在从熔体中冷却时,pa(PU)经历了一系列结构性变速箱,伴随着在低温下从其휹相到휶相的体积降低了约28%。已知PU的部分填充5 f-电子壳涉及,但它们在转换中的确切作用仍不清楚。通过在휶-PU和凝胶稳定的휹 -PU上使用量热法测量,结合了共振剂超声和X射线散射数据,以说明晶格对晶格的异常软化,我们在这里显示,在这里,在Phonon Entropy差异上,电子熵的差异是电子熵之间的差异。而不是发现휶 -pu中宽F-电子带的电子特定热特征,正如预期在近kondo折叠相中可能与静脉相比,我们发现它表明其表明较高的子带。因此,提出了PU的5 F电子在其较大的单位细胞形成中扮演的重要作用,该相位包含不等晶格位点和键长的长度。
2024年11月13日,星期三,房间P(Hanabusa)(B1F)13p-1:开幕式和全体会议(9:30-12:10)椅子:Koji Asakawa(Kioxia)(Kioxia),Shinya kumagai(Meijo Univ。),Kouichi Takase(Nihon Univ。)和Tomoki Nagai(JSR)13p-1-0 9:30-9:50开幕词:Toshiyuki Tsuchiya(Kyoto Univ。)奖励演示:Toshiyuki Tsuchiya(京都大学)和Koji Asakawa(Kioxia)本地公告:Takahiro Namazu Kyoto Univ。高级Sci。)13P-1-1 9:50-10:30 Japan's Semiconductor Strategy (Plenary) Hisashi Saito, Ministry of Economy, Trade and Industry, Japan Coffee Break 13P-1-2 10:50-11:30 The next step in Moore's Law: High NA EUV is here (Plenary) Jan van Schoot, ASML, Netherlands 13P-1-3 11:30-12:10 Novel 3D Stacking Process Technologies to Evolve CMOS图像传感器(全体)Yoshihisa Kagawa和H. Iwamoto,索尼半导体解决方案公司,日本13-1-4:午餐研讨会主席:Daiyu Kondo(Fujitsu)(富士通)13p-1-4 12:20-13:20-13:10午餐会在技术展览会上
日本千雪大学(OMC)成员hitoki yoneda电气通讯大学(ALPS)OSAMU MATOBA KOBE大学(BISC,SI-THRU)Yasuhiro Awatsuji Kyoto技术研究所(BISC)大阪大学(HEDS)ASER工程学,大阪大学(HEDS)Yasuhiko Arakawa Tokyo University of Tokyo(ICNNQ)Toshihiko Shimizu Shimizu Shimizu Shimizu Osaka University(LSC) Omiya大学(OPTM)Tomoyuki Miyamoto科学学院东京(OWPT)KAYO OGAWA JAPAN JAPAN WEMEN的WEMENS(OWPT)TAKUNORI TAIRA RIKEN(TILA-LIC)TETSUYA ISHIKAWA RIKEN(XOPT)山内 大阪大学 (XOPT) 近藤 伸之 OPI 理事会、日本激光株式会社会长 武田 光男 宇都宫大学 OPI 理事会 绿川 胜美 OPI 理事会、日本理化学研究所先进光子学中心主任 上田 健一 电气通信大学名誉教授
日本千雪大学,(OMC)成员hitoki yoneda electro-communications(ALPS)Osamu Matoba Kobe大学(BISC,SI-THRU)Yasuhiro Awatsuji Kyoto技术研究所(BISC)大阪大学(HEDS)的激光工程OPTM)Yukitoshi Otani Utsunomiya大学(OPTM)Tomoyuki Miyamoto Tokyo Tokyo技术学院(OWPT)Kayo Ogawa Japan Japan Japan Wemen的Wemen的大学(OWPT)Takunori Taira Taira Riken(Tila-lic)石川理化学研究所 (XOPT) 山内一人 大阪大学 (XOPT) 近藤信之 OPI 理事会、日本激光株式会社会长 武田光男 OPI 理事会、宇都宫大学 OPI 理事会 绿川胜美 OPI 理事会、日本理化学研究所先进光子学中心主任 上田健一 电气通信大学名誉教授
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我们通过对相关电子系统中局部电荷和局部自旋波动之间相互作用的微观机制进行了对几种基本多电子模型的广义现场电荷敏感性的彻底研究,例如Hubbard Atom,Hubbard Atom,Anderson Indrurity模型以及Hubbard模型。通过根据物理上透明的单玻色交换过程来构成数值确定的广义易感性,我们揭示了负责自以为是的多电子扰动扩展的显微机制。特别是,我们明确地确定了对(Matsubara)频率空间(Matsubara)频率空间的对角线条目的显着抑制的起源,以及导致崩溃的异性抗合性的略微增加。对对角线元件的抑制作用直接源自局部磁矩上的电子散射,反映了它们越来越长的寿命以及增强的有效耦合与电子的耦合。取而代之的是,非对角线项的轻微而分散的增强可以主要归因于多体散射过程。由于自旋和电荷扇区之间的强烈交织在近藤温度下部分削弱,这是由于在低频状态下局部磁波的有效自旋 - 纤维化耦合的逐步降低。因此,我们的分析阐明了相互作用的电子问题的不同散射量之间的物理信息的确切机制,并突出了这种相互交织在扰动方案以外的相关电子物理学中所起的关键作用。
单个原子缺陷是关注主机量子状态的突出窗口,因为来自主机状态的集体响应是在缺陷周围作为局部状态出现的。费米液体中的弗里德尔振荡和围绕云是典型的例子。然而,对于量子自旋液体(QSL)的情况是巨大的,这是一种具有分数化准粒子的异国情调状态,造成量子纠缠的深远影响而产生的拓扑顺序。由于分数化准粒子的电荷中立性和QSL的绝缘性质,阐明基本的局部电子特性一直在挑战。在这里,使用光谱成像扫描隧道显微镜,我们报告了金属底物上最有希望的Kitaev QSL候选者单层α -rucl 3的原子解析图像。我们发现在绝缘子表现出的量子干扰是围绕具有特征性偏见依赖性的缺陷的局部状态密度的不稳定和衰减的空间振荡。振荡与本质上的任何已知空间结构不同,并且在其他Mott绝缘子中不存在,这意味着它是一种与α -rucl 3独有的激发有关的异国情调振荡。数值模拟表明,可以通过假设Kitaev QSL的巡游主要植物散布在Majoraana Fermi表面上,可以通过假设射击振荡来复制。振荡提供了一种新的方法,可以通过局部响应来探索Kitaev QSL,以针对金属中的Friedel振荡等缺陷。
参考文献 1. Uranus F. 糖尿病。 2014;63(3):844-846。 2。 Pallotta MT 等人翻译医学杂志2019;17:2 3. Lee E 等人。前獲。 2023;14:1198171。 4. Leslie M. 科学。 2021;371(6530):663–665。 5。根据 Matsunage 等人的说法。 Plos One 2014;9(9):106906。 [ PubMed ] 6. Paganoni S 等人。 N Engl J Med. 2020;383(10):919-9 [ PubMed ] 7. Paganoni S 等人。补充附录。 N Engl J Med. 2020;383(10):919-9访问日期:2023 年 10 月 2 日。https://www.nejm.org/doi/full/10.1056/nejmoa1916945。 [ PubMed ] 8. Mishra R 等人。 Ther Adv 罕见2021:2:26330040211039518。 [ PubMed ] 9. Sarmara A 等人。 Orphanet J Rare Dis. 2019 年; 14(1):2 [ PubMed ] 10. Kitamura RA 等人。 JCI 洞察。 2022;7(18):e156549。 11。 Ray MK 等人小儿糖尿病。 2022;23(2):212-2 12。 O'Bryhim BE 等人。 Am J Ophthalmol.修订版2022;243:10–1 [ PubMed ] 13. Washburn RL 等人。生物医药。 2021;9(3):2 14.Stankute I 等人。糖尿病研究临床实践。 2021 年; 178:108938。 doi 10.1016/j.diabres.2021.108938。 Epub 2021 年 7 月 1 日。PMID:34217772。15. Kondo M 等人。糖尿病学。 2018;61(10);2189–2201。
我们通过对相关电子系统中局部电荷和局部自旋波动之间相互作用的微观机制进行了对几种基本多电子模型的广义现场电荷敏感性的彻底研究,例如Hubbard Atom,Hubbard Atom,Anderson Indrurity模型以及Hubbard模型。通过根据物理上透明的单玻色交换过程来构成数值确定的广义易感性,我们揭示了负责自以为是的多电子扰动扩展的显微机制。特别是,我们明确地确定了对(Matsubara)频率空间(Matsubara)频率空间的对角线条目的显着抑制的起源,以及导致崩溃的异性抗合性的略微增加。对对角线元件的抑制作用直接源自局部磁矩上的电子散射,反映了它们越来越长的寿命以及增强的有效耦合与电子的耦合。取而代之的是,非对角线项的轻微而分散的增强可以主要归因于多体散射过程。由于自旋和电荷扇区之间的强烈交织在近藤温度下部分削弱,这是由于在低频状态下局部磁波的有效自旋 - 纤维化耦合的逐步降低。因此,我们的分析阐明了相互作用的电子问题的不同散射量之间的物理信息的确切机制,并突出了这种相互交织在扰动方案以外的相关电子物理学中所起的关键作用。
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