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物理学 (PH-UY)
PH-UY 2344 现代和固体物理学导论 (4 学分) 通常在春季提供 狭义相对论、迈克尔逊莫雷实验。普朗克量子假设、光电效应、康普顿效应、卢瑟福散射、玻尔原子、德布罗意波长、电子衍射、波函数、不确定性原理、薛定谔方程。应用于：方阱势、单电子原子。原子核、裂变和聚变。周期性晶格中的能带、Kronig Penney 模型、价带、导带、杂质态、电子迁移率。半导体特性。超导简介；电子对、能隙、约瑟夫森效应。| 先决条件：PH-UY 2023；共同要求：PH-UY 2033 和 MA-UY 2034。评分：Ugrd Tandon 评分可重复获得额外学分：否
先进材料科学与技术硕士
热力学与相变：热力学中的热和功的概念、热力学系统、热力学第零定律。温度概念、第一定律的微分形式、第二定律的陈述、熵的概念、焓。晶体的热力学函数和关系。相变和多相平衡。[10] 电子能带理论：能带理论、固体的经典自由电子理论、固体的索末菲量子自由电子理论、周期势的布洛赫波函数、克罗尼希-佩尼模型和能带。费米能量和费米面、电子的有效质量、布里渊区和倒易晶格。[10] 固体的电子特性：磁场下的传输方程、回旋共振、磁场下的能级和态密度。朗道抗磁性、自旋顺磁性、德哈斯范阿尔芬效应。磁阻、经典和量子霍尔效应。 [10] 教科书和/或参考资料
dyfyniad o'r fersiwn a gyhoeddwyd / for出版版本（APA）的引用：Wu，B.，Monks，J.N.，Yue，L.优化的宽
摘要：本研究提出了基于硅纳米球（SINP）的广角超材料长通（LP）边缘的系统优化。多层配置构成了sinp- meta-firms和抗旋转涂层（ARC）元素以前在文献中未考虑的元素，以增强其在停止和通过频段中的效果性能。这项研究已成功地开发了一种使用Kramers-Kronig关系的有效折射指数的准确模型，从而实现了用于快速设备性能优化的经典薄膜设计软件，该软件由全波数值软件验证。这种系统的优化产生了高度效率，近换档的长期超材料过滤器，这是由于其高光密度（OD = 2.55）和跨宽角范围（0°–60°）的高光谱移动而证明的。这些进步预示着高效率的超材料光学组件的发展，适用于各种应用，这些应用需要在发病率的各种角度上保持一致的性能。
瑞士大脑健康计划2023–2033
Claudio L. A. , Renaud Du Pasquier 8 , Bogdan Draganski 8 , Mohamed Eshmawey 9 , Ansgar Felbecker 10 , Fisher Bear 11 , Annika Frahsa Marcus 18 , Anita Lüthi 29, Philippe Lürer 11 , Iris Penn 1 , Caroline Pot 8 , Selfitz 18 , Shayla Smith 30 , , Susanne Wegener 38 ，多么幸福39，托马斯·扎尔特纳（Thomas Zeltner 39
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钛引起的化学不均匀性对晶体的影响...
摘要：调整宽带隙 β - Ga 2 O 3 的光学和电子特性对于充分利用该材料在电子、光学和光电子领域现有和新兴技术应用中的潜力至关重要。在本研究中，我们报告了 Ti 掺杂剂不溶性驱动的化学不均匀性对 Ga 2 O 3 多晶化合物的结构、形态、化学键合、电子结构和带隙红移特性的影响。采用传统的高温固相反应路线在可变的煅烧温度（1050 − 1250 ° C）下合成了 Ga 2 − 2 x Ti x O 3（GTO；0 ≤ x ≤ 0.20）化合物，烧结温度为 1350 ° C。GTO 样品的 X 射线衍射分析表明，仅在非常低的 Ti 掺杂浓度（<5 at. %）下才会形成单相化合物，而较高的 Ti 掺杂会导致形成复合材料，其中含有大量未溶解的 TiO 2 金红石相。然而，在烧结样品中，未溶解的金红石相的一部分转化为单斜 TiO 2。 Rietveld 对本征 Ga 2 O 3 和单相 Ti 掺杂化合物（x = 0.05）进行细化，证实样品在具有 C 2/m 空间群的单斜对称性中稳定存在。样品的表面形貌表明，本征 Ga 2 O 3 呈现棒状形貌，而 Ti 掺杂化合物呈现球形形貌。此外，在具有异常晶粒生长的掺杂化合物中，与本征 Ga 2 O 3 相比，可以注意到晶格孪生引起的条纹。Ga 2p 的高分辨率 X 射线光电子能谱分析显示，由于相邻离子的电子云之间的相互作用，与金属 Ga 相比发生了正向偏移。由于 Coster − Kronig 效应，Ti 2p 1/2 光谱显示出异常增宽。采用混合密度泛函理论的第一性原理计算表明，Ti 优先取代八面体 Ga 位点，并在 Ga 2 O 3 中表现为深层施主。从光吸收光谱可以看出，光学带隙发生了红移。Ga 2 O 3 带隙内的吸收归因于未溶解的 TiO 2 的夹杂，因为 TiO 2 在 Ga 2 O 3 带隙内具有 I 型排列。此外，还研究了 GTO 化合物的电催化行为。从电催化研究中可以明显看出，与本征 Ga 2 O 3 相比，掺杂化合物表现出明显的电催化活性。