年是研究团队的一员，Adrian Brooks博士加入了该团队，进行了一段时间，进行了文学审查，以协助神学反思。Gregory A. Ryan博士与团队合作完成了本报告的分析和撰写，并收到了Mathew Guest教授的宝贵建议。 为了支持这项研究，由格拉斯哥大学朱莉·克拉格（Julie Clague）博士主持了指导委员会。 此外，还有一个利益相关者团体将一群具有相关专业知识或经验和/或代表机构（例如宗教会议）的人聚集在一起，该机构召集了在英格兰和威尔士工作的宗教众群体领导人。 1两组包括虐待幸存者的成员。Gregory A. Ryan博士与团队合作完成了本报告的分析和撰写，并收到了Mathew Guest教授的宝贵建议。为了支持这项研究，由格拉斯哥大学朱莉·克拉格（Julie Clague）博士主持了指导委员会。此外，还有一个利益相关者团体将一群具有相关专业知识或经验和/或代表机构（例如宗教会议）的人聚集在一起，该机构召集了在英格兰和威尔士工作的宗教众群体领导人。1两组包括虐待幸存者的成员。
联合市议会和学校董事会演讲
（7-10年）总计上小学书籍Booker T. Washington $ 3,767,801 15.23％$ 2,873,098 $ 2,464,346 $ 9,105,245 Creekside $ 2,918,906 11.32％11.32％EL $ 4,957,676 31.71％$ 2,329,513 $ 1,009,336 $ 8,296,525 Hillpoint $ 573,021 2.22％2.22％$ 3,792,732 $1,135,508 $7,458,129 Mack Benn Jr. $4,661,709 20.36% $2,986,637 $2,004,219 $9,652,565 Nansemond Parkway $4,046,526 25.88% $1,978,274 $2,730,826 $ 8,755,626 Northern Shores $ 1,570,797 8.11％$ 5,903,258 $ 1,743,698 $ 9,217,753 Oakland $ 2,695,650 16.35％16.35％$ 4,659,737 $ 2,1999,2,2455555555555555555555555554,63225554,63225554,63225554,63225554,63225555554,632255555555555554,9,9,255554,9,9,632 $ 7,764,331 38.35％$ 2,647,027 $ 1,693,455 $ 12,104,813 John F Kennedy $ 12,763,098 34.09％34.09％$ 3,889,128 $5,319,383 $2,226,935 $18,052,428 Kings Fork $1,993,137 4.05% $4,931,656 $10,130,076 $17,054,869 High Schools Kings Fork $5,507,783 5.49% $6,461,373 $10,597,967 $22,567,123 Lakeland $6,664,222 8.22% $9,494,077 $6,208,127 $22,366,426 Nansemond River $8,677,131 10.71% $7,284,136 $5,198,527 $21,159,794 Specialty Schools Turlington Woods School $ 1,859,590 20.39％$ 1,352,809 $ 833,911 $ 4,046,310大学与职业学院 @ Pruden $ 5,460,836 20.15％
晶体管 75 周年——过去、现在和未来
早期的晶体管：75 年前，出生在三大洲的三位贝尔实验室研究人员发明了晶体管——美国的约翰·巴丁 (美国麦迪逊)、欧洲的威廉·肖克利 (英国利物浦) 和亚洲的沃尔特·布拉顿 (中国厦门)。另一位工程师约翰·皮尔斯建议使用“晶体管”这个名称，因为它将这种新设备与已经熟悉的术语联系起来：跨导、电阻器等。当索尼在 1957 年推出一款使用德州仪器晶体管和标准 9V 电池的衬衫口袋大小的晶体管收音机并继续销售 600 万台时，晶体管就成为家喻户晓的词。IBM 于 1958 年推出第一台量产的晶体管计算机。从 Ge 到 Si 再到异质集成：早期的晶体管是用锗制成的。1960 年左右，硅成为首选的半导体，因为其较大的带隙大大降低了晶体管的漏电流，尤其是在晶体管热的时候。虽然硅晶片现在已成为衬底材料，但在 IC 生产过程中，Ge 已以 Si x Ge 1-x 合金薄膜的形式回归，这些薄膜被添加到 Si 衬底上。SiGe 在高级 MOSFET 中起着越来越重要的作用，可以提高电子和空穴的迁移率并带来其他好处。光学、磁性和铁电材料也已集成到 Si 技术中。Si 或 SiC 衬底上的宽带隙半导体 GaN 用于制造高压晶体管。晶体管密度如何不断增长：TI 的 Jack Kilby 因“在集成电路发明中的作用”而获得 2000 年诺贝尔物理学奖。仙童半导体公司的 Robert Noyce 被认为是另一位主要贡献者，他的